本发明涉及保护涂料技术领域，尤其涉及一种pet膜的防指纹硬化涂料及其制备方法。
背景技术
触控屏是一种先进的电子输入设备，具有简单便捷，反应速度快等优势。pet薄膜因其优异的机械性、耐热性和高透过率而广泛的使用于触控屏保护膜，但pet表面硬度较低且膜表面会有水、汗渍残留，既影响屏幕表面美观度，又易造成触控点的判断错误，因此需在pet薄膜表面涂覆保护涂层或功能性涂层以完善保护膜的性能。
技术实现要素：
本发明旨在解决现有技术的不足，而提供一种有效防止指纹、污物残留的pet膜的防指纹硬化涂料及其制备方法。
本发明为实现上述目的，采用以下技术方案：一种pet膜的防指纹硬化涂料，包括以下原料，聚氨酯甲基丙烯酸酯低聚物，2-苯氧基乙基丙烯酸酯，三缩四丙二醇双丙烯酸酯，异丙基硫杂蒽酮，芳烷基改性聚甲基烷基硅氧烷，甲基丙烯酸六氟丁酯，乙酸乙酯。
优选地：包括以下重量份数的原料，
优选地：包括以下重量份数的原料，
本发明为实现上述目的，采用以下技术方案：一种pet膜的防指纹硬化涂料的制备方法，包括以下步骤，
(1)称取各原料；
(2)将聚氨酯甲基丙烯酸酯低聚物、2-苯氧基乙基丙烯酸酯、三缩四丙二醇双丙烯酸酯、异丙基硫杂蒽酮混合，得物质a；
(3)将芳烷基改性聚甲基烷基硅氧烷和甲基丙烯酸六氟丁酯混合，得物质b；
(4)将物质a与物质b搅拌，然后加入乙酸乙酯混合且过滤。
优选地：步骤(4)的搅拌速度为600-700r/min。
本发明的有益效果是：本发明中以2-苯氧基乙基丙烯酸酯和三缩四丙二醇双丙烯酸酯作为活性稀释剂，以异丙基硫杂蒽酮作光引发剂，以芳烷基改性聚甲基烷基硅氧烷作硅助剂，以甲基丙烯酸六氟丁酯作氟助剂，将聚氨酯甲基丙烯酸酯低聚物与光引发剂、活性稀释剂、助剂混合后，用乙酸乙酯调节混合液粘度，其中硅助剂与氟助剂的加入可防止指纹、汗渍、污物的残留，且当硅助剂与氟助剂的重量比为1﹕1左右时，其防残留效果最佳。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步说明：
本发明包括以下原料，聚氨酯甲基丙烯酸酯低聚物，2-苯氧基乙基丙烯酸酯，三缩四丙二醇双丙烯酸酯，异丙基硫杂蒽酮，芳烷基改性聚甲基烷基硅氧烷，甲基丙烯酸六氟丁酯，乙酸乙酯。
其中包括以下重量份数的原料，
本发明的制备方法为：包括以下步骤，
(1)称取各原料；
(2)将聚氨酯甲基丙烯酸酯低聚物、2-苯氧基乙基丙烯酸酯、三缩四丙二醇双丙烯酸酯、异丙基硫杂蒽酮混合，得物质a；
(3)将芳烷基改性聚甲基烷基硅氧烷和甲基丙烯酸六氟丁酯混合，得物质b；
(4)将物质a与物质b搅拌，搅拌速度为600-700r/min，然后加入乙酸乙酯混合且过滤。
实施例1，
本发明包括以下重量份数的原料，
本发明的制备方法为：包括以下步骤，
(1)称取各原料；
(2)将聚氨酯甲基丙烯酸酯低聚物、2-苯氧基乙基丙烯酸酯、三缩四丙二醇双丙烯酸酯、异丙基硫杂蒽酮混合，得物质a；
(3)将芳烷基改性聚甲基烷基硅氧烷和甲基丙烯酸六氟丁酯混合，得物质b；
(4)将物质a与物质b搅拌，搅拌速度为650r/min，然后加入乙酸乙酯混合且过滤。
实施例2，
本发明包括以下重量份数的原料，
本发明的制备方法为：包括以下步骤，
(1)称取各原料；
(2)将聚氨酯甲基丙烯酸酯低聚物、2-苯氧基乙基丙烯酸酯、三缩四丙二醇双丙烯酸酯、异丙基硫杂蒽酮混合，得物质a；
(3)将芳烷基改性聚甲基烷基硅氧烷和甲基丙烯酸六氟丁酯混合，得物质b；
(4)将物质a与物质b搅拌，搅拌速度为600r/min，然后加入乙酸乙酯混合且过滤。
实施例3，
本发明包括以下重量份数的原料，
本发明的制备方法为：包括以下步骤，
(1)称取各原料；
(2)将聚氨酯甲基丙烯酸酯低聚物、2-苯氧基乙基丙烯酸酯、三缩四丙二醇双丙烯酸酯、异丙基硫杂蒽酮混合，得物质a；
(3)将芳烷基改性聚甲基烷基硅氧烷和甲基丙烯酸六氟丁酯混合，得物质b；
(4)将物质a与物质b搅拌，搅拌速度为700r/min，然后加入乙酸乙酯混合且过滤。
实施例4，
本发明包括以下重量份数的原料，
本发明的制备方法为：包括以下步骤，
(1)称取各原料；
(2)将聚氨酯甲基丙烯酸酯低聚物、2-苯氧基乙基丙烯酸酯、三缩四丙二醇双丙烯酸酯、异丙基硫杂蒽酮混合，得物质a；
(3)将芳烷基改性聚甲基烷基硅氧烷和甲基丙烯酸六氟丁酯混合，得物质b；
(4)将物质a与物质b搅拌，搅拌速度为680r/min，然后加入乙酸乙酯混合且过滤。
本发明中以2-苯氧基乙基丙烯酸酯和三缩四丙二醇双丙烯酸酯作为活性稀释剂，以异丙基硫杂蒽酮作光引发剂，以芳烷基改性聚甲基烷基硅氧烷作硅助剂，以甲基丙烯酸六氟丁酯作氟助剂，将聚氨酯甲基丙烯酸酯低聚物与光引发剂、活性稀释剂、助剂混合后，用乙酸乙酯调节混合液粘度，其中硅助剂与氟助剂的加入可防止指纹、汗渍、污物的残留，且当硅助剂与氟助剂的重量比为1﹕1左右时，其防残留效果最佳。
上面对本发明进行了示例性描述，显然本发明具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种改进，或未经改进直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围之内。