低指数双面抗静电硅胶保护膜及其制备工艺的制作方法

本发明属于薄膜设备领域，具体涉及一种低指数双面抗静电硅胶保护膜及其制备工艺。

背景技术：

当前，电子产品蓬勃发展，硅胶保护膜的用量每年倍增，电子元件、配件越来越小、智能化组装速度越来越快。在电子产品的生产过程中更容易产生静电。如果组装过程中还使用主流的普通的或背面带抗静电的硅胶保护膜，客户在使用过程中会经常发生静电释放现象，会导致大量电子元件损坏，产品良率和效率大大降低，同时容易引发火灾。

缺陷和不足：

1.有机硅胶涂层导电性能很差，在生产过程中的相互接触和摩擦，会导致静电的累积，当与易导电材料接触的时候，会发生静电释放。

2.当前国内，双面抗静电硅胶保护膜胶面抗静电指数能够做到10⁹-10¹²，而10⁹以内的抗静电保护膜技术还需要开发，抗静电指数不达标，在电子行业应用具有缺陷，容易破坏电子原件，而国内一般客户会选择从国外进口的。

技术实现要素：

为了克服上述问题，本发明提供一种易制备的低指数双面抗静电硅胶保护膜及其制备工艺。

本发明的技术方案是提供一种低指数双面抗静电硅胶保护膜，其包括基材，所述基材两侧面都涂覆有抗静电图层，其中一所述抗静电图层外侧面涂覆有粘合剂图层，所述粘合剂图层外侧粘贴有离型膜，所述粘合剂图层内添加有改善导电性能的纳米碳管，以使得所述粘合剂图层的抗静电指数小于10⁹。

优选的，所述粘合剂图层外侧印有网格形花纹。

优选的，所述粘合剂图层由有机硅胶涂覆制成。

优选的，所述粘合剂图层的抗静电指数在10⁶～10⁸之间。

优选的，未涂覆所述粘合剂图层一侧的所述抗静电图层的抗静电指数在10⁶～10⁸之间。

本发明还提供一种低指数双面抗静电硅胶保护膜制备工艺，其用于制备权利要求1至5其中之一所述的低指数双面抗静电硅胶保护膜，其包括以下步骤：

1）在基材两侧涂覆抗静电图层，并收卷，放入涂布机；

2）配料，按设定的比例将纳米碳管和粘合剂混合，搅拌5-10分钟后，得到抗静电粘合剂，所述抗静电粘合剂经过3um的滤芯进行过滤，并经过300目过滤盘过滤后导入到涂布头中；

3）涂胶，所述基材经过所述涂布头，在一侧的所述抗静电图层涂布所述抗静电粘合剂以获得所述粘合剂图层；

4）经过烘箱进行烘干，烘干时所述粘合剂图层朝上；

5）印花，通过网纹辊对所述粘合剂图层进行印花，以在所述粘合剂图层表面形成网纹形花纹。

6）收卷。

优选的，所述步骤1）中包括，对所述抗静电图层进行抗静电值检测，选择抗静电值较低的一侧所述抗静电图层进行步骤3）的涂胶处理。

优选的，所述步骤2）中，将所述抗静电粘合剂倒入到料槽中，使用蠕动泵给所述涂布头供料，供料过程中，持续使用超声波搅拌器对所述抗静电粘合剂进行搅拌。

优选的，所述步骤2）中使用110目、180目和300目过滤盘叠加后，将所述抗静电粘合剂倒入到料槽。

本发明的低指数双面抗静电硅胶保护膜通过在有机硅胶胶水中加入适量的纳米碳管材料，改善有机硅胶涂层的导电性，并使有机硅涂层中的碳管呈空间网状交联的结构，促使硅胶表面和原膜基材表层的抗静电涂层衔接，以获得低指数的双面抗静电硅胶保护膜。

附图说明

图1是本发明最佳实施例的低指数双面抗静电硅胶保护膜的结构示意图;

图2是制备工艺的流程示意图。

具体实施方式

下面对本发明的具体实施方式作进一步详细的描述。

如图1所示，本发明提供一种低指数双面抗静电硅胶保护膜，其包括基材10，基材10两侧面都涂覆有抗静电图层12，其中一抗静电图层12外侧面涂覆有粘合剂图层14，粘合剂图层14外侧粘贴有离型膜16，粘合剂图层14内添加有改善导电性能的纳米碳管，以使得粘合剂图层14的抗静电指数在10⁶～10⁸之间，未涂覆粘合剂图层14一侧的抗静电图层12的抗静电指数也在10⁶～10⁸之间。纳米碳管采用高导电1-3层的高导电纳米碳管，碳管长度12um。目的碳管长度太长容易产生保护膜杂质点，太短不容易变成抗静电的通路。

粘合剂图层14由有机硅胶涂覆制成，粘合剂图层14外侧印有网格形花纹18，以使得纳米碳管在其中呈网状交联的结构，从而提高导电性能，降低抗静电指数。本发明在胶水（粘合剂图层14）下面采用了防静电涂层，配合纳米碳管形成电子移动通路，提高了抗静电效果。以上方案完美解决了让绝缘的硅胶层变成了抗静电的硅胶层。此外，网格形花纹18有助于在去除离型膜16后，进行粘贴时进行导气，从而使得粘连更平整和牢固。

如图2所示，本发明还提供一种低指数双面抗静电硅胶保护膜制备工艺，其包括以下步骤：

1）在基材两侧涂覆抗静电图层，并在涂布机20的放料卷30上收卷；

2）配料，按设定的比例将纳米碳管和粘合剂混合，搅拌5-10分钟后，得到抗静电粘合剂，抗静电粘合剂经过3um的滤芯进行过滤，并经过300目过滤盘过滤后导入到涂布头22下方的涂布槽32中；

3）涂胶，基材经过涂布头，在一侧的抗静电图层涂布抗静电粘合剂以获得粘合剂图层；

4）经过烘箱24进行烘干，烘干时粘合剂图层朝上；

5）印花，通过网纹辊26对粘合剂图层进行印花，以在粘合剂图层表面形成网纹形花纹。

6）收卷，通过收卷辊28进行收卷。

进一步地，步骤1）中包括，对抗静电图层进行抗静电值检测，选择抗静电值较低的一侧抗静电图层进行步骤3）的涂胶处理。

进一步地，步骤2）中，将抗静电粘合剂倒入到料槽中，使用蠕动泵给涂布头供料，供料过程中，持续使用超声波搅拌器对抗静电粘合剂进行搅拌。

进一步地，步骤2）中使用110目、180目和300目过滤盘叠加后，将抗静电粘合剂倒入到料槽。

以上实施例仅为本发明其中的一种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

技术特征：

1.低指数双面抗静电硅胶保护膜，其包括基材，其特征在于：所述基材两侧面都涂覆有抗静电图层，其中一所述抗静电图层外侧面涂覆有粘合剂图层，所述粘合剂图层外侧粘贴有离型膜，所述粘合剂图层内添加有改善导电性能的纳米碳管，以使得所述粘合剂图层的抗静电指数小于10⁹。

2.根据权利要求1所述的低指数双面抗静电硅胶保护膜，其特征在于：所述粘合剂图层外侧印有网格形花纹。

3.根据权利要求1所述的低指数双面抗静电硅胶保护膜，其特征在于：所述粘合剂图层由有机硅胶涂覆制成。

4.根据权利要求1所述的低指数双面抗静电硅胶保护膜，其特征在于：所述粘合剂图层的抗静电指数在10⁶～10⁸之间。

5.根据权利要求1所述的低指数双面抗静电硅胶保护膜，其特征在于：未涂覆所述粘合剂图层一侧的所述抗静电图层的抗静电指数在10⁶～10⁸之间。

6.一种低指数双面抗静电硅胶保护膜制备工艺，其用于制备权利要求1至5其中之一所述的低指数双面抗静电硅胶保护膜，其特征在于，其包括以下步骤：

1）在基材两侧涂覆抗静电图层，并收卷，放入涂布机；

2）配料，按设定的比例将纳米碳管和粘合剂混合，搅拌5-10分钟后，得到抗静电粘合剂，所述抗静电粘合剂经过3um的滤芯进行过滤，并经过300目过滤盘过滤后导入到涂布头中；

3）涂胶，所述基材经过所述涂布头，在一侧的所述抗静电图层涂布所述抗静电粘合剂以获得所述粘合剂图层；

4）经过烘箱进行烘干，烘干时所述粘合剂图层朝上；

5）印花，通过网纹辊对所述粘合剂图层进行印花，以在所述粘合剂图层表面形成网纹形花纹；

6）收卷。

7.根据权利要求6所述的制备工艺，其特征在于：所述步骤1）中包括，对所述抗静电图层进行抗静电值检测，选择抗静电值较低的一侧所述抗静电图层进行步骤3）的涂胶处理。

8.根据权利要求6所述的制备工艺，其特征在于：所述步骤2）中，将所述抗静电粘合剂倒入到料槽中，使用蠕动泵给所述涂布头供料，供料过程中，持续使用超声波搅拌器对所述抗静电粘合剂进行搅拌。

9.根据权利要求8所述的制备工艺，其特征在于：所述步骤2）中使用110目、180目和300目过滤盘叠加后，将所述抗静电粘合剂倒入到料槽。

技术总结
本发明公开了低指数双面抗静电硅胶保护膜及其制备工艺，其包括基材，所述基材两侧面都涂覆有抗静电图层，其中一所述抗静电图层外侧面涂覆有粘合剂图层，所述粘合剂图层外侧粘贴有离型膜，所述粘合剂图层内添加有改善导电性能的纳米碳管，以使得所述粘合剂图层的抗静电指数小于109。本发明的低指数双面抗静电硅胶保护膜通过在有机硅胶胶水中加入适量的纳米碳管材料，改善有机硅胶涂层的导电性，并使有机硅涂层中的碳管呈空间网状交联的结构，促使硅胶表面和原膜基材表层的抗静电涂层衔接，以获得低指数的双面抗静电硅胶保护膜。

技术研发人员：钱晓春
受保护的技术使用者：苏州美艾仑新材料科技有限公司
技术研发日：2019.12.30
技术公布日：2020.04.28