量子点、发光元件和包括该发光元件的显示装置

量子点、发光元件和包括该发光元件的显示装置
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求在2020年8月28日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2020-0108921号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
3.本文的本公开涉及一种量子点、一种包括该量子点的发光元件和一种包括该发光元件的显示装置。


背景技术：

4.正在开发用于诸如电视机、移动电话、平板计算机、导航系统和/或游戏机的多媒体装置的各种显示装置。在这样的显示装置中，利用通过使包含有机化合物的发光材料发光来实现显示的、所谓的自发光显示元件。
5.此外，利用量子点作为发光材料的发光元件的开发正在努力提高显示装置的颜色再现性，并且需要增加利用量子点的发光元件的使用寿命(例如，寿命)和发光效率。


技术实现要素：

6.根据本公开的实施例的方面针对一种具有改善的发光效率的量子点，该量子点包括核层和壳层并且具有在核层与壳层之间的受控的晶格常数差。
7.根据本公开的实施例的方面还针对一种包括量子点的发光元件和一种包括该发光元件的显示装置，量子点包含核层和壳层并且具有在核层与壳层之间的受控的晶格常数差，从而表现出改善的元件使用寿命和发光效率。
8.根据本公开的实施例，量子点包括第一核层以及围绕第一核层的壳层，其中，第一核层与壳层之间的晶格常数之差是3％或更小。
9.第一核层可以包括第13族元素和第15族元素，并且壳层可以包括第12族元素和第16族元素。
10.量子点可以进一步包括第一核层与壳层之间的第二核层，第二核层围绕第一核层。
11.第二核层可以包括第13族元素和第15族元素，并且第一核层可以包括第二核层中包括的所有元素并且可以进一步包括至少一种第13族元素。
12.第一核层的厚度可以大于第二核层的厚度。
13.第一核层的厚度可以是大约1nm至大约2nm，并且第二核层的厚度可以是大约0nm至大约1nm。
14.壳层与第二核层之间的晶格常数之差可以是4％或更大。
15.壳层的厚度可以大于第二核层的厚度。
16.壳层的厚度可以是1nm或更大。
17.壳层可以包括由下面的式3表示的化合物。
18.式3
19.efzf'
1-z
20.在上面的式3中，e是第12族元素，f和f'每个各自是第16族元素，并且z是0至1的实数。
21.壳层可以包括znsezs
1-z
，并且z可以是0至1的实数。
22.第二核层可以包括由下面的式1表示的化合物，并且第一核层可以包括由下面的式2表示的化合物。
23.式1
24.ab
25.式2
26.a
1-y
(a'
x
a”1-x
)
yb27.在上面的式1和式2中，a、a'和a”每个各自是第13族元素，b是第15族元素，并且x和y每个是大于0且小于1的实数。
28.第一核层可以包括in
1-y
(ga
x
al
1-x
)yp，第二核层可以包括inp，并且x和y每个可以各自是大于0且小于1的实数。
29.在本公开的实施例中，一种发光元件，包括：第一电极、在第一电极上的空穴传输区、在空穴传输区上并且包括多个量子点的发射层、在发射层上的电子传输区以及在电子传输区上的第二电极，其中，多个量子点每个包括第一核层、围绕第一核层的第二核层和围绕第二核层的壳层，并且第一核层与壳层之间的晶格常数之差是3％或更小。
30.第一核层和第二核层每个可以各自包括第13族元素和第15族元素，并且壳层可以包括第12族元素和第16族元素。
31.第一核层的厚度可以是大约1nm至大约2nm，第二核层的厚度可以是大约0nm至大约1nm，并且壳层的厚度可以是1nm或更大。
32.在本公开的实施例中，一种显示装置，包括：显示面板；以及在显示面板上并且包括至少一个光控制单元的光转换层，至少一个光控制单元包含量子点，其中，量子点每个包括第一核层和围绕第一核层的壳层，并且壳层与第一核层之间的晶格常数之差是3％或更小。
33.显示面板可以包括被配置为生成第一光的发光元件，并且光转换层可以包括：被配置为透射第一光的第一光控制单元、被配置为将第一光转换为第二光的第二光控制单元以及被配置为将第一光转换为第三光的第三光控制单元。
34.显示装置可以进一步包括围绕第一核层并且在第一核层与壳层之间的第二核层。
35.显示装置可以进一步包括在光转换层上的滤色器层，其中，滤色器层可以包括被配置为透射第一光的第一滤光器、被配置为透射第二光的第二滤光器以及被配置为透射第三光的第三滤光器。
附图说明
36.包括附图以提供对本公开的进一步理解，并且附图被并入本说明书中且构成本说明书的一部分。附图图示本公开的实施例，并且与描述一起用于说明本公开的原理。
37.在附图中：
38.图1是实施例的电子装置的透视图；
39.图2是实施例的电子装置的分解透视图；
40.图3是与图2的线i-i’相对应的、根据实施例的显示装置的截面图；
41.图4是实施例的发光元件的截面图；
42.图5是示出根据实施例的量子点的截面图；
43.图6是根据实施例的量子点的吸收和发射光谱；
44.图7是测量根据实施例和比较例的发光元件的效率的曲线图；
45.图8是根据实施例的显示装置的一部分的放大平面图；
46.图9是根据实施例的显示装置的截面图；
47.图10是根据另一实施例的显示装置的一部分的放大平面图；并且
48.图11是根据另一实施例的显示装置的截面图。
具体实施方式
49.本公开可以以多种替代形式进行修改，并且因此，将在附图中图示并且更详细地描述具体实施例。然而，应当理解，本公开不旨在将本公开限制为所公开的特定形式，而是旨在涵盖落入本公开的精神和范围内的所有修改、等同物和替代。
50.在本描述中，当元件(或区域、层、部分等)被称为在另一元件“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件时，它指的是该元件可以直接布置在另一元件上/直接连接到另一元件/直接耦接到另一元件，或者第三元件可以布置在其间。
51.同时，在本公开中，术语“直接布置”指的是在层、膜、区域和/或板等的一部分与其他部分之间没有添加的层、膜、区域和/或板等。例如，“直接布置”可以指在两层或两个构件之间没有诸如粘合构件的附加构件的布置。
52.相同的附图标记指的是相同的元件。另外，在附图中，为了技术内容的有效描述，可能夸大了元件的厚度、比率和尺寸。
53.术语“和/或”包括一个或多个关联的配置可以定义的所有组合。
54.将理解，尽管术语“第一”、“第二”等可以在本文用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离本公开的示例实施例的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。除非上下文另外清楚地指示，否则单数形式的术语可以包括复数形式。
55.此外，诸如“下面”、“下部”、“上面”和/或“上部”等的术语用于描述附图中所示的配置的关系。术语用作相对概念，并且参考附图中所指示的方向进行描述。
56.除非另外限定，否则本文所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还要理解，常用词典中限定的术语应该被解释为具有与相关领域上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过度正式的意义解释，除非本文明确地如此限定。
57.应理解，术语“包括”或“具有”旨在规定在本公开中所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件、部件或其组合的存在，但不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在或添加。
58.在下文中，将参考附图描述根据本公开的实施例的量子点组合物、包括该量子点的发光元件和包括该发光元件的显示装置。
59.图1是实施例的电子装置ea的透视图。图2是实施例的电子装置ea的分解透视图。图3是与图2的线i-i’相对应的、根据实施例的显示装置dd的截面图。图4是实施例的发光元件ed的截面图。
60.在实施例中，电子装置ea可以是诸如电视机、监视器和/或户外广告牌的大型电子装置。此外，电子装置ea可以是诸如个人计算机、膝上型计算机、个人数字终端、汽车导航单元、游戏机、智能手机、平板电脑和/或相机的小型和/或中型电子装置。然而，这些仅作为示例呈现，并且因此，在不脱离本公开的主题的情况下，可以将其用于其他电子装置。在本实施例中，将智能手机被图示为电子装置ea。
61.电子装置ea可以包括显示装置dd和外壳hau。显示装置dd可以通过显示表面is显示图像im，并且用户可以观看通过与电子装置ea的前表面fs相对应的透射区域ta提供的图像。图像im可以包括静止图像以及动态图像。图1图示前表面fs平行于由第一方向dr1以及与第一方向dr1交叉(例如，正交或垂直)的第二方向dr2限定的平面。然而，这是作为示例呈现的，并且在另一实施例中，电子装置ea的前表面fs可以具有弯曲形状。
62.在电子装置ea的前表面fs的法线(例如，垂直)方向(也就是说，电子装置ea的厚度方向)之中，其中显示图像im的方向由第三方向dr3指示。各个构件的前表面(或上表面)和后表面(或下表面)可以由第三方向dr3限定。
63.第四方向dr4(见图8)可以是第一方向dr1与第二方向dr2之间的方向。第四方向dr4可以位于与由第一方向dr1和第二方向dr2限定的平面平行的平面上。同时，第一方向至第四方向dr1、dr2、dr3和dr4指示的方向是相对概念，并且因此，可以改变为其他方向。
64.在一些实施例中，电子装置ea可以包括具有折叠区域和非折叠区域的可折叠显示装置或者具有至少一个弯折部分的弯折显示装置。
65.电子装置ea可以包括显示装置dd和外壳hau。在电子装置ea中，前表面fs可以与显示装置dd的前表面相对应，并且可以与窗口wp的前表面相对应。因此，电子装置ea的前表面、显示装置dd的前表面和窗口wp的前表面将被给予相同的附图标记fs。
66.外壳hau可以容纳显示装置dd。外壳hau可以被布置为覆盖显示装置dd，使得作为显示装置dd的显示表面is的上表面被暴露。外壳hau可以覆盖显示装置dd的侧表面和底表面，并且暴露整个上表面。然而，本公开的实施例不限于此，并且外壳hau可以覆盖显示装置dd的上表面的一部分以及侧表面和底表面。
67.在实施例的电子装置ea中，窗口wp可以包括光学透明绝缘材料。窗口wp可以包括透射区域ta和边框区域bza。窗口wp的前表面fs(包括透射区域ta和边框区域bza的前表面fs)与电子装置ea的前表面fs相对应。
68.在图1和图2中，透射区域ta被示出为具有圆形顶点的矩形形状。然而，这只是作为示例呈现的，并且透射区域ta可以具有各种合适的形状并且不限于任何一个实施例。
69.透射区域ta可以是光学透明区域。边框区域bza可以是具有比透射区域ta相对更低的透光率的区域。边框区域bza可以具有设定颜色或预定颜色。边框区域bza可以与透射区域ta邻近并且围绕透射区域ta。边框区域bza可以限定透射区域ta的形状。然而，本公开的实施例不限于所图示的一个实施例，并且边框区域bza可以被设置为仅与透射区域ta的
一侧邻近，或者可以省略其一部分。
70.显示装置dd可以被布置在窗口wp下面。在本说明书中，术语“下面”可以指示与其中显示装置dd提供图像的方向相反的方向。
71.在实施例中，显示装置dd可以基本上被配置为生成图像im。在显示装置dd中生成的图像im被显示在显示表面is上，并且由用户从外部通过透射区域ta观看。显示装置dd包括显示区域da和非显示区域nda。显示区域da可以是根据电信号被激活的区域。非显示区域nda可以是被边框区域bza覆盖的区域。非显示区域nda与显示区域da邻近。非显示区域nda可以围绕显示区域da。
72.参考图3，显示装置dd可以包括显示面板dp和布置在显示面板dp上的光控制层pp。显示面板dp可以包括显示元件层dp-el。显示元件层dp-el包括发光元件ed。
73.光控制层pp可以被布置在显示面板dp上以控制由于外部光而从显示面板dp反射的光，例如，控制由显示面板dp反射的外部光。光控制层pp可以包括例如偏振层和/或滤色器层。
74.在实施例的显示装置dd中，显示面板dp可以是发光显示面板。例如，显示面板dp可以是包括量子点发光元件的量子点发光显示面板。然而，本公开的实施例不限于此。
75.显示面板dp可以包括基底基板bs、布置在基底基板bs上的电路层dp-cl和布置在电路层dp-cl上的显示元件层dp-el。
76.基底基板bs可以是提供其上布置有显示元件层dp-el的基底表面的构件。基底基板bs可以是玻璃基板、金属基板、塑料基板等。然而，本公开的实施例不限于此，并且基底基板bs可以是无机层、有机层或复合材料层。基底基板bs可以是可以被容易地弯折或折叠的柔性基板。
77.在实施例中，电路层dp-cl可以被布置在基底基板bs上，并且可以包括多个晶体管。晶体管每个可以包括控制电极、输入电极和输出电极。例如，电路层dp-cl可以包括开关晶体管和驱动晶体管以驱动显示元件层dp-el的发光元件ed。
78.图4是示出根据实施例的发光元件ed的截面图，并且参考图4，根据实施例的发光元件ed包括第一电极el1、面对第一电极el1的第二电极el2和布置在第一电极el1与第二电极el2之间并且包括发射层eml的多个功能层。
79.多个功能层可以包括布置在第一电极el1与发射层eml之间的空穴传输区htr和布置在发射层eml与第二电极el2之间的电子传输区etr。同时，在实施例中，覆盖层可以进一步设置在第二电极el2上。
80.空穴传输区htr和电子传输区etr每个可以包括多个子功能层。例如，空穴传输区htr可以包括作为子功能层的空穴注入层hil和空穴传输层htl，并且电子传输区etr可以包括作为子功能层的电子注入层eil和电子传输层etl。然而，本公开的实施例不限于此，并且空穴传输区htr可以进一步包括作为子功能层的电子阻挡层，而电子传输区etr可以进一步包括作为子功能层的空穴阻挡层。
81.在根据实施例的发光元件ed中，第一电极el1具有导电性。第一电极el1可以由金属合金或导电化合物形成。在一些实施例中，第一电极el1可以是阳极。第一电极el1可以是像素电极。
82.在根据实施例的发光元件ed中，第一电极el1可以是反射电极。然而，本公开的实
施例不限于此。例如，第一电极el1可以是透射电极，或者可以是透反射电极。当第一电极el1是透反射电极或反射电极时，第一电极el1可以包括ag、mg、cu、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、lif、mo、ti、其化合物或其混合物(例如，ag和mg的混合物)，或具有诸如lif/ca或lif/al的多层结构的材料。可替代地，第一电极el1可以具有包括由上述作为示例的材料形成的反射膜或透反射膜和由氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟锡锌(itzo)等形成的透明导电膜的多层结构。例如，第一电极el1可以是多层金属膜，并且可以具有ito/ag/ito的金属膜的堆叠结构。
83.空穴传输区htr被提供在第一电极el1上。空穴传输区htr可以包括空穴注入层hil、空穴传输层htl等。此外，除了空穴注入层hil和空穴传输层htl之外，空穴传输区htr可以进一步包括空穴缓冲层或电子阻挡层中的至少一个。空穴缓冲层可以根据从发射层eml发射的光的波长来补偿共振距离，并且因此可以提高发光效率。可以包括在空穴传输区htr中的材料可以用作包括在空穴缓冲层中的材料。电子阻挡层是用于防止或基本上防止电子从电子传输区etr注入到空穴传输区htr的层。
84.空穴传输区htr可以具有由单一材料形成的单层、由多种不同的材料形成的单层或者包括由多种不同的材料形成的多个层的多层结构。例如，空穴传输区htr可以具有由多种不同的材料形成的单层结构或者其中空穴注入层hil/空穴传输层htl、空穴注入层hil/空穴传输层htl/空穴缓冲层、空穴注入层hil/空穴缓冲层、空穴传输层htl/空穴缓冲层或者空穴注入层hil/空穴传输层htl/电子阻挡层被按所述顺序从第一电极el1堆叠的结构，但是本公开的实施例不限于此。
85.空穴传输区htr可以利用诸如真空沉积法、旋涂法、浇铸法、langmuir-blodgett(lb)法、喷墨打印法、激光打印法和/或激光诱导热成像(liti)法的各种合适的方法形成。
86.空穴注入层hil可以包括例如酞菁化合物(例如，酞菁铜)、n,n
’‑
二苯基-n,n
’‑
双[4-(苯基-间甲苯基-氨基)-苯基]-联苯-4,4
’‑
二胺(dntpd)、4,4’,4
”‑
[三(3-甲基苯基)苯基氨基]三苯胺](m-mtdata)、4,4’,4
”‑
三(n,n-二苯基胺基)三苯胺(tdata)、4,4’,4
”‑
三{n-(2-萘基)-n-苯基氨基)-三苯胺(2-tnata)、聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pedot/pss)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚苯胺/磺酸樟脑(pani/csa)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pani/pss)、n,n
’‑
二(萘-l-基)-n,n
’‑
二苯基-联苯胺(npd)、含三苯胺的聚醚酮(tpapek)、4-异丙基-4
’‑
甲基二苯基碘酸四(五氟苯基)硼酸盐、二吡嗪[2,3-f:2’,3
’‑
h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六碳腈(hat-cn)等。
[0087]
空穴传输层htl可以包括任何合适的材料(例如，本领域已知的一般材料)。空穴传输层htl可以进一步包括例如咔唑类衍生物(例如，n-苯基咔唑和聚乙烯咔唑)、氟类衍生物、n,n
’‑
双(3-甲基苯基)-n,n
’‑
二苯基-[1,1-联苯]-4,4
’‑
二胺(tpd)、三苯胺类衍生物(例如4,4',4
”‑
三(n-咔唑基)三苯胺(tcta))、n,n
’‑
二(萘-l-基)-n,n
’‑
二苯基联苯胺(npd)、4,4'-亚环己基双[n,n-双(4-甲基苯基)苯胺](tapc)、4,4'-双[n,n'-(3-甲苯基)氨基]-3,3'-二甲基联苯(hmtpd)、1,3-双(n-咔唑基)苯(mcp)等。
[0088]
空穴传输区htr可以具有大约5nm至大约1500nm(例如，大约10nm至大约500nm)的厚度。空穴注入层hil可以具有例如大约3nm至大约100nm的厚度，并且空穴传输层htl可以具有大约3nm至大约100nm的厚度。例如，电子阻挡层可以具有大约1nm至大约100nm的厚度。当空穴传输区htr、空穴注入层hil、空穴传输层htl和电子阻挡层的厚度满足上述范围时，
可以在不显著增加驱动电压的情况下，获得令人满意的电子注入特性。
[0089]
发射层eml被提供在空穴传输区htr上。发射层eml包括多个量子点qd。
[0090]
包括在发射层eml中的量子点qd可以被堆叠以形成层。例如，在图4中，具有圆形截面的量子点qd被设置为形成两层，但是本公开的实施例不限于此。例如，量子点qd的设置可以根据发射层eml的厚度、包括在发射层eml中的量子点qd的形状和量子点qd的平均直径而变化。例如，在发射层eml中，量子点qd可以被排列成行以彼此邻近从而形成单层，或者可以被排列成行以形成诸如两层或三层的多个层。稍后将通过下面的图5至图7更详细地描述根据实施例的量子点qd。
[0091]
此外，在实施例的发光元件ed中，发射层eml可以包括主体和掺杂剂。在实施例中，发射层eml可以包括作为掺杂剂材料的量子点qd。此外，在实施例中，发射层eml可以进一步包括主体材料。
[0092]
同时，在实施例的发光元件ed中，发射层eml可以发射荧光。例如，量子点qd可以用作荧光掺杂剂材料。
[0093]
在实施例的发光元件ed中，电子传输区etr被提供在发射层eml上。电子传输区etr可以包括选自空穴阻挡层、电子传输层etl和电子注入层eil中的至少一种，但是本公开的实施例不限于此。
[0094]
电子传输区etr可以具有由单一材料形成的单层、由多种不同的材料形成的单层或者包括由多种不同的材料形成的多个层的多层结构。
[0095]
例如，电子传输区etr可以具有电子注入层eil或电子传输层etl的单层结构，并且可以具有由电子注入材料和电子传输材料形成的单层结构。此外，电子传输区etr可以具有由多种不同的材料形成的单层结构，或者可以具有其中电子传输层etl/电子注入层eil或者空穴阻挡层/电子传输层etl/电子注入层eil被按所述顺序从发射层eml堆叠的结构，但是本公开不限于此。电子传输区etr的厚度可以例如是从大约20nm至大约150nm。
[0096]
电子传输区etr可以利用诸如真空沉积法、旋涂法、浇铸法、langmuir-blodgett(lb)法、喷墨打印法、激光打印法、激光诱导热成像(liti)法等的各种合适的方法形成。
[0097]
当电子传输区etr包括电子传输层etl时，电子传输区etr可以包括基于蒽的化合物。然而，本公开的实施例不限于此，并且电子传输区etr可以包括例如三(8-羟基喹啉酸)铝(alq3)、1,3,5-三[(3-吡啶基)-酚-3-基]苯、2,4,6-三(3
’‑
(吡啶-3-基)联苯-3-基)-1,3,5-三嗪、双[2-(二苯基膦基)苯基]醚氧化物(dpepo)、2-(4-(n-苯基苯并咪唑基-1-基苯基)-9,10-二萘基蒽、1,3,5-三(1-苯基-1h-苯并[d]咪唑-2-基)苯(tpbi)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(taz)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4h-1,2,4-三唑(ntaz)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑(tbu-pbd)、双(2-甲基-8-喹啉-n1,o8)-(1,1
’‑
联苯-4-醇)铝(balq)、双(苯并喹啉-10-羟基)铍(bebq2)、9,10-二(萘-2-基)蒽(dna)或其混合物。电子传输层etl的厚度可以是从大约10nm至大约100nm，并且可以例如是从大约15nm至大约50nm。当电子传输层etl的厚度满足上述范围时，可以在不显著增加驱动电压的情况下，获得令人满意的电子传输特性。
[0098]
当电子传输区etr包括电子注入层eil时，电子传输区etr可以包括卤化金属(诸如，lif、nacl、csf、yb、rbcl和/或rbi)、镧系金属(诸如，yb)、金属氧化物(诸如，li2o和/或
bao)和/或喹啉锂(liq)，但是本公开的实施例不限于此。电子注入层eil还可以由电子传输材料和绝缘(例如，非导电)有机金属盐的混合材料形成。有机金属盐可以包括例如金属乙酸盐、金属苯甲酸盐、金属乙酰乙酸盐、金属乙酰丙酮酸盐和/或金属硬脂酸盐。电子注入层eil的厚度可以是大约0.1nm至大约10nm或者大约0.3nm至大约9nm。当电子注入层eil的厚度满足上述范围时，可以在不显著增加驱动电压的情况下，获得令人满意的电子注入特性。
[0099]
如上所述，电子传输区etr可以包括空穴阻挡层。空穴阻挡层可以包括例如2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)或4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)中的至少一种，但是本公开不限于此。
[0100]
第二电极el2被提供在电子传输区etr上。第二电极el2可以是公共电极或阴极。第二电极el2可以是透射电极、透反射电极或反射电极。当第二电极el2是透射电极时，第二电极el2可以由透明金属氧化物(例如，氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟锡锌(itzo)等)形成。
[0101]
当第二电极el2是透反射电极或反射电极时，第二电极el2可以包括ag、mg、cu、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、lif/ca、lif/al、mo、ti、yb、其化合物(例如，agyb、根据量的agmg和mgag的化合物等)或其混合物(例如，ag和mg的混合物)。在实施例中，第二电极el2可以具有包括由上述材料形成的反射膜或透反射膜和由氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟锡锌(itzo)等形成的透明导电膜的多层结构。
[0102]
在一些实施例中，第二电极el2可以与辅助电极连接。当第二电极el2与辅助电极连接时，第二电极el2的电阻可以降低。
[0103]
图5是示出实施例的量子点qd的截面图。图6是根据实施例的量子点qd的吸收和发射光谱。图7是测量根据实施例和比较例的发光元件的效率的曲线图。
[0104]
参考图5，根据实施例的量子点qd包括第一核层co1和围绕(例如，包围)第一核层co1的壳层sh，并且第一核层co1与壳层sh之间的晶格常数之差是3％或更小。在实施例中，第一核层co1与壳层sh之间的晶格常数之差为1％或更小。在量子点qd中，第一核层co1和壳层sh每个具有根据其中的材料确定(例如，根据形成各个层的材料确定)的晶格常数值。根据本公开的实施例的量子点qd将第一核层co1与壳层sh之间的晶格常数之差控制为3％或更小，以控制诸如在形成量子点qd的过程中可能引起的每一层的界面变形的可能降低发光效率的因素。
[0105]
在实施例中，量子点qd可以进一步包括围绕(例如，包围)第一核层co1并且布置在第一核层co1与壳层sh之间的第二核层co2。在这种情况下，壳层sh可以围绕第二核层co2。此外，在一些实施例中，量子点qd可以进一步包括结合到其表面的配体。
[0106]
第一核层co1可以包括中央部分crp，并且第一核层co1的厚度r可以指示从中央部分crp到第一核层co1的表面的平均距离。如图4中所示，当量子点qd具有球形形状时，第一核层co1的厚度r可以是球的半径。然而，本实施例不具体限于此，并且例如，量子点qd可以是金字塔形或多臂量子点，或者呈立方纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维、纳米颗粒等形式。
[0107]
在实施例中，第一核层co1的厚度r可以大于第二核层co2的厚度l。第二核层co2的厚度l可以指示从第一核层co1的表面到第二核层co2的表面的平均距离。例如，第一核层co1的厚度r可以是大约1nm至大约2nm。
[0108]
在实施例中，第二核层co2的厚度l可以是大约0nm至大约1nm。当第二核层co2的厚度l是0nm时，可以指示不存在第二核层co2。当量子点qd包括第二核层co2时，第二核层co2的厚度l可以是大约0.01nm至大约1nm。
[0109]
量子点qd的壳层sh可以用作保护层以减少或防止核层co1和co2的化学变形以便保持半导体特性，和/或用作充电层以将电泳特性赋予量子点qd。
[0110]
在实施例中，壳层sh与第二核层co2之间的晶格常数之差可以是4％或更大。
[0111]
在实施例中，壳层sh的厚度h可以大于第二核层co2的厚度l。壳层sh的厚度h可以指示从第二核层co2的表面到壳层sh的表面的平均距离。例如，壳层sh的厚度h可以是1nm或更大。此外，壳层sh的厚度h的上限没有具体限制，并且例如可以是10nm或更小。
[0112]
在实施例的量子点qd中，壳层sh可以包括金属氧化物、非金属氧化物、半导体化合物或其组合。金属氧化物或非金属氧化物可以例如是诸如sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4和/或nio的二元化合物或者诸如mgal2o4、cofe2o4、nife2o4和/或comn2o4的三元化合物，但是本公开的实施例不限于此。此外，半导体化合物可以例如是cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp、alsb等，但是本公开的实施例不限于此。
[0113]
在实施例中，壳层sh可以包括第12族(即，第ii族)元素和第16族(即，第vi族)元素。例如，壳层sh可以包括由下面的式3表示的化合物。
[0114]
式3
[0115]
efzf'
1-z
[0116]
在上面的式3中，e是第12族元素，f和f'每个各自是第16族元素，并且z是0至1。例如，f和f'彼此不同，并且z是实数。
[0117]
在实施例中，壳层sh可以包括znsezs
1-z
。这里，z与式3中所定义的相同。
[0118]
在实施例的量子点qd中，第一核层co1和/或第二核层co2可以是可以选自第12-16族(即，第ii-vi族)化合物、第13-16族(即，第iii-vi族)化合物、第13-15族(即，第iii-v族)化合物、第14-16族(即，第iv-vi族)化合物、第14族(即，第iv族)元素、第14族(即，第iv族)化合物及其组合的半导体纳米晶体。
[0119]
第12-16族化合物可以选自由以下组成的组：选自由cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse、mgs组成的组的二元化合物及其混合物；选自由cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse、mgzns组成的组的三元化合物及其混合物；以及选自由cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete、hgznste组成的组的四元化合物及其混合物。
[0120]
第13-16族化合物可以包括二元化合物(诸如，in2s3和/或in2se3)、三元化合物(诸如，ingas3和/或ingase3)或其任何组合。
[0121]
第13-15族化合物可以选自由以下组成的组：选自由gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb组成的组的二元化合物及其混合物；选自由ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、inalp、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp组成的组的三元化合物及其混合物；以及选自由gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、ingaalp、
inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas、inalpsb组成的组的四元化合物及其混合物。第13-15族半导体化合物可以进一步包括第12族金属(例如，inznp等)。
[0122]
第14-16族化合物可以选自由以下组成的组：选自由sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte组成的组的二元化合物及其混合物；选自由snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte组成的组的三元化合物及其混合物；以及选自由snpbsse、snpbsete、snpbste组成的组的四元化合物及其混合物。第14族元素可以选自由si、ge组成的组及其混合物。第14族化合物可以是选自由sic、sige组成的组的二元化合物及其混合物。
[0123]
第11-13-16族(即，第i-iii-vi族)半导体化合物可以包括诸如agins、agins2、cuins、cuins2、cugao2、aggao2、agalo2的三元化合物或其任何组合。
[0124]
二元化合物、三元化合物或四元化合物可以以均匀的浓度分布存在于颗粒中，或者可以以部分不同的浓度分布(例如，以非均匀的浓度分布)存在于同一颗粒中。核层co1和co2与壳层sh之间的界面可以具有其中存在于壳层sh中的元素的浓度向量子点的中心变低的浓度梯度。
[0125]
在实施例中，量子点qd的第一核层co1和第二核层co2可以包括第13族(即，第iii族)元素和第15族(即，第v族)元素。当第二核层co2包括第13族的一种元素和第15族的一种元素时，第一核层co1可以包括第二核层co2中包括的第13族和第15族的所有元素，并且可以进一步包括至少一种第13族元素。例如，第二核层co2可以包括由下面的式1表示的化合物，并且第一核层co1可以包括由下面的式2表示的化合物。
[0126]
式1
[0127]
ab
[0128]
式2
[0129]a1-y
(a'
x
a”1-x
)
yb[0130]
在式1和式2中，a、a'和a”每个各自是第13族元素，b是第15族元素，并且x和y每个各自大于0且小于1。例如，a、a'和a”彼此不同，并且x、y每个各自是实数。
[0131]
在一些实施例中，第二核层co2可以包括选自由gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb组成的组的二元化合物及其混合物。第一核层co1可以包括：选自由ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、inalp、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp组成的组的三元化合物及其混合物；或选自由gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、ingaalp、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas、inalpsb组成的组的四元化合物及其混合物。在实施例中，第二核层co2可以包括inp，并且第一核层co1可以包括in
1-y
(ga
x
al
1-x
)yp。这里，x和y与式2中所定义的相同。
[0132]
在根据实施例的量子点qd中，当壳层sh包括第12族元素和第16族元素(例如，znse)时，晶格常数可以是大约并且当第一核层co1包括两种或更多种第13族元素和一种第15族元素(例如，in
1-y
(ga
x
al
1-x
)yp)时，晶格常数可以是大约至大约并且因此，晶格常数之差可以(例如，基于壳层的晶格常数)被控制在3％以内。当第二核层co2包括一种第13族的元素和一种第15族的元素(例如，inp)时，晶格常数可以是大约并且
第二核层co2与壳层sh之间的晶格常数之差可以(例如，基于壳层的晶格常数)是4％或更大。
[0133]
量子点qd可以具有大约45nm或更小(例如，大约40nm或更小或者大约30nm或更小)的发光波长光谱的半高宽(fwhm)，并且当fwhm在上面的范围内时，可以提高颜色纯度或颜色再现性。此外，通过这种量子点发射的光在所有方向上发射，并且因此，可以改善宽视角。也就是说，可以获得更宽的视角。
[0134]
量子点qd可以根据其粒径来控制发射的光的颜色，并且因此，量子点qd可以具有诸如蓝色、红色、绿色等的各种合适的发光颜色。量子点qd的粒径越小，发射的光可以具有的波长越短。例如，在具有相同的核的量子点qd中，发射绿光的量子点的粒径可以小于发射红光的量子点的粒径。此外，在具有相同的核的量子点qd中，发射蓝光的量子点的粒径可以小于发射绿光的量子点的粒径。然而，本公开的实施例不限于此，并且即使在具有相同的核的量子点qd中，也可以根据形成材料和壳的厚度来调整粒径。
[0135]
在一些实施例中，当量子点qd具有诸如蓝色、红色、绿色等的多种合适的发光颜色时，具有不同的发光颜色的量子点qd可以具有不同的核材料。在图6中，示出了发光(pl强度)光谱。除了壳层的厚度不同之外，示例量子点sa1至sa4每个具有带有1.4nm的厚度的包含in
0.84
al
0.16
p的第一核层、带有0.3nm的厚度的包含inp的第二核层和包含znse的壳层。具体地，示例量子点1sa1具有带有1nm的厚度的壳层，示例量子点2sa2具有带有2nm的厚度的壳层，示例量子点3sa3具有带有3nm的厚度的壳层，并且示例量子点4sa4的具有带有3.5nm的厚度的壳层。
[0136]
参考图6，发现尽管壳层的厚度增大，但是示例量子点sa1至sa4的吸收和发射光谱保持十分相似。因此，尽管壳层的厚度增大，但是根据实施例的量子点qd可以通过保持合适的吸收和发光强度来提供大尺寸的稳定量子点，并且可以根据需要提供各种合适尺寸的量子点。
[0137]
图7是测量示例1-2的发光元件ex1和ex2以及比较例的发光元件r1中壳层的厚度h增大时的发光效率(pl qy)的曲线图。示例1的发光元件ex1包括具有包含in
0.84
al
0.16
p的第一核层、包含inp的第二核层和包含znse的壳层的量子点，示例2的发光元件ex2包括具有包含in
0.54
ga
0.46
p的第一核层、包含inp的第二核层和包含znse的壳层的量子点，并且比较例的发光元件r1包括包含inp的核层和包含znse的壳层。在示例1-2两者和比较例中，其他构造都相同。
[0138]
参考图7，发现在比较例的发光元件r1中，发光效率pl qy随着壳层的厚度h的增大而迅速降低。同时，发现在示例1-2的发光元件ex1和ex2中的每一个中，尽管壳层的厚度h增大，但是发光效率pl qy相对地被保持(例如，被相对恒定地保持)。在不受任何具体理论的束缚的情况下，要理解的是，这(例如，可能)是因为当仅包括与壳层具有大的晶格常数之差的核层时，由于壳层的厚度增大，可能会引起(例如，产生)颗粒应力，并且在层之间的界面的错位部分处可能会引起(例如，产生)变形等，导致量子点的缺陷从而降低发光效率。同时，根据实施例的量子点包括与壳层具有小的晶格常数之差的内核层，从而尽管壳层的厚度增大，但是仍减少或防止可能在量子点中引起的缺陷，从而保持高效率。
[0139]
图8是根据实施例的显示装置dd的一部分的放大平面图。图9是根据实施例的显示装置dd的截面图。图9示出了与图8的线ii-ii’相对应的部分。图10是根据另一实施例的显
示装置的一部分的放大平面图。图11是根据另一实施例的显示装置dd-1的截面图。图10示出根据本公开的实施例的显示面板的显示区域da的一部分。图11示出与图10的线ii-ii’相对应的部分。
[0140]
参考图8至图11，显示装置dd可以包括非发光区域npxa以及发光区域pxa-b、pxa-g和pxa-r。发光区域pxa-b、pxa-g和pxa-r中的每一个可以是分别发射从发光元件ed-1、ed-2和ed-3中的每一个生成的光的区域。在平面上(例如，当从方向dr3观察时)，发光区域pxa-b、pxa-g和pxa-r可以彼此间隔开。
[0141]
发光区域pxa-b、pxa-g和pxa-r可以根据从发光元件ed-1、ed-2和ed-3生成的光的颜色而被分成多个组。在图8至图11中所图示的实施例的显示装置dd和dd-1中，分别发射蓝光、绿光和红光的三个发光区域pxa-b、pxa-g和pxa-r作为示例被图示。例如，实施例的显示装置dd和dd-1可以包括彼此不同(例如，分开)的蓝色发光区域pxa-b、绿色发光区域pxa-g和红色发光区域pxa-r。
[0142]
参考图8，蓝色发光区域pxa-b和红色发光区域pxa-r可以在第一方向dr1上交替设置以形成第一组pxg1。绿色发光区域pxa-g可以在第一方向dr1上设置以形成第二组pxg2。第一组pxg1和第二组pxg2可以在第二方向dr2上间隔开。第一组pxg1和第二组pxg2中的每一个可以提供多个。第一组pxg1和第二组pxg2可以在第二方向dr2上交替设置。一个绿色发光区域pxa-g可以被布置为在第四方向dr4上与一个蓝色发光区域pxa-b或一个红色发光区域pxa-r间隔开。第四方向dr4可以是第一方向dr1与第二方向dr2之间的方向。图8中示出的发光区域pxa-b、pxa-g和pxa-r的设置结构可以称为结构。
[0143]
在另一实施例中，参考图10，在发光区域pxa-r、pxa-b和pxa-g之中，红色发光区域pxa-r和绿色发光区域pxa-g可以具有围绕在方向dr2上延伸的参考轴对称的形状，并且蓝色发光区域pxa-b可以被布置在红色发光区域pxa-r和绿色发光区域pxa-g之间。当从第一方向dr1观察时，蓝色发光区域pxa-b的一部分可以不与红色发光区域pxa-r和绿色发光区域pxa-g重叠。
[0144]
然而，本公开的实施例不限于此，并且发光区域pxa-r、pxa-b和pxa-g可以具有诸如多边形形状或圆形形状的各种合适的形状，并且发光区域的设置结构也不受具体限制。例如，在实施例中，发光区域pxa-b、pxa-g和pxa-r可以具有其中蓝色发光区域pxa-b、绿色发光区域pxa-g和红色发光区域pxa-r可以沿第一方向dr1交替设置的条纹结构。
[0145]
参考图9，多个发光元件ed-1、ed-2和ed-3可以以不同的波长范围发光。例如，在实施例中，显示装置dd可以包括发射蓝光的第一发光元件ed-1、发射绿光的第二发光元件ed-2和发射红光的第三发光元件ed-3。然而，本公开的实施例不限于此，并且第一发光元件至第三发光元件ed-1、ed-2和ed-3可以以同一波长范围发光或者以至少一个不同的波长范围发光。
[0146]
例如，显示装置dd的蓝色发光区域pxa-b、绿色发光区域pxa-g和红色发光区域pxa-r可以分别与第一发光元件ed-1、第二发光元件ed-2和第三发光元件ed-3相对应。
[0147]
实施例的显示装置dd可以包括多个发光元件ed-1、ed-2和ed-3，并且选自发光元件ed-1、ed-2和ed-3中的至少一个可以包括包含根据实施例的量子点qd1、qd2和qd3的发射层eml-b、eml-g和eml-r。
[0148]
此外，实施例的显示装置dd可以包括具有多个发光元件ed-1、ed-2和ed-3的显示
面板dp和布置在显示面板dp上的光控制层pp。在一些实施例中，与附图中所示的实施例不同，在实施例的显示装置dd中可以省略光控制层pp。
[0149]
显示面板dp可以包括基底基板bs、提供在基底基板bs上的电路层dp-cl和布置在电路层dp-cl上的显示元件层dp-el。显示元件层dp-el可以包括像素限定膜pdl、布置在像素限定膜pdl之间的发光元件ed-1、ed-2和ed-3以及布置在发光元件ed-1、ed-2和ed-3上的封装层tfe。
[0150]
第一发光元件ed-1的第一发射层eml-b可以包括第一量子点qd1。第一量子点qd1可以发射作为第一光的蓝光。
[0151]
第二发光元件ed-2的第二发射层eml-g和第三发光元件ed-3的第三发射层eml-r可以分别包括第二量子点qd2和第三量子点qd3。第二量子点qd2和第三量子点qd3可以分别发射作为第二光的绿光和作为第三光的红光。
[0152]
选自第一量子点至第三量子点qd1、qd2和qd3中的至少一个可以是根据上述实施例的量子点。在实施例中，第二量子点qd2可以是根据上述实施例的量子点。然而，本公开的实施例不限于此，并且第一量子点至第三量子点qd1、qd2和qd3每个可以是根据上述实施例的量子点。
[0153]
在实施例中，包括在发光元件ed-1、ed-2和ed-3中的第一量子点至第三量子点qd1、qd2和qd3可以由不同的核材料形成。在实施例中，第一量子点至第三量子点qd1、qd2和qd3可以由相同的核材料形成，或者选自第一量子点至第三量子点qd1、qd2和qd3中的两个量子点可以由相同的核材料形成，而其余的量子点可以由不同的核材料形成。
[0154]
在实施例中，第一量子点至第三量子点qd1、qd2和qd3可以具有不同的直径。例如，在以相对更短的波长范围发光的第一发光元件ed-1中利用的第一量子点qd1可以具有比每个以相对更长的波长范围发光的第二发光元件ed-2的第二量子点qd2和第三发光元件ed-3的第三量子点qd3相对更小的平均直径。
[0155]
在本描述中，平均直径指的是多个量子点颗粒的直径的算术平均值。同时，量子点颗粒的直径可以是量子点颗粒在横截面中的宽度的平均值。
[0156]
第一量子点至第三量子点qd1、qd2和qd3的平均直径的关系不限于上面的限制。也就是说，图9图示第一量子点至第三量子点qd1、qd2和qd3在尺寸上彼此相似，但与所图示的尺寸不同，包括在发光元件ed-1、ed-2和ed-3中的第一量子点至第三量子点qd1、qd2和qd3的尺寸可以不同。此外，选自第一量子点至第三量子点qd1、qd2和qd3的两个量子点的平均直径可以相似，而其余的量子点可以不同。
[0157]
在图8和图10中所示的实施例的显示装置dd中，发光区域pxa-b、pxa-g和pxa-r的面积每个可以彼此不同。在这种情况下，面积可以指的是在由第一方向dr1和第二方向dr2限定的平面上(例如，在平面图中)观查时的面积。
[0158]
根据从发光元件ed-1、ed-2和ed-3的发射层eml-b、eml-g和eml-r发射的光的颜色，发光区域pxa-b、pxa-g和pxa-r可以具有不同的面积。例如，参考图8和图10，在实施例的显示装置dd中，与发射蓝光的第一发光元件ed-1相对应的蓝色发光区域pxa-b可以具有最大的面积，而与生成绿光的第二发光元件ed-2相对应的绿色发光区域pxa-g可以具有最小的面积。然而，本公开的实施例不限于此，并且发光区域pxa-b、pxa-g和pxa-r可以发射蓝光、绿光和红光之外的光，或者发光区域pxa-b、pxa-g和pxa-r每个可以具有相同的面积，或
者可以以与图8中所示的面积比不同的面积比来提供发光区域pxa-b、pxa-g和pxa-r。
[0159]
发光区域pxa-b、pxa-g和pxa-r中的每一个可以是由像素限定膜pdl分开的区域。非发光区域npxa可以是相邻的发光区域pxa-b、pxa-g和pxa-r之间的区域，并且可以与像素限定膜pdl相对应。在本描述中，发光区域pxa-b、pxa-g和pxa-r中的每一个可以与像素相对应。像素限定膜pdl可以将发光元件ed-1、ed-2和ed-3分开。发光元件ed-1、ed-2和ed-3的发射层eml-b、eml-g和eml-r可以在由像素限定膜pdl限定的各个开口oh中布置并且分开。
[0160]
像素限定膜pdl可以由聚合物树脂形成。例如，像素限定膜pdl可以由聚丙烯酸酯类树脂和/或聚酰亚胺类树脂形成。此外，除了聚合物树脂之外，像素限定膜pdl可以通过进一步包括无机材料而形成。在一些实施例中，像素限定膜pdl可以被形成为包括光吸收材料，和/或可以被形成为包括黑色颜料和/或黑色染料。被形成为包括黑色颜料和/或黑色染料的像素限定膜pdl可以实现黑色像素限定膜。在形成像素限定膜pdl时，可以利用炭黑作为黑色颜料和/或黑色染料，但是本公开的实施例不限于此。
[0161]
此外，像素限定膜pdl可以由无机材料形成。例如，像素限定膜pdl可以由氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氮氧化硅(sio
x
ny)等形成。像素限定膜pdl可以限定发光区域pxa-b、pxa-g和pxa-r。发光区域pxa-b、pxa-g和pxa-r以及非发光区域npxa可以被像素限定膜pdl分开。
[0162]
发光元件ed-1、ed-2和ed-3中的每一个可以包括第一电极el1、空穴传输区htr、发射层eml-b、eml-g或eml-r、电子传输区etr和第二电极el2。除了在实施例的显示装置dd中包括的发光元件ed-1、ed-2和ed-3中，包括在发射层eml-b、eml-g和eml-r中的第一量子点至第三量子点qd1、qd2和qd3彼此不同之外，结合图4的描述可以等同地被应用于第一电极el1、空穴传输区htr、电子传输区etr和第二电极el2。在一些实施例中，发光元件ed-1、ed-2和ed-3中的每一个可以进一步包括第二电极el2与封装层tfe之间的覆盖层。
[0163]
封装层tfe可以覆盖发光元件ed-1、ed-2和ed-3。封装层tfe可以是单层或多层的堆叠。封装层tfe可以是薄膜封装层。封装层tfe保护发光元件ed-1、ed-2和ed-3。封装层tfe可以覆盖布置在开口oh中的第二电极el2的上表面，并且可以填充开口oh。
[0164]
在图9中，空穴传输区htr和电子传输区etr被图示为在覆盖像素限定膜pdl的同时被作为公共层提供，但是本公开的实施例不限于此。在实施例中，空穴传输区htr和电子传输区etr可以(例如，仅)被布置在由像素限定膜pdl限定的开口oh中。
[0165]
例如，当除了发射层eml-b、eml-g和eml-r之外，空穴传输区htr和电子传输区etr通过喷墨打印法提供时，空穴传输区htr、发射层eml-b、eml-g和eml-r、电子传输区etr等可以被提供为与在像素限定层pdl之间(或在像素限定层pdl内)限定的开口oh相对应。然而，本公开的实施例不限于此，并且如图9中所示，空穴传输区htr和电子传输区etr可以在不被图案化的情况下覆盖像素限定层pdl，并且被提供为一个公共层而不论提供每个功能层的方法如何。
[0166]
在图9中所图示的实施例的显示装置dd中，尽管第一发光元件至第三发光元件ed-1、ed-2和ed-3的发射层eml-b、eml-g和eml-r的厚度被图示为彼此相似，但是本公开的实施例不限于此。例如，在实施例中，第一发光元件至第三发光元件ed-1、ed-2和ed-3的发射层eml-b、eml-g和eml-r的厚度可以彼此不同。
[0167]
参考图9，实施例的显示装置dd可以进一步包括光控制层pp。光控制层pp可以阻挡
(来自显示装置dd外部)的外部光从入射到显示面板dp。在一些实施例中，光控制层pp可以阻挡外部光的一部分。光控制层pp可以执行减少或最小化由于外部光引起的反射的抗反射功能。
[0168]
在图9中所图示的实施例中，光控制层pp可以包括滤色器层cfl。也就是说，实施例的显示装置dd可以进一步包括布置在显示面板dp的发光元件ed-1、ed-2和ed-3上的滤色器层cfl。
[0169]
在实施例的显示装置dd中，光控制层pp可以包括基底层bl和滤色器层cfl。
[0170]
基底层bl可以是提供其上布置有滤色器层cfl的基底表面的构件。基底层bl可以是玻璃基板、金属基板、塑料基板等。然而，本公开的实施例不限于此，并且基底层bl可以是无机层、有机层或复合材料层。
[0171]
滤色器层cfl可以包括遮光单元bm和滤色器cf。滤色器cf可以包括多个滤光器cf-b、cf-g和cf-r。也就是说，滤色器层cfl可以包括被配置为透射第一光的第一滤光器cf-b、被配置为透射第二光的第二滤光器cf-g和被配置为透射第三光的第三滤光器cf-r。例如，第一滤光器cf-b可以是蓝色滤光器，第二滤光器cf-g可以是绿色滤光器，并且第三滤光器cf-r可以是红色滤光器。
[0172]
滤光器cf-b、cf-g和cf-r中的每一个可以包括聚合物光敏树脂以及颜料和/或染料。第一滤光器cf-b可以包括蓝色颜料和/或蓝色染料，第二滤光器cf-g可以包括绿色颜料和/或绿色染料，并且第三滤光器cf-r可以包括红色颜料和/或红色染料。
[0173]
本公开的实施例不限于此，并且第一滤光器cf-b可以不包括颜料或染料。第一滤光器cf-b可以包括聚合物光敏树脂，但是不包括颜料或染料。在一些实施例中，第一滤光器cf-b可以是透明的。第一滤光器cf-b可以由透明光敏树脂形成。
[0174]
遮光单元bm可以是黑矩阵。遮光单元bm可以由有机遮光材料或无机遮光材料形成，有机遮光材料或无机遮光材料两者都包括黑色颜料和/或黑色染料。遮光单元bm可以减少或防止漏光，并且分开邻近的滤光器cf-b、cf-g和cf-r之间的边界。
[0175]
滤色器层cfl可以进一步包括缓冲层bfl。例如，缓冲层bfl可以是保护滤光器cf-b、cf-g和cf-r的保护层。缓冲层bfl可以是包括选自氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一种无机材料的无机材料层。缓冲层bfl可以由单层或多层形成。
[0176]
在图9中所示的实施例中，滤色器层cfl的第一滤光器cf-b被图示为与第二滤光器cf-g和第三滤光器cf-r重叠，但是本公开的实施例不限于此。例如，第一滤光器至第三滤光器cf-b、cf-g和cf-r可以被遮光单元bm分开并且可以不彼此重叠。同时，在实施例中，第一滤光器至第三滤光器cf-b、cf-g和cf-r中的每一个可以被布置为与蓝色发光区域pxa-b、绿色发光区域pxa-g和红色发光区域pxa-r中的每一个相对应。
[0177]
与图9中所示的不同，实施例的显示装置dd可以包括作为光控制层pp的偏振层，而不是滤色器层cfl。偏振层可以阻挡从外部提供到显示面板dp的外部光。在一些实施例中，偏振层可以阻挡外部光的一部分。
[0178]
此外，偏振层可以减少由于外部光而在显示面板dp中生成的反射光。也就是说，偏振层可以减少由显示面板dp反射的外部光。例如，在从显示装置dd的外部提供的光入射到显示面板dp并且再次出射的情况下，偏振层可以起到阻挡反射光的作用。偏振层可以是具有抗反射功能的圆偏振器(例如，圆偏振滤光器)，或者偏振层可以包括线性偏振器和λ/4相
位延迟器。同时，偏振层可以被布置在基底层bl上以被暴露(例如，到外部)或者偏振层可以被布置在基底层bl下面。
[0179]
参考图11，实施例的显示装置dd-1可以包括布置在显示面板dp-1上的光转换层ccl。此外，根据实施例的显示装置dd-1可以进一步包括滤色器层cfl。滤色器层cfl可以被布置在基底层bl与光转换层ccl之间。
[0180]
显示面板dp-1可以是发光显示面板。例如，显示面板dp-1可以是有机电致发光显示面板或量子点发光显示面板。
[0181]
显示面板dp-1可以包括基底基板bs、提供在基底基板bs上的电路层dp-cl和布置在电路层dp-cl上的显示元件层dp-el1。
[0182]
显示元件层dp-el1包括发光元件ed-a，并且发光元件ed-a可以包括彼此面对的第一电极el1和第二电极el2以及布置在第一电极el1与第二电极el2之间的多个层ol。多个层ol可以包括空穴传输区htr(图4)、发射层eml(图4)和电子传输区etr(图4)。封装层tfe可以进一步被布置在发光元件ed-a上。
[0183]
在发光元件ed-a中，与参考图4的描述相同的描述可以被应用于第一电极el1、空穴传输区htr、电子传输区etr和第二电极el2。然而，在实施例的显示面板dp-1中包括的发光元件ed-a中，发射层eml可以包括作为有机电致发光材料的主体和掺杂剂，或者可以包括根据上述实施例的量子点。在实施例的显示面板dp-1中，发光元件ed-a可以发射蓝光。
[0184]
光转换层ccl可以包括彼此间隔开布置的多个隔断墙bk和布置在隔断墙bk之间的光控制单元ccp-b、ccp-g和ccp-r。隔断墙bk可以由聚合物树脂和着色添加剂形成。隔断墙bk可以由吸光材料形成，或者由颜料和/或染料形成。例如，隔断墙bk可以被形成为包括黑色颜料和/或黑色染料以实现黑色隔断墙。在形成黑色隔断墙时，可以利用炭黑等作为黑色颜料和/或黑色染料，但是本公开的实施例不限于此。
[0185]
光转换层ccl可以包括被配置为透射第一光的第一光控制单元ccp-b、包括将第一光转换为第二光的第四量子点qd2-a的第二光控制单元ccp-g和包括将第一光转换为第三光的第五量子点qd3-a的第三光控制单元ccp-r。与第一光相比，第二光可以是更长波长范围的光，并且与第一光和第二光中的每一个相比，第三光可以是更长波长范围的光。例如，第一光可以是蓝光，第二光可以是绿光，并且第三光可以是红光。量子点qd2-a和qd3-a中的任何一个可以被包括在光控制单元ccp-b、ccp-g和/或ccp-r中，可以应用与根据上述实施例的量子点的一个描述相同的描述。
[0186]
光转换层ccl可以进一步包括覆盖层cpl。覆盖层cpl可以被布置在光控制单元ccp-b、ccp-g和ccp-r以及隔断墙bk上。覆盖层cpl可以用于减少或防止湿气和/或氧气(在下文中，被称为“湿气/氧气”)的渗透。覆盖层可以被布置在光控制单元ccp-b、ccp-g和ccp-r上以防止或基本上防止光控制单元ccp-b、ccp-g和ccp-r暴露到湿气/氧气。覆盖层cpl可以包括至少一个无机层。
[0187]
实施例的显示装置dd-1可以包括布置在光转换层ccl上的滤色器层cfl，并且结合图9的描述可以等同地被应用于滤色器层cfl和基底层bl。
[0188]
实施例的量子点包括第一核层和壳层，并且第一核层与壳层之间的晶格常数之差被控制为3％或更小，并且因此，可以保持高发光效率而不论壳层的厚度如何。
[0189]
实施例的发光元件和显示装置可以包括发射层中的具有改善的稳定性的量子点，
从而表现出改善的发光效率和元件使用寿命。
[0190]
当诸如“中的至少一个”或“选自
…
的至少一个”的表达在元件列表之后时，修饰整个元件列表而不修饰列表的单个元件。进一步，当描述本发明的实施例时，“可以”的使用指的是“本发明的一个或多个实施例”。
[0191]
如本文所使用的，术语“基本上”、“大约”和类似术语被用作近似术语而不用作程度术语，并且旨在说明本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。另外，本文所叙述的任何数值范围旨在包括包含在所叙述的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括在1.0的所叙述的最小值和10.0的所叙述的最大值之间(并且包括1.0的所叙述的最小值和10.0的所叙述的最大值)的所有子范围，也就是说，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，诸如，例如2.4至7.6。本文所叙述的任何最大数值限制旨在包括在其中包含的所有更小数值限制，并且本说明书中所叙述的任何最小数值限制旨在包括在其中包含的所有更高数值限制。因此，申请人保留修改包括权利要求的本说明书的权利，以明确叙述本文明确叙述的范围内所包含的任何子范围。
[0192]
尽管已经参考本公开的优选实施例描述了本公开，但是将理解，本公开不应限于这些优选实施例，而是可以由本领域技术人员进行各种改变和修改而不脱离本公开的精神和范围。
[0193]
因此，本公开的技术范围不旨在限于说明书的详细描述中所阐述的内容，而是旨在由所附权利要求及其等效物限定。