量子点薄膜、量子点发光二极管及其制备方法、显示装置与流程

本发明涉及显示领域，具体涉及一种量子点薄膜、量子点发光二极管及其制备方法、显示装置。

背景技术：

1、以无机量子点作为电致发光材料的自发光qled(quantum dot light-emittingdiode，量子点电致发光半导体)器件具有色域覆盖广、色纯度高、超薄轻便、可弯折卷曲等优势，因此已经收到学术与产业界的广泛关注。

2、目前红绿光qled的外量子效率和寿命已经可以和有机电致发光器件相媲美。但是，蓝光qled的器件性能，尤其是寿命仍旧远远落后。因此，如何进一步提高蓝光qled器件寿命是qled现阶段真正实现商业化的关键技术问题。当前技术通过对不同量子点薄膜材料进行选择，以制备出不同外量子效率的qled器件。其中，使用一类量子点薄膜材料制备的qled器件具有较高的外量子效率，然而此类qled器件的实测寿命往往很低；使用另一类量子点薄膜材料制备的qled器件具有较高的实测寿命，然而此类qled器件又具有较低的外量子效率。因此，现有的量子点薄膜材料制备的qled器件在具有高外量子点效率特性的同时，难以具有高实测寿命的特性。

3、综上所述，确有必要来开发一种量子点薄膜、量子点发光二极管及其制备方法、显示装置，以克服现有技术的缺陷。

技术实现思路

1、本技术实施例提供一种量子点薄膜、量子点发光二极管及其制备方法、显示装置，可以改善现有的量子点薄膜材料制备的qled器件在具有高外量子点效率特性的同时，难以具有高实测寿命的特性的技术问题。

2、本技术实施例提供一种量子点薄膜，包括第一量子点、第二量子点、以及结合在所述第一量子点和/或者所述第二量子点表面的第一配体；

3、其中，所述第一配体用于将所述第一量子点产生的第一激子与所述第二量子点产生的第二激子堆叠。

4、可选的，在本技术的一些实施例中，单独使用所述第一量子点制备的第一量子点发光二极管的外量子效率大于或等于10％，且所述第一量子点发光二极管的亮度在1000nit下的实测寿命小于或者等于1h；单独使用所述第二量子点制备的第二量子点发光二极管的亮度在1000nit下的实测寿命在1h至20h之间；

5、可选的，在本技术的一些实施例中，，所述第一配体包括苯基二硫代氨基甲酸酯以及1,3-二甲基-4,5-二取代咪唑亚基n-杂环卡宾中的任意一种。

6、可选的，在本技术的一些实施例中，所述第一配体占所述量子点发光层的质量百分比范围为2％至15％。

7、可选的，在本技术的一些实施例中，所述第一量子点或者所述第二量子点分别独立地选自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete、hgznste、gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb、ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、innp、innas、innsb、inpas、inpsb、gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas、inalpsb、sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte、snpbsse、snpbsete以及snpbste中的至少一种；所述第一量子点的材料与所述第二量子点的材料不同。

8、可选的，在本技术的一些实施例中，所述第一量子点与所述第二量子点的质量比范围在1:10至1：1之间。

9、可选的，在本技术的一些实施例中，所述量子点发光二极管还包括：衬底、设置于所述衬底上的阳极、设置于所述阳极上的空穴注入层、设置于所述空穴注入层上的空穴传输层、设置于所述空穴传输层上电子传输层以及设置于所述空穴传输层上的电子传输层；

10、其中，所述量子点发光二极管还包括由如上任一项所述量子点薄膜制备的量子点发光层，所述量子点发光层设置于所述空穴传输层与所述电子传输层之间。

11、可选的，在本技术的一些实施例中，所述空穴注入层的材料包括聚(亚乙基二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐、聚(9,9-二辛基-芴-共-n-(4-丁基苯基)-二苯基胺)、多芳基胺、聚(n-乙烯基咔唑)、聚苯胺、聚吡咯、n,n,n',n'-四(4-甲氧基苯基)-联苯胺、4-双[n-(1-萘基)-n-苯基-氨基]联苯、4,4',4”-三[苯基(间-甲苯基)氨基]三苯基胺、4,4',4”-三(n-咔唑基)-三苯基胺、1,1-双[(二-4-甲苯基氨基)苯基环己烷、掺杂有四氟-四氰基-醌二甲烷的4,4',4”-三(二苯基氨基)三苯胺、p-掺杂酞菁、掺杂有四氟-四氰基-醌二甲烷的n,n′-二苯基-n,n′-二(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4″-二胺以及六氮杂苯并菲-己腈中的任意一种；

12、所述空穴传输层的材料包括芳基胺、聚苯胺、聚吡咯、聚(对)亚苯基亚乙烯基及其衍生物、铜酞菁、芳香族叔胺、多核芳香叔胺、4,4'-双(对咔唑基)-1,1'-联苯化合物、n,n,n',n'-四芳基联苯胺、聚(亚乙基二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐及其衍生物；聚(n-乙烯基咔唑)及其衍生物、聚甲基丙烯酸酯及其衍生物、聚(9,9-辛基芴)及其衍生物、聚(螺芴)及其衍生物、n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二苯基联苯胺以及螺npb中的至少一种。

13、所述电子传输层的材料包括第一无机材料或者第一有机材料，所述第一无机材料包括未掺杂或用al、mg、in、li、ga、cd、cs或cu掺杂的氧化物、未掺杂或用al、mg、in、li、ga、cd、cs或cu掺杂的半导体颗粒、以及氮化物中的至少一种；所述第一有机材料包括噁唑类化合物、异噁唑类化合物、三唑类化合物、异噻唑类化合物、噁二唑类化合物、噻二唑类化合物、苝类化合物以及铝络合物中的至少一种。

14、可选的，在本技术的一些实施例中，所述阳极的材料包括ito、izo、itzo、ico、sno2、in2o3、cd:zno、f:sno2、in:sno2、ga:sno2、azo、ni、pt、au、ag、ir以及cnt中的至少一种；

15、所述阴极的材料包括ca、ba、ca/al、lif/ca、lif/al、baf2/al、csf/al、caco3/al、baf2/ca/al、al、mg、au:mg以及ag:mg中的至少一种。

16、相应地，本技术实施例还提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括如下步骤：

17、在衬底上制备阳极；

18、在所述阳极上制备空穴注入层；

19、在所述空穴注入层上制备空穴传输层；

20、在所述空穴传输层上制备量子点发光层；

21、在所述量子点发光层上制备电子传输层；

22、在所述电子传输层上制备阴极；

23、其中，所述量子点发光层包括量子点薄膜，所述量子点薄膜包括第一量子点、第二量子点、以及结合在所述第一量子点和/或者所述第二量子点表面的第一配体；

24、其中，所述第一配体用于将所述第一量子点产生的第一激子与所述第二量子点产生的第二激子堆叠。

25、相应地，本技术实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括如上任一项所述的量子点发光二极管，或由所述的量子点发光二极管的制备方法制得的量子点发光二极管。

26、本技术实施例提供一种量子点薄膜、量子点发光二极管及其制备方法、显示装置；所述量子点薄膜包括第一量子点、第二量子点、以及结合在所述第一量子点和/或者所述第二量子点表面的第一配体，其中，所述第一配体用于将所述第一量子点产生的第一激子与所述第二量子点产生的第二激子堆叠；上述量子点薄膜通过在所述第一量子点与所述第二量子点之间添加所述第一配体，所述第一配体能够将所述第一量子点产生的第一激子与所述第二量子点产生的第二激子堆叠，激子间的堆叠作用使得一部分所述第一激子跟随与其堆叠的所述第二激子辐射复合输出至所述第二量子点的核壳中，同时使得一部分所述第二激子跟随与其堆叠的所述第一激子辐射复合输出至所述第一量子点的核壳中，从而使得所述第一量子点和/或者所述第二量子点同时具备所述第一激子以及所述第二激子，进而使得整个混合体系的量子点兼具两种不同类型的量子点的优势，从而使得上述量子点薄膜制备的量子点发光二极管兼具单独采用所述第一量子点制备的第一量子点发光二极管的特性以及单独采用所述第二量子点制备的第二量子点发光二极管的特性，进一步提升了量子点发光二极管的发光性能。