接合膜、晶片加工用胶带、接合体的制造方法及接合体与流程

本发明涉及接合膜及晶片加工用胶带，特别涉及用于将半导体元件与电路基板、陶瓷基板等基板连接的连接膜及具备该连接膜的晶片加工用胶带。

背景技术：

以往，在半导体芯片与布线基板等的粘接中，使用膜状粘接剂(芯片粘贴膜)。此外，开发出了切割/芯片接合胶带，其兼具用于在将半导体晶片切断分离(切割)为各个芯片时固定半导体晶片的切割胶带、和用于将被切断了的半导体芯片粘接于布线基板等的芯片粘贴膜(也称作芯片接合膜)两个功能(例如参照专利文献1)。

在进行电力的控制、供给等的半导体元件(所谓的功率半导体元件)与电路基板、陶瓷基板及引线框等基板的连接中使用这种切割/芯片接合胶带的情况下，存在有连接耐热性不够充分的问题。

因而，在功率半导体元件与基板的连接中，一般使用焊料。作为这种焊料，主要使用向焊料的粉末中加入助熔剂而制成适当的粘度的膏状焊料。然而，若使用助熔剂，则有可能污染半导体元件表面，存在有需要清洗工序的问题。另外，近年来，出于环境上的考虑，要求使用不含有铅的无铅焊料材料。作为能够应对功率半导体的发热的无铅焊料材料，有au－sn系焊料，然而由于价格高，因此并不实用。作为比au－sn系焊料廉价的焊料材料，有sn－ag－cu系焊料，然而存在有由热历史所致的金属间化合物的生长导致可靠性降低的问题。

作为不使用焊料的接合构件，有将向热固性树脂中混合具有导电性的微细的金属粒子的材料以膜状成形而得的各向异性导电膜(anisotropicconductivefilm：acf)。然而，由于acf为了获得良好的粘接状态，包含一定比例以上的树脂，因此金属粒子间的接触成为点接触，无法期待充分的导热，存在有连接耐热性不够充分的问题。另外，由于acf有可能因高热而造成热固性树脂的劣化，因此不适于发热量大的功率半导体的连接。

另外，作为其他的不使用焊料的接合构件，近来有包含金属微粒的浆料(以下称作金属浆料)(例如参照专利文献2)。金属浆料是向金属微粒中添加防止保存时、制造工序中的金属微粒之间的凝结的有机分散剂、和在接合时与有机分散剂反应而除去有机分散剂的分散辅助物质、并向其中混合溶剂等而制成浆料状的材料。金属微粒至少包含粒径为1nm～500nm左右的极为微细的粒子，表面为活性状态。

在使用金属浆料将半导体元件与基板接合时，利用涂布器、或丝网印刷将金属浆料涂布于半导体元件和/或基板的接合面，在150℃～300℃加热给定时间(1分钟～1小时左右)。由此，因有机分散剂与分散辅助材料反应而除去有机分散剂，同时还因挥发而除去溶剂。当有机分散剂、溶剂被除去时，处于活性状态的金属微粒之间彼此结合，成为其金属成分的单体膜。

在将金属浆料使用涂布器、丝网印刷涂布于接合面的情况下，需要调节溶剂等的量以某种程度使金属浆料的粘度降低。然而，若降低粘度，则在将金属浆料涂布于接合面时，有金属浆料飞溅附着于半导体元件、基板的接合面以外的部分而将半导体元件、基板污染的问题。

因而，提出过将金属浆料预先制成片状的连接片(参照专利文献3)。

现有专利文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010－265453号公报

专利文献2：日本特开2006－352080号公报

专利文献3：日本特开2013－236090号公报

技术实现要素：

发明所要解决的问题

然而，在使用如上述专利文献3中记载所示的将金属浆料预先制成片状的具有接合层的连接片使半导体元件与基板接合的情况下，由于接合层自身不具有粘合性，因此需要使用吸附夹具等将接合层载置于基板上，在其上载置半导体元件，使接合层烧结。因此，存在有工序变得烦杂的问题。

因而，本发明的目的在于，提供连接耐热性充分且可靠性高、将半导体元件与基板接合的接合工序简便的接合膜及晶片加工用胶带。

用于解决问题的方法

为了解决以上的问题，本发明的接合膜的特征在于，是用于将半导体元件与基板接合的接合膜，具有将包含金属微粒(p)的导电性浆料以膜状成形而得的导电性接合层、和具有粘性且层叠于所述导电性接合层的粘性层。

为了解决以上的问题，本发明的接合膜的特征在于，是用于将半导体元件与基板接合的接合膜，具有将包含金属微粒(p)的导电性浆料以膜状成形而得的导电性接合层、和具有粘性且层叠于所述导电性接合层的粘性层，所述粘性层因接合时的加热而被热分解，所述导电性接合层的所述金属微粒(p)发生烧结，由此将所述半导体元件与所述基板接合。

另外，优选上述接合膜的所述金属微粒的平均一次粒径为10～500nm，所述导电性浆料包含有机溶剂(s)。

另外，优选上述接合膜的所述金属微粒(p)由铜或银构成。

另外，优选上述接合膜的所述导电性浆料包含有机粘结剂(r)。

另外，优选上述接合膜的所述粘性层包含选自聚甘油、甘油脂肪酸酯、聚甘油脂肪酸酯、膦类、亚磷酸酯类、硫醚类、二硫醚类、三硫醚类、以及亚砜类中的一种或两种以上。

另外，优选上述接合膜的所述有机溶剂(s)含有常压下沸点为100℃以上、并且由在分子中具有1个或2个以上羟基的醇和/或多元醇构成的有机溶剂(sc)。

另外，优选上述接合膜的所述有机粘结剂(r)为选自纤维素树脂系粘结剂、乙酸酯树脂系粘结剂、丙烯酸系树脂系粘结剂、氨基甲酸酯树脂系粘结剂、聚乙烯基吡咯烷酮树脂系粘结剂、聚酰胺树脂系粘结剂、缩丁醛树脂系粘结剂、以及萜烯系粘结剂中的1种或2种以上。

另外，为了解决以上的问题，本发明的半导体加工用胶带的特征在于，具备具有基材膜和设于该基材膜上的粘合剂层的粘合膜、和上述的接合膜，在所述粘合剂层上，设有所述接合膜的导电性接合层。

另外，为了解决以上的问题，本发明的接合体的制造方法的特征在于，具有接合工序，将接合膜配置于半导体元件与基板之间并加热，所述接合膜具有将包含金属微粒(p)的导电性浆料以膜状成形而得的导电性接合层、和具有粘性且层叠于所述导电性接合层的粘性层，将所述粘性层热分解、使所述导电性接合层的所述金属微粒(p)烧结，由此将所述半导体元件与所述基板接合。

另外，为了解决以上的问题，本发明的半导体与基板的接合体的特征在于，是在基板上具有由金属多孔体构成的导电连接构件、且在其上具有半导体元件的半导体与基板的接合体，所述金属多孔体的空隙率为6～9％，平均空孔直径为15～120nm。

发明效果

根据本发明，可以提供连接耐热性充分且可靠性高、将半导体元件与基板接合的接合工序简便的接合膜、晶片加工用胶带、接合体的制造方法及接合体。

附图说明

图1是示意性地表示本发明的实施方式的晶片加工用胶带的剖视图。

图2是在晶片加工用胶带上贴合有半导体晶片的图。

图3是用于说明切割工序的图。

图4是用于说明扩张工序的图。

图5是用于说明拾取工序的图。

图6是示意性地表示使用本发明的实施方式的晶片加工用胶带制造的半导体装置的剖视图。

具体实施方式

以下，基于附图对本发明的实施方式的粘接膜及晶片加工用胶带进行说明。基于图1至图5对本发明的一个实施方式的晶片加工用胶带进行说明。图1是表示一个实施方式的晶片加工用胶带10的剖视图。图2是表示在晶片加工用胶带10上贴合有半导体晶片1的状态的图。另外，图3是用于说明半导体装置的制造工序中的切割工序的图，图4是用于说明扩张工序的图，图5是用于说明拾取工序的图。图6是示意性地表示使用本发明的实施方式的晶片加工用胶带制造的半导体装置的剖视图。

如图1所示，本发明的一个实施方式的晶片加工用胶带10具有：包含基材膜12a和形成于其上的粘合剂层12b的粘合膜12、以及层叠于该粘合膜12上的接合膜13。接合膜13具有将包含金属微粒(p)的导电性浆料以膜状成形而得的导电性接合层13a、和具有粘性且层叠于导电性接合层13a的粘性层13b，在粘合剂层12b上设有导电性接合层13a。晶片加工用胶带10被用于将半导体晶片1切断为半导体元件2(也称作芯片或半导体芯片)的切割工序、将切断得到的半导体元件2接合于电路基板、陶瓷基板及引线框等基板40(参照图6)的芯片接合工序这两个工序中。对于切割工序，将参照图3在后面叙述。

需要说明的是，粘合剂层12b可以由一层的粘合剂层构成，也可以由层叠有两层以上的粘合剂层的粘合剂层构成。需要说明的是，图1中，表示出为了保护接合膜13在晶片加工用胶带10上设有脱模膜11的样子。作为脱模膜11，可以使用公知的脱模膜。

粘合膜12及接合膜13可以与使用工序、装置匹配地预先制成给定形状。

以下，对本实施方式的晶片加工用胶带10的各构成要素进行详细说明。

(接合膜)

接合膜13被贴合半导体晶片1并受到切割后，在拾取经过单片化的半导体元件2时，被从粘合膜12剥离而附着于半导体元件2地拾取，作为将半导体元件2固定于基板40时的接合材料使用。因而，接合膜13在拾取工序中，具有可以在仍旧附着于经过单片化的半导体元件2的状态下从粘合膜12剥离的粘合性和剥离性，此外，将半导体元件2与基板40接合，具有足够的接合可靠性。对于拾取工序，将参照图5在后面叙述。

接合膜13具有将包含金属微粒(p)的导电性浆料以膜状成形而得的导电性接合层13a、和具有粘性且层叠于导电性接合层13a的粘性层13b。

需要说明的是，本发明中所谓粘性，是指粘接性，具体而言，是指可以使半导体晶片1、半导体元件2保持导电性接合层13a的粘接性。

[导电性接合层]

导电性浆料优选除了包含金属微粒(p)以外，还包含有机分散介质(d)。

作为导电性浆料中所含的金属微粒(p)，可以使用选自铜、镁、铝、锌、镓、铟、锡、锑、铅、铋、钛、锰、锗、银、金、镍、铂及钯的金属元素组中的1种微粒；混合选自所述金属元素组中的2种以上而得的微粒；包含选自所述金属元素组中的2种以上元素的合金的微粒；将选自所述金属元素组中的1种微粒或混合选自所述金属元素组中的2种以上而得的微粒与包含选自所述金属元素组中的2种以上元素的合金的微粒混合而得的微粒、它们的氧化物、或它们的氢氧化物等。

若考虑导电性、加热处理时的烧结性，则金属微粒(p)优选使用(i)铜微粒(p1)、或(ii)由铜微粒(p1)90～100质量％、和选自镁、铝、锌、镓、铟、锡、锑、铅、铋、钛、锰、以及锗中的1种或2种以上的第二金属微粒(p2)10～0质量％构成的金属微粒。所述铜微粒(p1)是导电性相对高的金属，另一方面，金属微粒(p2)是熔点相对低的金属。在铜微粒(p1)中并用第二金属微粒(p2)的情况下，优选金属微粒(p2)在金属微粒(p)中与铜微粒(p1)形成合金，或所述金属微粒(p2)在金属微粒(p)中在铜微粒(p1)的表面形成包覆层。通过将所述铜微粒(p1)与金属微粒(p2)并用，可以降低加热处理温度，或者可以使金属微粒间的结合更容易。

金属微粒(p)的加热处理前的平均一次粒径优选为10～500nm。若金属微粒(p)的平均粒径小于10nm，则有可能难以利用加热处理(烧结)遍及烧结体整体地形成均匀的粒径和空孔，热循环特性降低，进而有接合强度也降低的情况。另一方面，若该平均粒径大于500nm，则构成烧结体的金属微粒及空孔直径接近微米尺寸，热循环特性仍然降低。对于加热处理前的金属微粒(p)的平均粒径，可以利用扫描型电子显微镜(sem)测定其直径。例如，在二维形状为近似圆形的情况下，测定该圆的直径，在近似椭圆形的情况下，测定该椭圆的短径，在近似正方形的情况下，测定该正方形的边的长度，在近似长方形的情况下，测定该长方形的短边的长度。“平均粒径”是通过利用上述显微镜观察计测随机选择10～20个的多个粒子的粒径、并计算其平均值而求出。

作为所述金属微粒(p)的制造方法，没有特别限制，例如可以使用湿式化学还原法、雾化法、镀敷法、等离子体cvd法、mocvd法等方法。

平均一次粒径10～500nm的金属微粒(p)的制造方法具体而言可以采用日本特开2008－231564号公报中公开的方法。若采用该公报中公开的制造方法，则能够容易地获得平均一次粒径为10～500nm的金属微粒(p)，另外在该公报中公开的金属微粒的制造方法中，可以在金属离子的还原反应结束后向还原反应水溶液中添加凝聚剂，向利用离心分离等回收的、除去了反应液中的杂质的金属微粒中添加有机分散介质(d)并混炼，制造本发明的导电性浆料。

为了使金属微粒(p)均匀地分散于导电性浆料中，重要的是选择分散性、加热处理时的烧结性等优异的特定的有机分散介质(d)。有机分散介质(d)在导电性浆料中使金属微粒(p)分散，调节导电性浆料的粘度，维持膜形状，并且可以在加热处理时以液状及气体状发挥作为还原剂的功能。有机分散介质(d)至少包含有机溶剂(s)，优选还包含有机粘结剂(r)。

有机溶剂(s)优选含有常压下沸点为100℃以上并且由在分子中具有1个或2个以上羟基的醇和/或多元醇构成的有机溶剂(sc)。此外，有机溶剂(s)优选为选自(i)有机溶剂(s1)以及(ii)有机溶剂(s2)中的1种，所述有机溶剂(s1)至少含有具有酰胺基的有机溶剂(sa)5～90体积％、常压下沸点为20～100℃的低沸点的有机溶剂(sb)5～45体积％、以及常压下沸点为100℃以上并且由在分子中具有1或2个以上羟基的醇和/或多元醇构成的有机溶剂(sc)5～90体积％，所述有机溶剂(s2)至少含有具有酰胺基的有机溶剂(sa)5～95体积％、以及常压下沸点为100℃以上并且由在分子中具有1或2个以上羟基的醇和/或多元醇构成的有机溶剂(sc)5～95体积％。

在配合上述以外的其他有机溶剂成分的情况下，可以使用四氢呋喃、二甘醇二甲醚、碳酸亚乙酯、碳酸亚丙酯、环丁砜、二甲亚砜等极性有机溶剂。

有机溶剂(s1)是至少含有具有酰胺基的有机溶剂(sa)5～90体积％、常压下沸点为20～100℃的低沸点的有机溶剂(sb)5～45体积％、以及常压下沸点为100℃以上、并且由在分子中具有1或2个以上羟基的醇和/或多元醇构成的有机溶剂(sc)5～90体积％的有机溶剂。有机溶剂(sa)在有机溶剂(s1)中包含5～90体积％，具有在导电性浆料中提高分散性和保存稳定性、此外在对所述接合面上的导电性接合层进行加热处理而形成烧结体时提高接合面处的密合性的作用。有机溶剂(sb)在有机溶剂(s1)中包含5～45体积％以上，具有在导电性浆料中降低溶剂分子间的相互作用、提高分散了的金属微粒(p)与有机溶剂(s1)的亲和性的作用。有机溶剂(sc)在有机溶剂(s1)中包含5～90体积％以上，能够在导电性浆料中实现分散性、和分散性的进一步的长期稳定化。另外，若使混合有机溶剂中存在有机溶剂(sc)，则当将其导电性接合层配置于接合面并进行加热处理时，烧结体的均匀性提高，另外，还会发挥有机溶剂(sc)所具有的氧化被膜的还原促进效果，可以得到导电性高的接合构件。所谓“有机溶剂(s1)是至少含有有机溶剂(sa)5～90体积％、有机溶剂(sb)5～45体积％、以及有机溶剂(sc)5～90体积％的有机溶剂。”，是指有机溶剂(s1)可以从有机溶剂(sa)、有机溶剂(sb)、以及有机溶剂(sc)中以所述配合比例以达到100体积％的方式配合，另外也可以在所述配合比例的范围内、还在不损害本发明的效果的范围中配合其他有机溶剂成分，该情况下，优选含有90体积％以上的由有机溶剂(sa)、有机溶剂(sb)、以及有机溶剂(sc)构成的成分，更优选含有95体积％以上。

有机溶剂(s2)是至少含有具有酰胺基的有机溶剂(sa)5～95体积％、以及常压下沸点为100℃以上、并且由在分子中具有1或2个以上羟基的醇和/或多元醇构成的有机溶剂(sc)5～95体积％的有机溶剂。有机溶剂(sa)在有机溶剂(s2)中包含5～95体积％，具有在该混合有机溶剂中提高分散性和保存稳定性、此外在对导电性浆料进行加热处理而形成金属多孔体时提高接合面处的密合性的作用。有机溶剂(sc)在有机溶剂(s2)中包含5～95体积％，在导电性浆料中进一步提高分散性。另外，若使有机溶剂(s2)中存在有机溶剂(sa)和有机溶剂(sc)，则在将导电性接合层配置于接合面上后进行加热处理时，即使是较低的加热处理温度也可以使烧结推进。所谓“有机溶剂(s2)是至少含有有机溶剂(sa)5～95体积％、以及有机溶剂(sc)5～95体积％的有机溶剂。”，是指有机溶剂(s2)可以从有机溶剂(sa)、以及有机溶剂(sc)中以所述配合比例以达到100体积％的方式配合，另外也可以在所述配合比例的范围内还在不损害本发明的效果的范围中配合其他有机溶剂成分，该情况下，优选含有90体积％以上的由有机溶剂(sa)、以及有机溶剂(sc)构成的成分，更优选含有95体积％以上。

以下给出上述的有机溶剂(sc)、有机溶剂(sa)、以及有机溶剂(sb)的具体例。

有机溶剂(sc)是常压下沸点为100℃以上、且由在分子中具有1或2个以上羟基的醇和/或多元醇构成、并具有还原性的有机化合物。另外，优选碳原子数为5以上的醇、以及碳原子数为2以上的多元醇，优选在常温下为液状、相对介电常数高的有机溶剂、例如碳原子数为10以上的有机溶剂。平均一次粒径10～500nm的金属微粒(p)由于微粒的表面积大，因此需要考虑氧化的影响，然而以下举出的有机溶剂(sc)由于在加热处理(烧结)时以液状及气体状发挥作为还原剂的功能，因此在加热处理时抑制金属微粒(p)的氧化而促进烧结。作为有机溶剂(sc)的具体例，可以例示出乙二醇、二乙二醇、1，2－丙二醇、1，3－丙二醇、1，2－丁二醇、1，3－丁二醇、1，4－丁二醇、2－丁烯－1，4－二醇、2，3－丁二醇、戊二醇、己二醇、辛二醇、丙三醇、1，1，1－三羟基甲基乙烷、2－乙基－2－羟基甲基－1，3－丙二醇、1，2，6－己三醇、1，2，3－己三醇、1，2，4－丁三醇等。

另外，作为有机溶剂(sc)的具体例，也可以使用苏糖醇(d－threitol)、赤藓糖醇(erythritol)、季戊四醇(pentaerythritol)、戊糖醇(pentitol)、己糖醇(hexitol)等糖醇类，在戊糖醇中，包含木糖醇(xylitol)、核糖醇(ribitol)、阿拉伯糖醇(arabitol)。在所述己糖醇中，包含甘露醇(mannitol)、山梨醇(sorbitol)、卫矛醇(dulcitol)等。此外，也可以使用甘油醛(glycericaldehyde)、二羟基丙酮(dioxy－acetone)、苏糖(threose)、赤藓酮糖(erythrulose)、赤藓糖(erythrose)、阿拉伯糖(arabinose)、核糖(ribose)、核酮糖(ribulose)、木糖(xylose)、木酮糖(xylulose)、来苏糖(lyxose)、葡萄糖(glucose)、果糖(fructose)、甘露糖(mannose)、艾杜糖(idose)、山梨糖(sorbose)、古罗糖(gulose)、塔罗糖(talose)、塔格糖(tagatose)、半乳糖(galactose)、阿洛糖(allose)、阿卓糖(altrose)、乳糖(lactose)、异麦芽糖(isomaltose)、葡萄庚糖(gluco－heptose)、庚糖(heptose)、麦芽三糖(maltotriose)、乳果糖(lactulose)、海藻糖(trehalose)等糖类，然而对于熔点高的糖类，可以与其他的熔点低的有机溶剂(sc)混合使用。上述醇类当中，更优选在分子中具有2个以上羟基的多元醇，特别优选乙二醇及丙三醇。

有机溶剂(sa)为具有酰胺基(－conh－)的化合物，特别优选为相对介电常数高的化合物。作为有机溶剂(a)，可以举出n－甲基乙酰胺(191.3于32℃)、n－甲基甲酰胺(182.4于20℃)、n－甲基丙酰胺(172.2于25℃)、甲酰胺(111.0于20℃)、n，n－二甲基乙酰胺(37.78于25℃)、1，3－二甲基－2－咪唑烷酮(37.6于25℃)、n，n－二甲基甲酰胺(36.7于25℃)、1－甲基－2－吡咯烷酮(32.58于25℃)、六甲基磷酸三酰胺(29.0于20℃)、2－吡咯烷酮、ε－己内酰胺、乙酰胺等，也可以将它们混合使用。需要说明的是，上述具有酰胺基的化合物名后的括号中的数字表示各溶剂在测定温度下的相对介电常数。它们当中可以合适地使用相对介电常数为100以上的n－甲基乙酰胺、n－甲基甲酰胺、甲酰胺、乙酰胺等。需要说明的是，在像n－甲基乙酰胺(熔点：26～28℃)那样在常温下为固体的情况下可以与其他溶剂混合后在处理温度下作为液状使用。

有机溶剂(sb)是常压下沸点处于20～100℃的范围的有机化合物。若常压下沸点低于20℃，则在将包含有机溶剂(sb)的粒子分散液在常温下保存时，有机溶剂(sb)的成分挥发，浆料组成有可能发生变化。另外，在常压下沸点为100℃以下的情况下，使由该溶剂添加造成的溶剂分子间的相互引力降低，可以期待有效地发挥进一步提高微粒的分散性的效果。作为有机溶剂(sb)，可以例示出以通式r¹－o－r²(r¹、r²分别独立地为烷基，碳原子数为1～4。)表示的醚系化合物(sb1)、以通式r³－oh(r³为烷基，碳原子数为1～4。)表示的醇(sb2)、以通式r⁴－c(＝o)－r⁵(r⁴、r⁵分别独立地为烷基，碳原子数为1～2。)表示的酮系化合物(sb3)、以及以通式r⁶－(n－r⁷)－r⁸(r⁶、r⁷、r⁸分别独立地为烷基、或氢原子，碳原子数为0～2。)表示的胺系化合物(sb4)。

以下例示上述有机溶剂(sb)，化合物名后的括号内的数字表示常压下沸点。作为所述醚系化合物(sb1)，可以例示出二乙醚(35℃)、甲丙醚(31℃)、二丙醚(89℃)、二异丙醚(68℃)、甲基叔丁基醚(55.3℃)、叔戊基甲基醚(85℃)、二乙烯基醚(28.5℃)、乙基乙烯基醚(36℃)、烯丙醚(94℃)等。作为所述醇(sb2)，可以例示出甲醇(64.7℃)、乙醇(78.0℃)、1－丙醇(97.15℃)、2－丙醇(82.4℃)、2－丁醇(100℃)、2－甲基2－丙醇(83℃)等。作为所述酮系化合物(sb3)，可以例示出丙酮(56.5℃)、甲乙酮(79.5℃)、二乙酮(100℃)等。另外，作为所述胺系化合物(sb4)，可以例示出三乙胺(89.7℃)、二乙胺(55.5℃)等。

有机粘结剂(r)在导电性浆料中发挥抑制金属微粒(p)的凝聚、调节导电性浆料的粘度、以及维持导电连接构件前体的形状的功能。所述有机粘结剂(r)优选为选自纤维素树脂系粘结剂、乙酸酯树脂系粘结剂、丙烯酸系树脂系粘结剂、氨基甲酸酯树脂系粘结剂、聚乙烯基吡咯烷酮树脂系粘结剂、聚酰胺树脂系粘结剂、缩丁醛树脂系粘结剂、以及萜烯系粘结剂中的1种或2种以上。具体而言，优选为选自如下物质中的1种或2种以上，即，所述纤维素树脂系粘结剂为乙酰纤维素、甲基纤维素、乙基纤维素、丁基纤维素、以及硝基纤维素；乙酸酯树脂系粘结剂为甲基乙二醇乙酸酯、乙基乙二醇乙酸酯、丁基乙二醇乙酸酯、乙基二甘醇乙酸酯、以及丁基二甘醇乙酸酯；丙烯酸系树脂系粘结剂为甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、以及甲基丙烯酸丁酯；氨基甲酸酯树脂系粘结剂为2，4－甲苯二异氰酸酯、以及对苯二异氰酸酯；聚乙烯基吡咯烷酮树脂系粘结剂为聚乙烯基吡咯烷酮、以及n－乙烯基吡咯烷酮；聚酰胺树脂系粘结剂为聚酰胺6、聚酰胺66、以及聚酰胺11；缩丁醛树脂系粘结剂为聚乙烯醇缩丁醛；萜烯系粘结剂为蒎烯、桉油酚、柠檬烯、以及萜品醇。

导电性浆料是含有金属微粒(p)和包含有机溶剂(s)的有机分散介质(d)的导电性浆料、或含有所述金属微粒(p)和包含有机溶剂(s)及有机粘结剂(r)的有机分散介质(d)的导电性浆料。若对其进行加热处理，则当到达某个温度时，即推进有机溶剂(s)的蒸发、或有机溶剂(s)的蒸发和有机粘结剂(r)的热分解，显现出金属微粒(p)的表面，利用彼此在表面处结合(烧结)的原理作为接合材料发挥作用。所述导电性浆料中的金属微粒(p)与有机分散介质(d)的配合比例(p/d)优选为50～85质量％/50～15质量％(质量％的合计为100质量％)。需要说明的是，可以在不损害本发明的效果的范围中，向本发明的导电性浆料中配合上述以外的金属微粒、有机分散介质等。

若金属微粒(p)的配合比例大于所述85质量％，则浆料变为高粘度，在加热处理中有可能发生金属微粒(p)表面间的结合不足而使导电性降低。另一方面，若金属微粒(p)的配合比例小于所述50质量％，则浆料的粘度降低而难以维持膜形状，另外在加热处理时有可能发生收缩这样的不佳状况，此外，还有可能在加热处理时伴随有机分散介质(d)蒸发的速度变慢的不利情况。从该观点考虑，所述金属微粒(p)与有机分散介质(d)的配合比例(p/d)更优选为55～80质量％/45～20质量％。另外，该有机分散介质(d)中的有机溶剂(s)与有机粘结剂(r)的配合比例(s/r)优选为80～100质量％/20～0质量％(质量％的合计均为100质量％)。

若有机分散介质(d)中的有机粘结剂(r)的配合比例大于20质量％，则对导电性接合层13a进行加热处理时有机粘结剂(r)热分解而飞散的速度变慢，另外，当导电连接构件中残留碳量增加时，烧结即受到阻碍，有可能产生裂纹、剥离等问题，因而不优选。根据有机溶剂(s)的选择不同，在可以仅利用该溶剂使金属微粒(p)均匀地分散、发挥调节导电性浆料的粘度、以及维持膜形状的功能的情况下，可以使用仅包含有机溶剂(s)的成分作为有机分散介质(d)。在导电性浆料中，可以向所述的成分中根据需要加入消泡剂、分散剂、增塑剂、表面活性剂、增稠剂等公知的添加物。在制造导电性浆料时，可以在将各成分混合后使用球磨机等进行混炼。

[粘性层]

粘性层13b是用于使半导体晶片1、半导体元件2保持于导电性接合层13a的层，具有粘性。另外，粘性层13b因将半导体元件2与基板40接合时的加热而被热分解。粘性层13b只要是具有这种性质的层，就没有特别限定，无论以何种材料构成都可以。

由于导电性接合层13a没有粘性，因此粘性层13b是用于改善半导体晶片1、半导体元件2与导电性接合层13a的粘接性的层。若没有粘性层13b，则半导体晶片1、半导体元件2与导电性接合层13a的粘接力弱，因此在半导体晶片1的切割时、半导体元件2的拾取时，会在半导体晶片1、半导体元件2与导电性接合层13a之间发生剥离。另外，粘性层13b也是用于提高导电性接合层13a与半导体晶片1、半导体元件2的密合力的层。通过使密合力提高，夹隔着导电性接合层13a将半导体元件2与基板40接合时的接合强度也提高。

本发明中，粘性层13b因将半导体元件2与基板40接合时的加热而被热分解，由此将半导体元件2与基板40夹隔着导电性接合层13a机械地接合是重要的。为此，粘性层13b在接合时的加热温度下、在空气气氛下、升温速度为5℃/分钟的热重量测定中的重量减少优选为70重量％以上，更优选为85重量％以上，进一步优选为95重量％以上。

另外，由于粘性层13b在接合时与半导体元件2直接接触，因此还可以期待使半导体元件2的电极的表面活化的效果。对此可以认为是因为，粘性层13b中所含的物质在加热时分解时，与作为金属的电极表面的氧化层反应而对金属面进行清洁(cleaning)。通过像这样将半导体元件2的电极的表面活化，可以提高半导体元件2的电极与导电性接合层13a的密合力。

作为构成粘性层13b的材料，优选使用在室温下不溶于极性或非极性溶剂中、然而当加热到熔点时则易于溶于极性或非极性溶剂中的材料。在将这种材料加热到熔点而溶于溶剂中、涂布于导电性接合层13a等上后，冷却到室温，使溶剂蒸发，由此可以形成具有粘性的膜状体。作为溶剂，可以适当地使用公知的溶剂，然而为了使成膜时的蒸发容易，优选使用低沸点的溶剂。

此外，粘性层13b更优选由在加热烧结导电性浆料中的金属微粒(p)时使金属微粒(p)还原的物质构成。若为以多段反应引起粘性层13b的分解反应的物质，则反应温度区域宽，金属微粒(p)被还原，由此使金属微粒(p)的烧结后的电阻率降低，导电性提高。

粘性层13b例如优选包含选自聚甘油；甘油单癸酸酯(熔点：46℃)、甘油单月桂酸酯(熔点：57℃)、甘油单硬脂酸酯(熔点：70℃)、甘油单山萮酸酯(熔点：85℃)等甘油脂肪酸酯；双甘油硬脂酸酯(熔点：61℃)、双甘油月桂酸酯(熔点：34℃)等脂肪酸聚甘油酯；苯乙烯对苯乙烯基二苯基膦(熔点：75℃)、三苯基膦(熔点：81℃)、三正辛基膦(熔点：30℃)等膦类；亚磷酸酯类；双(4－甲基丙烯酰基硫基苯基)硫醚(熔点：64℃)、苯基对甲苯基硫醚(熔点：23℃)、糠基硫醚(熔点：32℃)等硫醚类；二苯基二硫醚(熔点：61℃)、苄基二硫醚(熔点：72℃)、二硫化四乙基秋兰姆(熔点：70℃)等二硫醚类；三硫醚类；以及亚砜类中的1种或2种以上。

另外，粘性层13b可以在不妨碍粘性及热分解性、且在对半导体元件2、基板40的污染、突沸气体发生的方面不产生问题的范围中，根据需要加入消泡剂、分散剂、增塑剂、表面活性剂、增稠剂等公知的添加物。

下面，对制造接合膜13的方法进行说明。首先，在载置台上，载置脱模膜，在脱模膜上配置间隔件。间隔件例如为sus等金属制的板，且在中央部具有圆形的开口部。在间隔件的开口部且在脱模膜上，配置上述的导电性浆料，使用刮板进行丝网印刷并将导电性浆料均匀地压延，由此使导电性浆料变为圆形的膜状。其后，除去脱模膜及间隔件。然后，使以圆形的膜状成形的导电性浆料预干燥，由此形成导电性接合层13a。预干燥的时间根据印刷厚度而定，例如可以设定为5～20分钟。

其后，加热上述的粘性层13b的构成成分的材料并在溶剂中混炼，在导电性接合层13a上使用刮板法或喷涂法等涂布、冷却。其后，加热干燥而使溶剂蒸发，由此形成粘性层13b。

需要说明的是，本实施方式中，本发明的接合膜13设于粘合膜12上，作为整体构成晶片加工用胶带10，然而也可以用接合膜13单独作为制造晶片加工用胶带10的材料来处理，该情况下，接合膜13优选由保护膜来保护两面。作为保护膜，可以使用聚乙烯系、聚苯乙烯系、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)系的膜，此外还可以使用进行了脱模处理的膜等公知的保护膜，从具有适于保持接合膜13的硬度的观点考虑，优选使用聚乙烯膜或聚苯乙烯膜。保护膜的厚度没有特别限定，可以适当地设定，然而优选为10～300μm。

(粘合膜)

粘合膜12具有在切割半导体晶片1时足以使由接合膜13保持的半导体晶片1不剥离的粘合力，并具有在切割后拾取经过单片化的半导体元件2时可以容易地从接合膜13剥离的低粘合力。本实施方式中，粘合膜12如图1所示，例示出在基材膜12a设有粘合剂层12b的粘合膜，然而并不限定于此，可以使用作为切割胶带使用的公知的粘合膜。

作为粘合膜12的基材膜12a，只要是以往公知的基材膜，就可以没有特别限制地使用，然而如后所述，由于本实施方式中，作为粘合剂层12b使用能量固化性的材料中的辐射线固化性的材料，因此使用具有辐射线透射性的材料。

例如，作为基材膜12a的材料，可以列举聚乙烯、聚丙烯、乙烯丙烯共聚物、聚丁烯－1、聚－4－甲基戊烯－1、乙烯－乙酸乙烯酯共聚物、乙烯－丙烯酸乙酯共聚物、乙烯－丙烯酸甲酯共聚物、乙烯－丙烯酸共聚物、离聚物等α－烯烃的均聚物或共聚物或它们的混合物、聚氨酯、苯乙烯－乙烯－丁烯共聚物或戊烯系共聚物、聚酰胺－多元醇共聚物等热塑性弹性体、以及它们的混合物。另外，基材膜12a可以是将选自它们中的2种以上的材料混合而得的膜，也可以是将它们单层或多层化的膜。基材膜12a的厚度没有特别限定，可以适当地设定，然而优选为50～200μm。

本实施方式中，通过向粘合膜12照射紫外线等辐射线，而使粘合剂层12b固化，易于将粘合剂层12b从接合膜13剥离，因此作为粘合剂层12b的树脂，优选向粘合剂所使用的公知的氯代聚丙烯树脂、丙烯酸系树脂、聚酯树脂、聚氨基甲酸酯树脂、环氧树脂、加成反应型有机聚硅氧烷系树脂、硅丙烯酸酯树脂、乙烯－乙酸乙烯酯共聚物、乙烯－丙烯酸乙酯共聚物、乙烯－丙烯酸甲酯共聚物、乙烯－丙烯酸共聚物、聚异戊二烯或苯乙烯/丁二烯共聚物或其氢化物等各种弹性体等或其混合物中适当地配合辐射线聚合性化合物而制备粘合剂。另外，也可以加入各种表面活性剂、表面平滑化剂。粘合剂层12b的厚度没有特别限定，可以适当地设定，然而优选为5～30μm。

作为辐射线聚合性化合物，例如使用可以通过光照射而三维网状化的在分子内具有至少2个以上光聚合性碳－碳双键的低分子量化合物、在取代基中具有光聚合性碳－碳双键基团的聚合物、低聚物。具体而言，可以应用三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1，4－丁二醇二丙烯酸酯、1，6－己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、低聚酯丙烯酸酯等、硅丙烯酸酯等丙烯酸或各种丙烯酸酯类的共聚物等。

另外，除了如上所述的丙烯酸酯系化合物以外，还可以使用氨基甲酸酯丙烯酸酯系低聚物。氨基甲酸酯丙烯酸酯系低聚物是通过如下操作而得，即，使聚酯型或聚醚型等多元醇化合物与多异氰酸酯化合物(例如2，4－甲苯二异氰酸酯、2，6－甲苯二异氰酸酯、1，3－苯二亚甲基二异氰酸酯、1，4－苯二亚甲基二异氰酸酯、二苯基甲烷4，4－二异氰酸酯等)反应，使具有羟基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯(例如丙烯酸2－羟基乙酯、甲基丙烯酸2－羟基乙酯、丙烯酸2－羟基丙酯、甲基丙烯酸2－羟基丙酯、聚乙二醇丙烯酸酯、聚乙二醇甲基丙烯酸酯等)与所得的末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物反应而得。需要说明的是，作为粘合剂层12b，也可以是将选自上述的树脂中的2种以上混合而得的粘合剂层。

需要说明的是，作为粘合剂层12b的组合物，除了可以使用因辐射线的照射而固化的辐射线聚合性化合物以外，还可以使用适当地配合有丙烯酸系粘结剂、光聚合引发剂、固化剂等的组合物。

在使用光聚合引发剂的情况下，例如可以使用苯偶姻异丙基醚、苯偶姻异丁基醚、二苯甲酮、米蚩酮、氯噻吨酮、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮、二乙基噻吨酮、联苯酰二甲基缩酮、α－羟基环己基苯基酮、2－羟基甲基苯基丙烷等。这些光聚合引发剂的配合量优选相对于丙烯酸系共聚物100质量份为0.01～5质量份。

粘合膜12可以利用作为切割胶带的制造方法而以往公知的方法来制造。晶片加工用胶带10可以通过在粘合膜12的粘合剂层12b上贴合上述的导电性接合层13的导电性接合层13a而制造。

(晶片加工用胶带的使用方法)

在半导体装置100(参照图6)的制造工序中，如下所示地使用晶片加工用胶带10。图2中，表示出在晶片加工用胶带10上贴合有半导体晶片1和贴片环框20的样子。

首先，如图2所示，将粘合膜12的粘合剂层12b粘贴于贴片环框20，将半导体晶片1贴合于接合膜13的粘性层13b。对于它们的粘贴顺序没有限制，也可以在将半导体晶片1贴合于接合膜13后将粘合膜12的粘合剂层12b粘贴于贴片环框20。另外，也可以同时地进行粘合膜12向贴片环框20的粘贴、和半导体晶片1向接合膜13的贴合。

然后，如图3所示，实施半导体晶片1的切割工序，然后，实施向粘合膜12照射能量射线、例如紫外线的工序。具体而言，首先，为了利用切割刀片21切割半导体晶片1和接合膜13，利用吸附载台22，从粘合膜12面侧吸附支撑晶片加工用胶带10。然后，利用切割刀片21将半导体晶片1和接合膜13切割为半导体元件2单元而单片化，其后，从粘合膜12的下表面侧照射能量射线。通过照射该能量射线，使粘合剂层12b固化而降低其粘合力。需要说明的是，也可以取代能量射线的照射，而利用加热等外部刺激使粘合膜12的粘合剂层12b的粘合力降低。在粘合剂层12b由两层以上的粘合剂层层叠构成的情况下，可以通过照射能量射线而使各粘合剂层中的一层或全部层固化，降低各粘合剂层中的一层或全部层的粘合力。

其后，如图4所示，实施将保持了经过切割的半导体元件2及接合膜13的粘合膜12沿贴片环框20的圆周方向拉长的扩张工序。具体而言，对保持了经过切割的多个半导体元件2及接合膜13的状态的粘合膜12，使空心圆柱形状的上推构件30从粘合膜12的下表面侧上升，将粘合膜12沿贴片环框20的圆周方向拉长。

实施扩张工序后，如图5所示，保持将粘合膜12扩张的状态不变，实施拾取半导体元件2的拾取工序。具体而言，从粘合膜12的下表面侧将半导体元件2用支杆31上推，并且从粘合膜12的上表面侧用吸附夹具32吸附半导体元件2，由此将经过单片化的半导体元件2与接合膜13一起拾取。

然后，实施拾取工序后，实施接合工序。具体而言，将拾取工序中与半导体元件2一起拾取的接合膜13的导电性接合层13a侧配置于引线框、封装基板等基板40的接合位置。其后，对接合膜13在150～350℃的温度进行加热处理。此时，粘性层13b发生热分解，并且导电性接合层13a中的有机分散介质(d)被除去，金属微粒(p)因其表面的能量而在低于大体积状态的金属的熔点的温度下凝聚，金属微粒表面间的结合(烧结)加剧，形成由金属多孔体构成的导电连接构件50。若在加热处理时在有机溶剂(s)中含有有机溶剂(sc)，则由于该溶剂以液状及气体状发挥还原功能，因此金属微粒(p)的氧化受到抑制，烧结得到促进。需要说明的是，在作为导电性接合层13a中的有机分散介质(d)含有沸点较低的有机溶剂(s)的情况下，可以在加热处理前，预先设置干燥工序而将有机溶剂(s)的至少一部分蒸发、除去。利用这种加热处理，将半导体元件2与基板40机械地接合。需要说明的是，接合工序可以在无加压下进行，也可以进行加压。在受到加压的情况下，导电性浆料与引线框、封装基板等的密合性得到提高。

由于导电连接构件50是金属微粒(p)彼此发生面接触、结合(烧结)而形成的金属多孔体，因此具有适度的弹性和柔软性，并且导电性也不会受到损害。金属多孔体的空隙率为6～9体积％，平均空孔直径为15～120nm的范围。需要说明的是，导电连接构件50中的空隙率、金属微粒的平均粒径、以及平均空孔直径的测定方法如下所示。

(1)金属微粒的平均粒径的测定方法

对金属微粒利用扫描型电子显微镜(sem)观察随机选择10个的粒子的剖面，测定相对于该剖面的二维形状的最大内接圆的直径，求出其平均值。需要说明的是，在电子显微镜的剖面照片中，在二维形状为近似圆形的情况下，测定该圆的直径，在为近似椭圆形的情况下，测定该椭圆的短径，在为近似正方形的情况下，测定该正方形的边的长度，在为近似长方形的情况下，测定该长方形的短边的长度。

(2)平均空孔直径的测定方法

“平均空孔直径”是使用扫描型电子显微镜(sem)观察随机选择的10～20个空孔直径的剖面形状并计测，采用其平均值。

(3)空隙率的测定方法

空隙率的测定可以利用透射型电子显微镜(tem)拍摄电子显微镜照片，利用其剖面图像的分析来确定。另外，空孔尺寸小于100nm时的空隙率是通过利用超薄切片机法进行薄片化而用透射型电子显微镜(tem)观察测定。

其后，如图6所示，进行将基板40的端子部(未图示)的前端与半导体元件2上的电极焊盘(未图示)用焊线60电连接的丝焊工序。作为焊线60，例如使用金线、铝线或铜线等。进行丝焊时的温度优选为80℃以上，更优选为120℃以上，该温度优选为250℃以下，更优选为175℃以下。另外，其加热时间进行数秒～数分钟(例如1秒～1分钟)。接线是通过在以达到所述温度范围内的方式加热的状态下并用基于超声波的振动能量和基于施加加压的压接能量而进行。

接下来，进行利用密封树脂70将半导体元件2密封的密封工序。本工序是为了保护搭载于基板40的半导体元件2、焊线60而进行。本工序通过将密封用的树脂用模具成型而进行。作为密封树脂70，例如使用环氧系的树脂。树脂密封时的加热温度优选为165℃以上，更优选为170℃以上，加热温度优选为185℃以下，更优选为180℃以下。

根据需要，也可以对密封物进一步加热(后固化工序)。由此，可以将密封工序中固化不足的密封树脂70完全地固化。加热温度可以适当地设定。由此，可以制造半导体装置100。

需要说明的是，上述的例子中，在将半导体元件2的没有形成电路的背面与基板40接合的情况下使用了接合膜，然而并不限定于此，也可以在将半导体元件2的形成有电路的表面与基板40接合(所谓的倒装芯片安装)的情况下使用接合膜。

实施例

下面，对本发明的实施例进行说明，然而本发明并不限定于这些实施例。

(i)铜微粒以及铜微粒浆料的制备

将铜微粒70质量％和有机分散介质30质量％混炼，制备出导电性浆料，所述铜微粒是在水溶液中利用来自铜离子的无电解还原制备，平均一次粒径为150nm，所述有机分散介质包含混合溶剂(相当于有机溶剂(s1))95质量％和作为有机粘结剂的乙基纤维素(平均分子量1000000)5质量％，所述混合溶剂由作为有机溶剂的丙三醇40体积％、n－甲基乙酰胺55体积％、以及三乙胺5体积％构成。

(ii)银微粒以及银微粒浆料的制备

将平均一次粒径100nm的银微粒(sigmaaldrichjapan合同会社制、型号：730777)70质量％和有机分散介质30质量％混炼，制备出导电性浆料，所述有机分散介质包含混合溶剂(相当于有机溶剂(s1))95质量％和作为有机粘结剂的乙基纤维素(平均分子量1000000)5质量％，所述混合溶剂由作为有机溶剂的丙三醇40体积％、n－甲基乙酰胺55体积％、以及三乙胺5体积％构成。

在载置台上，配置脱模膜(50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜)，在其上配置350μm厚且在中央部具有6英寸的圆形的开口的sus制的间隔件，在面向间隔件的开口部的脱模膜上，载置上述的导电性浆料5.0g，使用刮板进行丝网印刷并压延导电性浆料，成形为圆形的片形。然后，除去间隔件后，在非活性气氛中在110℃进行15分钟预干燥，制作出导电性接合层。

另外，向聚甘油10质量％中混合甲醇90质量％，将聚甘油稀释而制备出粘性层组合物。

然后，在加热到50℃的热板上在导电性接合层上以使干燥后的膜厚为2μm的方式利用喷涂法涂布上述的粘性层组合物，在50℃干燥180秒，形成粘性层。如此所述地操作，得到接合膜。

另一方面，如下所示地制作出粘合膜。使丙烯酸丁酯65重量份、丙烯酸2－羟基乙酯25重量份、丙烯酸10重量份进行自由基聚合，滴加甲基丙烯酸2－异氰酸根合乙酯并使之反应，向所合成的重均分子量80万的丙烯酸类共聚物中加入作为固化剂的多异氰酸酯3重量份、作为光聚合引发剂的1－羟基－环己基－苯基－酮1重量份并混合，制成粘合剂层组合物。将所制作的粘合剂层组合物以使干燥膜厚为10μm的方式涂布于膜(基材膜以外的涂布用膜)上，在120℃干燥3分钟。之后，将涂布于该膜上的粘合剂层组合物转印到作为基材膜的厚100μm的聚丙烯－弹性体(pp：hsbr＝80：20的弹性体)树脂膜上，由此制作出粘合膜。

需要说明的是，聚丙烯(pp)使用了日本polychem株式会社制的novatechfg4，氢化苯乙烯丁二烯(hsbr)使用了jsr株式会社制的dynaron1320p。另外，涂布用膜使用了经过硅酮脱模处理的pet膜(帝人：ヒューピレックスs－314、厚25μm)。

其后，在上述粘合膜的粘合剂层上贴合上述接合膜的导电性接合层，得到实施例的晶片加工用胶带。

作为半导体晶片，准备在厚230μm的半导体晶片的表面形成有ti/au＝100nm/200nm的芯片电极层的晶片，作为基板，准备厚1.2mm的调质为半硬质的无氧铜板。将上述实施例的晶片加工用胶带载置于加热到80℃的热板上进行加热，在提高了粘性层与半导体晶片的表面(芯片电极层侧的面)的密合性的状态下将半导体晶片的表面粘贴于粘性层上，其后恢复到室温，在使粘性层冷却固化的状态下使用切割装置(disco公司制、dad340(商品名))与接合膜一起切割为7mm×7mm的半导体芯片。其后，使用高压水银灯的紫外线照射机，从粘合膜的基材膜面侧以使照射量为200mj/cm²的方式进行紫外线照射。然后，使用芯片接合机(canonmachinery株式会社制、cps－6820(商品名))扩张粘合膜，在该状态下将半导体芯片与接合膜一起拾取，将接合膜的导电性接合层侧载置于基板上。

其后，对于上述的半导体芯片、接合膜、基板的层叠体，将以铜微粒浆料形成的导电性接合层在300℃加热60分钟，将以银微粒浆料形成的导电性接合层在250℃加热60分钟，使导电性接合层烧结，制作出20个安装样品。

对安装样品，进行了以在－55℃保持30分钟和在200℃保持30分钟作为1个循环的冷热冲击试验。每100次时取出样品，利用目视检查有无裂纹、剥离。其后，使用超声波显微镜(日立建机株式会社制、mi-scope(商品名))和探针(型号“pq2－13”、50mhz)，从半导体芯片侧照射超声波，利用反射法进行剥离的测定。将剥离面积大于10％的安装样品判定为故障。使用了本实施例的晶片加工用胶带的接合膜的安装样品无论是以铜微粒形成的、还是以银微粒形成的，直至判定为故障为止的tct次数均为1000次以上，是可靠性高的结果。

另外，通过使用本实施例的晶片加工用胶带，可以同时地切割半导体晶片和接合膜，此外，可以将切割后的半导体芯片与接合膜一起拾取而载置于基板上，因此可以简便地进行安装工序。

符号说明

2半导体元件，10晶片加工用胶带，11脱模膜，12粘合膜，12a基材膜，12b粘合剂层，13接合膜，13a导电性接合层，13b粘性层，40基板。