本发明涉及添加剂组合物及包括此的阳性抛光料浆组合物。
背景技术：
：：化学机械抛光cmp(chemicalmechanicalpolishing)是由存在于被加压的晶片和抛光衬垫之间抛光剂的机械性加工，和由料浆的化学成分的化学蚀刻，同时发生的半导体加工技术中的一个，在制造亚微细米规模的半导体芯片中，成为广域平坦化技术的必须工程。料浆组合物的种类中的氧化物用料浆组合物，用于抛光层间绝缘膜及用于浅沟槽隔离sti(shallowtrenchisolation)工程的硅氧化物层时，将二氧化铈利用为抛光粒子的二氧化铈料浆组合物，在sti工程为了抛光硅氧化物层被广泛地使用，且在这种情况下，硅氮化物曾主要用于抛光停止层。一般地，为了提高对氮化物层的氧化物层的抛光速度选择比，将规定的化学添加剂添加到二氧化铈料浆组合物，添加剂组合物以含有羟基的聚合物为基本，赋予选择比及平坦度功能，优化在具有阴电荷的阴性(negative)料浆组合物，且用于具有阳电荷的阳性(positive)料浆组合物时，凝聚且与料浆组合物反应，减少抛光率、选择比功能及平坦度性能。阳性料浆与晶片及衬垫，以高的反应可实现高抛光率，但是，在选择比及平坦度侧面具有脆弱的缺点。对此，需要在使用阳性料浆组合物时，维持高的抛光率，并且提高选择比和平坦度的添加剂组合物的开发。技术实现要素：技术课题本发明作为解决上述的问题，本发明的目的是提供维持优秀的抛光速度即选择比，对改善平坦度、凹陷、刮痕、缺陷的优秀的添加剂组合物及包括此的阳性抛光料浆组合物。但是，本发明要解决的课题不限定于以上提及的课题，且没有提及的其他课题，可从以下记载被技术人员明确地理解。技术方案根据本发明的一个实施例，提供一种添加剂组合物，其包括：阳离子性化合物；有机酸；非离子性化合物；及ph调节剂。所述阳离子性化合物可包括从氨基酸、聚亚烷基二醇及葡萄糖胺类化合物结合的高分子多糖体及含胺基聚合物形成的群中选择的至少任何一个。所述有机酸可包括从乙酸、柠檬酸、乳酸、苹果酸、马来酸、丙二酸、乙醇酸、丙酸、丁酸、羟基丁酸、氮基三乙酸、吡啶甲酸、烟酸、异烟酸、镰刀菌酸、吡啶二甲酸、吡啶二羟酸、卢剔啶酸、喹啉酸、谷氨酸、丙氨酸、甘氨酸、胱氨酸、组氨酸、天冬酰胺、胍、肼、乙二胺、甲酸、苯甲酸、草酸、琥珀酸、柠檬酸、丙三羟酸、酒石酸、天冬氨酸、戊二酸、己二酸、辛二酸、富马酸、邻苯二甲酸及吡啶羧酸形成的群中选择的至少任何一个。所述阳离子性聚合物及所述有机酸由阳离子性聚合物：有机酸以2:1至3:1比率，可包括在所述添加剂组合物中。所述阳离子性聚合物及所述有机酸，可分别以0.001重量百分比至5重量百分比，包括在所述添加剂组合物中。所述非离子性化合物可包括从聚乙二醇(peg)、聚丙二醇(ppg)、聚乙烯吡咯烷酮(pvp)、环氧乙烷环氧丙烷共聚物(ethyleneoxide-propyleneoxidecopolymer)、聚乙烯丙烯共聚物(polyethylene-propylenecopolymer)、聚烷基氧化物(polyalkyloxide)、聚环氧乙烷(peo)、聚氧化乙烯(poe)及聚氧化丙烯(polypropyleneoxide)形成的群中选择的至少任何一个。所述非离子性化合物以0.001重量百分比至1重量百分比，可包括在所述添加剂组合物中。所述ph调节剂可包括从酸性物质及碱性物质形成的群中选择的至少任何一个，其中，所述酸性物质包括从硝酸、盐酸、磷酸、硫酸、氢氟酸、氢溴酸、氢碘酸、甲酸、丙二酸、马来酸、草酸、乙酸、己二酸、柠檬酸、己二酸、乙酸，丙酸、富马酸、乳酸、水杨酸、庚二酸、苯甲酸、琥珀酸、邻苯二甲酸、丁酸、戊二酸、谷氨酸、乙醇酸、乳酸、天冬氨酸、酒石酸及上述的盐形成的群中选择的至少任何一个，且所述碱性物质包括从氨、氨甲基丙醇amp(ammoniummethylpropanol)、氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化镁、氢氧化铷、碳酸氢钠、碳酸钠及咪唑形成的群中选择的至少任何一个。所述添加剂组合物的ph可以是2至7。根据本发明的其他实施例，提供一种阳性抛光料浆组合物，其包括：根据本发明的一个实施例的添加剂组合物；及包括抛光粒子的料浆组合物。利用所述阳性抛光料浆组合物，抛光在覆盖晶片(blanketwafer)包括氧化膜和氮化膜或氧化膜和多晶硅膜的晶片时，氧化膜：氮化膜或氧化膜：多晶硅膜的抛光选择比可以是10:1至80:1。所述氧化膜的抛光率是至且所述氮化膜或所述多晶硅膜的抛光率可以是至利用所述阳性抛光料浆组合物，抛光在模式晶片(patternwafer)包括氧化膜和氮化膜或氧化膜和多晶硅膜的晶片时，氧化膜：氮化膜或氧化膜：多晶硅膜的抛光选择比可以是1:1至5:1。利用所述阳性抛光料浆组合物，抛光包括氧化膜和氮化膜或氧化膜和多晶硅膜的晶片之后，可具有线路/空间基准100μm/100μm未满模式密度的晶片的凹陷发生量是以下，具有线路/空间基准100μm/100μm以上1mm/1mm以下模式密度的晶片的凹陷发生量是以下。技术效果根据本发明的一个实施例，添加剂组合物维持显示氧(positive)电荷的阳性抛光料浆组合物和使用时的分散稳定性和高抛光率，可显示优秀的抛光选择比和高的平坦度及低的凹陷。根据本发明的一个实施例，阳性抛光料浆组合物包括本发明的添加剂组合物，分散稳定性优秀，且抛光包括氧化膜和氮化膜的晶片时，可具有优秀的选择比和高的抛光速度及平坦度，抛光后对抛光对象膜的凹陷、刮痕、缺陷改善具有优秀的效果。附图说明图1是示出根据本发明的实施例1至6、比较例1、2，评价利用料浆组合物的模式晶片时，被使用晶片的断面结构。具体实施方式参照以下附图详细地说明本发明的实施例。在说明本发明，当判断对有关公知功能或构成的具体说明，不必要的模糊本发明的摘要时，对其详细说明进行省略。并且，在本发明所使用的用语是为了适当的表现本发明的优选实施例而被使用的用语，这可按照用户、运营者的意图或者本发明所属领域的惯例等不同。因此，对本用语的定义由本说明书整个内容为基础下定结论。各图示出的相同参照符号显示相同的部件。在整个说明书，有些部分“包括”有些构成要素时，在没有特别反对的记载之外，意味着不是排除其他构成要素，而是还可包括其他构成要素。以下，对本发明的抛光粒子-分散层复合体及包括此的抛光料浆组合物，参照实施例及图面进行详细地说明。但是，本发明不限定于这些实施例及图。根据本发明的一个实施例，提供一种添加剂组合物，其包括：阳离子性化合物；有机酸；非离子性化合物；及ph调节剂。在本发明的一个实施例，添加剂组合物意味着为了调整如抛光速度、抛光选择比的抛光特性，和如抛光粒子的分散性、保存稳定性的抛光粒子特性，除了水以外，添加到抛光料浆组合物的物质。在现有的料浆组合物添加剂的情况，一般以含有羟基的聚合物为基本，赋予选择比及平坦度功能，且这优化于阴性料浆。将现有的料浆组合物添加剂用于阳性料浆组合物时，因与凝聚及料浆组合物的反应，发生抛光率、选择比及平坦度显著降低的问题，但是，本发明的包括阳离子性化合物；有机酸；非离子性化合物；及ph调节剂的料浆添加剂组合物，其特征为，在与阳性料浆使用的情况下，也可提供高的抛光率、选择比及平坦度。所述阳离子性化合物是将阳离子团或可由阳离子团被离子化的团，包括在主链或侧链的化合物。所述阳离子性化合物可包括从氨基酸、聚亚烷基二醇及葡萄糖胺类化合物结合的高分子多糖体及含胺基聚合物形成的群中选择的至少任何一个。所述氨基酸提高抛光粒子的分散性，具有进一步提高绝缘膜抛光速度的效果。例如，所述氨基酸可包括从精氨酸、赖氨酸、天冬氨酸、谷氨酸、天冬酰胺、谷氨酰胺、组氨酸、脯氨酸、酪氨酸、色氨酸、丝氨酸、苏氨酸、甘氨酸、丙氨酸、β-丙氨酸、甲硫氨酸、半胱氨酸、苯丙氨酸、亮氨酸、异亮氨酸及缬氨酸形成的群中选择的至少任何一个。所述聚亚烷基二醇可提高如抛光选择比、平坦度的抛光特性。例如，所述聚亚烷基二醇可包括聚乙二醇、聚丙二醇、聚丁二醇。所述葡萄糖胺化合物结合的高分子多糖体，可包括分别从甲壳素、壳聚糖、壳寡糖、多糖、蛋白聚糖、肝素、褐藻酸、纤维素、透明质酸、角叉菜胶、β-葡聚糖和硫酸软骨素(chondroitinsulfate)形成的群中选择的至少任何一个。包括在所述高分子多糖体的葡萄糖胺类化合物可以是葡萄糖胺或葡萄糖胺衍生物，例如，可包括从n-乙酰-d-葡糖胺、n-甲基葡糖胺、n-乙酰半乳糖胺、2-乙酰氨基-2-脱氧-β-d-葡萄糖(n-乙酰氨基葡糖)、聚(β-(1，4)-葡糖胺)-n-聚琥珀酰葡糖胺β-1-6-(pnsg)、聚β-1-6--n-乙酰基葡糖胺(pnag)、n-酰基葡萄糖胺，葡糖胺盐酸盐及葡糖胺寡糖形成的群中选择的至少任何一个。所述含有胺的聚合物不恶化平坦度，可提升如氧化膜、氮化膜的绝缘膜的抛光速度，可抑制凹陷、刮痕、缺陷的发生。例如，所述含有胺的聚合物可包括从一级胺(primaryamine)、二级胺(secondaryamine)、三级胺(tertiaryamine)及阳离子性聚合物形成的群中选择的至少任何一个。所述一级至三级胺可包括从甲基胺、丁基胺、乙醇胺、异丙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二丙胺、乙二胺、丙二胺、游离胺四胺、四亚乙基五、2-氨基-2-甲基-1-丙醇(amp)、二乙醇胺、3-氨基-1-丙醇、2-氨基-1-丙醇、1-氨基-2-丙醇及1-氨基戊醇形成的群中选择的至少任何一个。所述阳离子性聚合物可以是在分子式内包括两个以上离子化阳离子的阳离子性聚合物，优选地，可包括两个以上的由阳离子活性的氮，且所述阳离子阳离子性聚合物可以是聚季铵形态。所述阳离子性聚合物可包括从聚(二烯丙基二甲基氯化铵)(poly(diallyldimethylammoniumchloride))；聚【双(2-氯乙基)乙醚-键-1,3-双【3-(二甲氨基)丙基】尿素】(poly【bis(2-chloroethyl)ether-alt-1,3-bis【3-(dimethylamino)propyl】urea】)；1,4-二氯-2-丁烯及具有n,n,n’,n’-四甲基-2-丁烯-1,4-二胺的2,2’,2”-次氨基三-乙醇聚合物(ethanol,2,2',2''-nitrilotris-,polymerwith1,4-dichloro-2-buteneandn,n,n',n'-tetramethyl-2-butene-1,4-diamine)；羟乙基纤维素二甲基二烯丙基氯化铵共聚物(hydroxyethylcellulosedimethyldiallylammoniumchloridecopolymer)；丙烯酰胺/二甲基二烯丙基氯化铵共聚物(copolymerofacrylamideanddiallyldimethylammoniumchloride)；丙烯酰胺/季铵化的二甲基丙烯酸乙酯共聚物(copolymerofacrylamideandquaternizeddimethylammoniumethylmethacrylate)；丙烯酸/二甲基二烯丙基氯化铵共聚物(copolymerofacrylicacidanddiallyldimethylammoniumchloride)；丙烯酰胺甲基丙烯酸甲基氯乙烯共聚物(acrylamide-dimethylaminoethylmethacrylatemethylchloridecopolymer)；季铵化羟乙基纤维素(quaternizedhydroxyethylcellulose)；乙烯基吡咯烷酮和季铵化甲基丙烯酸共聚物(copolymerofvinylpyrrolidone/quaternizeddimethylaminoethylmethacrylate)；乙烯基吡咯烷酮/季铵化乙烯基咪唑共聚物(copolymerofvinylpyrrolidoneandquaternizedvinylimidazole)；乙烯基吡咯烷酮/甲基丙烯酰丙基三甲基共聚物(copolymerofvinylpyrrolidoneandmethacrylamidopropyltrimethylammonium)；聚(2-甲基丙烯酰氧乙基)氯化铵(poly(2-methacryloxyethyltrimethylammoniumchloride))；聚(丙烯酰胺乙基三甲基氯化铵)(poly(acrylamide2-methacryloxyethyltrimethylammoniumchloride))；聚【2-(甲基丙烯酸二甲胺乙酯)氯甲烷】(poly【2-(dimethylaminoethylmethacrylatemethylchloride】)；聚【3-丙烯酰胺基丙基氯化铵】(poly【3-acrylamidopropyltrimethylammoniumchloride】)；聚【3-甲基丙烯酰丙基氯化铵】(poly【3-methacrylamidopropyltrimethylammoniumchloride】)；聚【氧乙烯(二亚胺)乙烯(二甲基亚氨基)二氯化乙烯】(poly【oxyethylene(dimethylimino)ethylene(dimethylimino)ethylenedichloride】)；丙烯酸/丙烯酰胺/二甲基二烯丙基氯化铵共聚物(terpolymerofacrylicacid,acrylamideanddiallyldimethylammoniumchloride)；丙烯酸/甲基丙烯酰胺基丙基三甲基氯化铵/丙烯酸甲酯的三元共聚物(terpolymerofacrylicacid,methacrylamidopropyltrimethylammoniumchloride,andmethylacrylate)；乙烯基己内酰胺/乙烯基吡咯烷酮/季铵化乙烯基咪唑的三元共聚物(terpolymerofvinylcaprolactam,vinylpyrrolidone,andquaternizedvinylimidazole)；聚(2-甲基丙烯酰氧基乙基磷酰胆碱-甲基丙烯酸正丁酯)(poly(2-methacryloxyethylphosphorylcholine-co-n-butylmethacrylate))；聚【(二亚胺)丙烯酸乙酯苯甲酸氯化物季铵盐】(pdmaeabcq)及聚【(二亚胺)丙烯酸乙酯甲基氯化物季铵盐】(pdmaeamcq)形成的群中选择的至少任何一个。所述有机酸可包括从乙酸、柠檬酸、乳酸、苹果酸、马来酸、丙二酸、乙醇酸、丙酸、丁酸、羟基丁酸、氮基三乙酸、吡啶甲酸、烟酸、异烟酸、镰刀菌酸、吡啶二甲酸、吡啶二羟酸、卢剔啶酸、喹啉酸、谷氨酸、丙氨酸、甘氨酸、胱氨酸、组氨酸、天冬酰胺、胍、肼、乙二胺、甲酸、苯甲酸、草酸、琥珀酸、柠檬酸、丙三羟酸、酒石酸、天冬氨酸、戊二酸、己二酸、辛二酸、富马酸、邻苯二甲酸及吡啶羧酸形成的群中选择的至少任何一个。所述阳离子性聚合物和所述有机酸，可由阳离子性聚合物：有机酸以2:1至3:1比率，包括在所述添加剂组合物中。此外，所述阳离子性聚合物和所述有机酸分别以0.001重量百分比至5重量百分比，优选地，以0.01重量百分比至3重量百分比包括在所述添加剂组合物中。在所述添加剂中，所述阳离子性聚合物和所述有机酸分别未满0.001重量百分比时，很难体现所目的的抛光选择比，发生凹陷及缺陷的问题，且超过5重量百分比时，发生凝聚，可发生对此的抛光行能低下、刮痕及缺陷的问题。所述非离子性化合物可包括从聚乙二醇(peg)、聚丙二醇(ppg)、聚乙烯吡咯烷酮(pvp)、环氧乙烷环氧丙烷共聚物(ethyleneoxide-propyleneoxidecopolymer)、聚乙烯丙烯共聚物(polyethylene-propylenecopolymer)、聚烷基氧化物(polyalkyloxide)、聚环氧乙烷(peo)、聚氧化乙烯(poe)及聚氧化丙烯(polypropyleneoxide)形成的群中选择的至少任何一个。所述非离子性化合物可由0.001重量百分比至1重量百分比，包括在所述添加剂组合物中。在所述添加剂组合物中，所述非离子性化合物未满0.001重量百分比时，不体现对氮化膜或聚膜的抛光停止功能，可发生由氮化膜或聚膜过量被抛光的问题，且超过1重量百分比时，分散稳定性低下，发生微刮痕，抛光后可忧虑再粘贴粒子等的污染。所述ph调节剂可包括从酸性物质及碱性物质形成的群中选择的至少任何一个，其中，所述酸性物质包括从硝酸、盐酸、磷酸、硫酸、氢氟酸、氢溴酸、氢碘酸、甲酸、丙二酸、马来酸、草酸、乙酸、己二酸、柠檬酸、己二酸、乙酸，丙酸、富马酸、乳酸、水杨酸、庚二酸、苯甲酸、琥珀酸、邻苯二甲酸、丁酸、戊二酸、谷氨酸、乙醇酸、乳酸、天冬氨酸、酒石酸及上述的盐形成的群中选择的至少任何一个，且所述碱性物质包括从氨、氨甲基丙醇amp(ammonium)methylpropanol)、氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化镁、氢氧化铷、碳酸氢钠、碳酸钠及咪唑形成的群中选择的至少任何一个。所述ph调节剂可由调节添加剂组合物ph的量添加，且根据本发明的添加剂组合物的ph可具有2至7的ph范围。根据本发明的一个实施例，添加剂组合物可显示具有阳(positive)电荷的阳性抛光料浆组合物，和使用时维持分散稳定性和高抛光率，并优秀的抛光选择比和高平坦度及低的凹陷。根据本发明的其他实施例，提供一种阳性抛光料浆组合物，其包括根据本发明的一个实施例的添加剂组合物及包括抛光粒子的料浆组合物。例如，本发明的料浆组合物可包括抛光粒子-分散层复合剂，其包括抛光粒子；第一分散剂，从具有共振结构官能团的共聚物、含有二羧基的聚合物及含有二羧基的有机酸形成的群中选择的至少任何一个的阴离子性化合物；第二分散剂，从氨基酸、有机酸、聚亚烷基二醇及葡萄糖胺化合物结合的高分子多糖体形成的群中选择的至少任何一个的阳离子性化合物；及第三分散剂，在分子式内包括两个以上的被离子化阳离子的阳离子性聚合物。所述抛光粒子和所述第一分散剂的结合，及所述第一分散剂和第二分散剂及第三分散剂中至少任何一个的结合可以是静电结合，且所述抛光粒子表面、所述第二分散剂及第三分散剂可显示阳电荷，所述第一分散剂显示阴电荷。所述抛光粒子包括从金属氧化物、有机物或无机物被涂层的金属氧化物，及胶体状态的所述金属氧化物形成的群中选择的至少任何一个，所述金属氧化物可包括从二氧化硅、二氧化铈、氧化锆、氧化铝、二氧化钛、钡二氧化钛、氧化锗、氧化锰及氧化镁形成的群中选择的至少任何一个。所述抛光粒子的平均直径可以是10nm至300nm。所述抛光粒子的直径未满10nm时，对抛光粒子大小的抛光率减少，具有很难体现选择比的问题，超过300nm时，因大小大具有很难调解凹陷、表面缺陷、抛光率、选择比的问题。所述抛光粒子可包括由液态法被制造的。液态法是将抛光粒子在水溶液中发生化学反应，生长结晶得到微粒子的溶胶(solgel)法，但是，可适用将抛光粒子离子在水溶液沉淀的共沉淀法，及在高温高压形成抛光粒子的水热合成法等被制造。由液态法制造的抛光粒子，使抛光粒子表面具有阳电荷被分散。所述抛光粒子可以是单结晶。使用单结晶抛光粒子时，比起多结晶抛光粒子，可达到刮痕减少的效果，且可改善凹陷，并且抛光后可改善洗净性。所述抛光粒子的形象可包括从球形、角形、针状形象及板状形象形成的群中选择的至少任何一个，优选地可以是球形。包括所述抛光粒子的料浆组合物可以是显示阳(positive)电荷的阳性料浆组合物，所述料浆组合物可具有电动电位为10mv至60mv的阳电动电位。利用所述阳性抛光料浆组合物，抛光包括氧化膜和氮化膜或氧化膜和多晶硅膜的晶片时，在覆盖晶片(blanketwafer)对氧化膜：氮化膜或氧化膜：多晶硅膜的抛光选择比可以是10:1至80:1。抛光覆盖晶片(blanketwafer)时，所述氧化膜的抛光率是至氮化膜或多晶硅膜的抛光率可以是至此外，在模式晶片(patternwafer)露出抛光停止膜时进行过度抛光评价凹陷时，氧化膜：氮化膜或氧化膜：多晶硅膜的抛光选择比可以是1:1至5:1，优选地，是1:1至3:1。利用所述阳性抛光料浆组合物，抛光包括氧化膜和氮化膜模式晶片之后，具有线路/空间基准100μm未满模式密度的晶片的凹陷发生量可以是以下，具有线路/空间基准100μm以上1mm以下的模式密度的晶片的凹陷发生量是以下，且抛光后刮痕发生量可以是50ea以下。根据本发明的一个实施例，阳性抛光料浆组合物包括本发明的添加剂组合物，使分散稳定性优秀，且抛光包括氧化膜和氮化膜的晶片时，可具有优秀的选择比和高抛光速度及平坦度，抛光之后对于对象膜的凹陷、刮痕、缺陷的改善，具有很好的效果。以下，参照下述实施例及比较例，对本发明进行详细地说明。但是，本发明的技术思想不受限或限定于此。<添加剂组合物准备>【实施例1】在超纯水将阳离子性化合物的聚【二回(2-氯乙基)乙醚-键-1,3-二回【3-(二甲氨基)丙基】尿素】(poly【bis(2-chloroethyl)ether-alt-1,3-bis【3-(dimethylamino)propyl】urea】，mirapol)：有机酸的乳酸以2.5:1的比率混合，添加非离子性化合物的聚乙二醇(peg)0.01重量百分比，且利用硝酸制造了ph4.5的添加剂组合物。【实施例2】在实施例1，除了添加阳离子性化合物的组氨酸外，与实施例1相同的方法制造了添加剂组合物。【实施例3】在实施例1，除了添加阳离子性化合物的丝氨酸外，与实施例1相同的方法制造了添加剂组合物。【实施例4】在实施例1，除了添加有机酸的乙醇酸外，与实施例1相同的方法制造了添加剂组合物。【实施例5】在实施例4，除了添加阳离子性化合物组氨酸外，与实施例4相同的方法制造了添加剂组合物。【实施例6】在实施例4，除了添加阳离子性化合物的丝氨酸外，与实施例4同的方法制造了添加剂组合物。【比较例1】在实施例1，除了没有添加乳酸外，与实施例1相同的方法制造了添加剂组合物。【比较例2】在实施例2，除了没有添加乳酸外，与实施例2相同的方法制造了添加剂组合物。<阳性抛光料浆组合物准备>将实施例1至6、比较例1、2的添加剂组合物，分别与包括二氧化铈抛光粒子5重量百分比的料浆组合物混合，制造了抛光料浆组合物。利用制造的实施例1至6、比较例1、2的抛光料浆组合物，由如下的抛光条件分别抛光非模式晶片npw(non-patternwafer)和模式晶片。【抛光条件】1.抛光仪器：ap-300(cts社)2.衬垫：k7(rohm&hass社)3.抛光时间：60s4.桌子rpm(tablerpm)：875.主轴rpm(spindlerpm)：936.流量(flowrate)：300ml/min7.被使用的晶片：12英寸sti模式晶片8.压力：4.0psi图1是示出根据本发明的实施例1至6、比较例1、2，评价利用料浆组合物的模式晶片时，被使用晶片的断面结构。基于图1的模式晶片的信息，在一级抛光对比一级非模式晶片npw(non-patternwafer)，设置了模式晶片过度抛光时间。设置去除时间之后，进行过度抛光确认了凹陷程度。以下表1显示了抛光包括本发明的实施例1至6、比较例1、2的添加剂组合物的抛光料浆组合物的组合及利用这些的非模式晶片、模式晶片之后的凹陷结果。【表1】参照表1，非模式晶片的抛光率在实施例1至6中，本发明的抛光率在至范围之内，比较例1及2在本发明的抛光率范围之内，但是，在模式凹陷显示高的凹陷。此外，在凹陷侧面，实施例1至6的情况，在100μm/100μm模式分别显示以下的凹陷，在1mm/1mm模式也显示以下的凹陷，但是，可知比较例1及2在100μm/100μm模式及1mm/1mm模式显示高的凹陷。由此，可确认包括本发明的实施例1至6的添加剂组合物的抛光料浆，显示优秀的凹陷改善效果。下表2显示利用包括本发明的实施例1至6、比较例1及2的添加剂组合物的抛光料浆组合物的，在100μm/100μm、1mm/1mm模式晶片的抛光选择比。评价模式晶片凹陷时，显示氧化膜/氮化膜或氧化膜/多晶硅膜的抛光选择比(抛光量的比)。【表2】参照表2，实施例1至6的情况，抛光100μm/100μm模式晶片时，氧化膜/氮化膜，氧化膜/多晶硅膜的抛光选择比显示为3以下，且在1mm/1mm模式晶片的情况下，也可知是3以下。比较例1的情况是抛光100μm/100μm、1mm/1mm模式晶片时，显示比较低的抛光选择比，但是，如所述表1凹陷高，在比较例2可知100μm/100μm、1mm/1mm模式晶片，显示超过7的高抛光选择比。由此，可知包括本发明的实施例1至6的添加剂组合物的抛光料浆，维持优秀的抛光率，并具有卓越的凹陷改善效果。如上述，本发明虽然由限定的实施例和图进行了说明，但是本发明不限定于上述的实施例，且本发明的技术人员可从这些记载进行多样地修正及变更。因此，本发明的范围不能被说明的实施例限定，且由后述的权利要求和与此权利要求均等的被决定。当前第1页12当前第1页12