甲脒基盐涂布墨水及其制备方法与应用与流程

1.本发明属于钙钛矿太阳能电池领域，具体涉及一种甲脒基盐涂布墨水及其制备方法与应用。


背景技术：

2.众所周知，钙钛矿太阳能电池凭借其效率指数式增长而受到广泛关注。巨大的商业潜力促使钙钛矿光伏技术产业化浪潮的来临。作为钙钛矿太阳能技术产业化的核心，钙钛矿吸光层薄膜制备尤为关键。采用一步溶液法制备钙钛矿膜层工艺相对简单，易于实现产业化。然而，在工艺放大过程中发现一步溶液法制备的钙钛矿膜层存在结晶过程难控制、工艺操作窗口短等问题。


技术实现要素：

3.本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种甲脒基盐涂布墨水及其制备方法与应用，该甲脒基盐涂布墨水可以有效地控制钙钛矿膜的成核结晶过程，诱导钙钛矿晶体高度取向生长，同时能抑制钙钛矿杂相的形成，提高钙钛矿膜的相纯度和质量。
4.在本发明的一个方面，本发明提出了一种甲脒基盐涂布墨水。根据本发明的实施例，所述甲脒基盐涂布墨水包括甲脒基卤化物、诱导添加剂、醇溶剂和配位溶剂，所述配位溶剂可溶解卤化铅，进而得到卤化铅-配位溶剂-甲脒基卤化物配位络合中间态膜。
5.由此，采用本技术的甲脒基盐涂布墨水可以有效地控制钙钛矿膜的成核结晶过程，诱导钙钛矿晶体高度取向生长，同时能抑制钙钛矿杂相的形成，提高钙钛矿膜的相纯度和质量。
6.另外，根据本发明上述实施例的甲脒基盐涂布墨水还可以具有如下附加的技术特征：
7.在本发明的一些实施例中，所述甲脒基卤化物的化学结构式为fax，其中，x为f-、 cl-、br-、i-、scn-、bf
4-、pf
6-、hcoo-或ch3coo-。
8.在本发明的一些实施例中，所述诱导添加剂包括化学结构式为mx的物质，其中，m 为一级胺阳离子、二级胺阳离子、三级胺阳离子、乙基脒阳离子、苄脒阳离子、胍阳离子、 cs
+
、rb
+
、k
+
，x为f-、cl-、br-、i-、scn-、bf
4-、pf
6-、hcoo-或ch3coo-。由此，可以有效控制钙钛矿膜的成核结晶过程，诱导钙钛矿晶体高度取向生长，同时能抑制钙钛矿杂相的形成，提高钙钛矿膜的相纯度。
9.在本发明的一些实施例中，所述醇溶剂包括甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、丁醇、异丁醇、仲丁醇和叔丁醇中的至少之一。
10.在本发明的一些实施例中，所述配位溶剂包括n,n-二甲基甲酰胺、n,n-二甲基乙酰胺、 n-甲基甲酰胺、二甲基亚砜、n-甲基吡咯烷酮和1,3-二甲基-2-咪唑啉酮中的至少之一。
11.在本发明的一些实施例中，所述甲脒基卤化物、所述诱导添加剂和所述配位溶剂的摩尔比为1:(0.0001～1):(0.05～1)。
12.在本发明的一些实施例中，所述甲脒基盐涂布墨水的浓度为0.1～2mol/l。
13.在本发明的一些实施例中，所述甲脒基盐涂布墨水适用于包括狭缝涂布、线棒刮涂、喷墨打印和喷涂中的至少之一。
14.在本发明的第二个方面，本发明提出了一种制备上述甲脒基盐涂布墨水的方法。根据本发明的实施例，该方法包括：
15.(1)将甲脒基卤化物溶解在醇溶剂中，以便得到第一前驱液；
16.(2)将诱导添加剂溶解在配位溶剂中，以便得到第二前驱液；
17.(3)将所述第一前驱液和所述第二前驱液混合，以便得到甲脒基盐涂布墨水。
18.由此，采用本技术的方法可以制备得到上述能够有效地控制钙钛矿膜的成核结晶过程，诱导钙钛矿晶体高度取向生长，同时能抑制钙钛矿杂相的形成，提高钙钛矿膜的相纯度和质量的甲脒基盐涂布墨水。另外所得甲脒基盐涂布墨水具有很好的普适性，能够适用于狭缝涂布、线棒刮涂、喷墨打印、喷涂等相关涂布或印刷工艺。
19.在本发明的第三个方面，本发明提出了一种制备钙钛矿膜的方法。根据本发明的实施例，该方法包括：将上述的甲脒基盐涂布墨水或采用上述的方法得到的甲脒基盐涂布墨水施加在卤化铅薄膜上，所述配位溶剂溶解卤化铅，进而得到卤化铅-配位溶剂-甲脒基卤化物配位络合中间态膜，然后进行退火，得到钙钛矿膜。由此，该方法实现了钙钛矿膜层成核结晶过程可控，并且提高了制备钙钛矿膜工艺的稳定性与可重复性，同时简化了钙钛矿膜的制备工艺以及降低了工艺成本。
20.在本发明的第四个方面，本发明提出了一种钙钛矿膜。根据本发明的实施例，该钙钛矿膜采用上述的方法制备得到。由此，该钙钛矿膜的成核结晶过程可以有效地被控制，钙钛矿晶体高度取向生长得到诱导，钙钛矿杂相的形成得到抑制，从而使得该钙钛矿薄膜的相纯度和质量得以提高。
21.在本发明的第五个方面，本发明提出了一种钙钛矿太阳能电池。根据本发明的实施例，该钙钛矿太阳能电池包括：透明导电层、第一电荷传输层、钙钛矿层、第二电荷传输层和电极层，其中，所述钙钛矿层为采用权上述的方法得到的钙钛矿膜或上述的钙钛矿膜。由此，该钙钛矿太阳能电池的光电性能得以提升。
22.在本发明的第六个方面，本发明提出了一种制备上述的钙钛矿太阳能电池的方法。根据本发明的实施例，该方法包括：(a)在透明导电层上沉积形成第一电荷传输层；(b)在所述第一电荷传输层上沉积卤化铅薄膜，然后将上述的甲脒基盐涂布墨水或采用上述的方法得到的甲脒基盐涂布墨水施加在卤化铅薄膜上，所述配位溶剂溶解卤化铅，进而得到卤化铅-配位溶剂-甲脒基卤化物配位络合中间态膜，然后进行退火，以便在所述第一电荷传输层上形成钙钛矿膜；(c)在所述钙钛矿膜上依次形成第二电荷传输层和电极层，以便得到钙钛矿太阳能电池。由此，采用该方法可以制备上述光电性能优异的钙钛矿太阳能电池。
23.本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
24.本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
25.图1是根据本发明的一个实施例的制备甲脒基盐涂布墨水的方法流程示意图；
26.图2是根据本发明的一个实施例的钙钛矿太阳能电池的结构示意图；
27.图3是根据本发明的一个实施例的制备钙钛矿太阳能电池的方法流程示意图；
28.图4是实施例1-3和对比例1-2的制备得到的甲脒基钙钛矿膜的xrd图；
29.图5是实施例1制备得到的甲脒基钙钛矿膜的sem图；
30.图6是实施例2制备得到的甲脒基钙钛矿膜的sem图；
31.图7是实施例3制备得到的甲脒基钙钛矿膜的sem图；
32.图8是对比例1制备得到的甲脒基钙钛矿膜的sem图；
33.图9是对比例2制备得到的甲脒基钙钛矿膜的sem图。
34.附图标记：
35.100、透明导电层；
36.200、第一电荷传输层；
37.300、钙钛矿膜；
38.400、第二电荷传输层；
39.500、电极层。
具体实施方式
40.下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
41.在本发明的第一个方面，本发明提出了一种甲脒基盐涂布墨水。根据本发明的实施例，该甲脒基盐涂布墨水包括甲脒基卤化物、诱导添加剂、醇溶剂和配位溶剂，配位溶剂可溶解卤化铅，进而得到卤化铅-配位溶剂-甲脒基卤化物配位络合中间态膜。
42.发明人发现，通过将甲脒基卤化物、诱导添加剂、醇溶剂和配位溶剂复配为甲脒基盐涂布墨水，配位溶剂可溶解卤化铅，使卤化铅与甲脒基卤化物进行充分的化学反应，得到卤化铅-配位溶剂-甲脒基卤化物配位络合中间态膜，降低对卤化铅薄膜的形貌特征、晶态结构以及孔隙率等诸多要求，更有利于形成高质量钙钛矿薄膜。并且诱导添加剂可以有效控制钙钛矿膜的成核结晶过程，诱导钙钛矿晶体高度取向生长，同时也能抑制钙钛矿杂相的形成，提高钙钛矿膜的相纯度。醇溶剂的加入有利于钙钛矿膜绿色、经济、环保和安全地制作。另外该甲脒基盐涂布墨水具有很好的普适性，能够适用于狭缝涂布、线棒刮涂、喷墨打印、喷涂等相关涂布或印刷工艺。由此，采用本技术的甲脒基盐涂布墨水可以有效地控制钙钛矿膜的成核结晶过程，诱导钙钛矿晶体高度取向生长，同时能抑制钙钛矿杂相的形成，提高钙钛矿膜的相纯度和质量。
43.需要说明的是，本领域技术人员可以根据实际需要对甲脒基卤化物和诱导添加剂的具体类型进行选择，只要能满足相应功能即可，例如甲脒基卤化物化学结构式为fax，其中， x为f-、cl-、br-、i-、scn-、bf
4-、pf
6-、hcoo-或ch3coo-，优选甲脒氢碘酸盐fai；诱导添加剂包括化学结构式为mx的物质，其中，m为一级胺阳离子、二级胺阳离子、三级胺阳离子、乙基
脒阳离子、苄脒阳离子、胍阳离子、cs
+
、rb
+
、k
+
，x为f-、cl-、br-、i-、 scn-、bf
4-、pf
6-、hcoo-或ch3coo-，优选甲胺盐酸盐macl、甲胺氢碘酸盐mai、苄脒盐酸盐phfacl和碘化钾ki四元混合添加剂。由此，采用该组成的诱导添加剂可以有效控制钙钛矿膜的成核结晶过程，诱导钙钛矿晶体高度取向生长，同时能抑制钙钛矿杂相的形成，提高钙钛矿膜的相纯度。
44.进一步地，本领域技术人员可以根据实际需要对醇溶剂和配位溶剂的具体类型进行选择，只要能实现上述功能即可，例如上述醇溶剂包括但不限于甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、丁醇、异丁醇、仲丁醇和叔丁醇中的至少之一，优选异丙醇和正丁醇二元混合溶剂；上述配位溶剂包括但不限于n,n-二甲基甲酰胺、n,n-二甲基乙酰胺、n-甲基甲酰胺、二甲基亚砜、n-甲基吡咯烷酮和1,3-二甲基-2-咪唑啉酮中的至少之一，优选二甲基亚砜dmso和 n-甲基甲酰胺nmf二元混合配位溶剂。
45.进一步地，上述甲脒基卤化物、诱导添加剂和配位溶剂的摩尔比为1:(0.0001～1): (0.05～1)。发明人发现，若诱导添加剂的添加量过多，则导致大量杂相钙钛矿的形成，从而降低甲脒基钙钛矿薄膜的相纯度；若诱导添加剂的添加量过少，则导致钙钛矿晶体无法高度取向生长，晶体尺寸小且缺陷多。若配位溶剂的添加量过多，则导致大量枝状晶体产生，进而无法得到连续致密的黑相甲脒基钙钛矿薄膜；若配位溶剂的添加量过少，则无法形成稳定的卤化铅-配位溶剂-甲脒基卤化物配位络合中间态膜，不利于卤化铅高效转化为甲脒基钙钛矿膜。进一步地，甲脒基盐涂布墨水的浓度为0.1～2mol/l；
46.在本发明的第二个方面，本发明提出了一种制备甲脒基盐涂布墨水的方法。根据本发明的实施例，参考图1，该方法包括：
47.s100：将甲脒基卤化物溶解在醇溶剂中
48.该步骤中，将甲脒基卤化物溶解在醇溶剂中，得到第一前驱液。醇溶剂的加入保证后续钙钛矿膜的绿色、经济、环保和安全地制作。需要说明的是，甲脒基卤化物和醇溶剂的具体类型同于上文描述，此处不再赘述。
49.s200：将诱导添加剂溶解在配位溶剂中
50.该步骤中，将诱导添加剂溶解在配位溶剂中，得到第二前驱液。诱导添加剂可以有效控制钙钛矿膜的成核结晶过程，诱导钙钛矿晶体高度取向生长，同时也能抑制钙钛矿杂相的形成，提高钙钛矿膜的相纯度。配位溶剂可以溶解卤化铅并且使卤化铅与甲脒基卤化物进行充分的化学反应，降低对卤化铅薄膜的形貌特征、晶态结构以及孔隙率等诸多要求，更有利于形成高质量钙钛矿薄膜。
51.需要说明的是，诱导添加剂和配位溶剂的具体类型同于上文描述，同时甲脒基卤化物、诱导添加剂和配位溶剂混合比例也同于上文描述，此处不再赘述。
52.s300：将第一前驱液和第二前驱液混合
53.该步骤中，将第一前驱液和第二前驱液混合，得到甲脒基盐涂布墨水。具体的，甲脒基盐涂布墨水的浓度为0.1～2mol/l。
54.由此，该方法制备出的甲脒基盐涂布墨水可以有效地控制钙钛矿膜的成核结晶过程，诱导钙钛矿晶体高度取向生长，同时也能抑制钙钛矿杂相的形成，提高钙钛矿膜的相纯度和质量。需要说明的是，上述针对甲脒基盐涂布墨水所描述的特征和优点同样适用于该制备甲脒基盐涂布墨水的方法，此处不再赘述。
55.在本发明的第三个方面，本发明提出了一种制备钙钛矿膜的方法。根据本发明的
实施例，该方法包括：将上述的甲脒基盐涂布墨水或采用上述的方法得到的甲脒基盐涂布墨水施加在卤化铅薄膜上，配位溶剂溶解卤化铅，进而得到卤化铅-配位溶剂-甲脒基卤化物配位络合中间态膜，然后进行退火，得到钙钛矿膜。
56.由此，该方法实现了钙钛矿膜层成核结晶过程可控，并且提高了制备钙钛矿膜工艺的稳定性与可重复性，同时简化了钙钛矿膜的制备工艺以及降低了工艺成本。需要说明的是，上述针对甲脒基盐涂布墨水及其制备方法所描述的特征和优点同样适用于该制备钙钛矿膜的方法，此处不再赘述。
57.在本发明的第四个方面，本发明提出了一种钙钛矿膜。根据本发明的实施例，该钙钛矿膜采用上述的方法制备得到。
58.由此，该钙钛矿膜的成核结晶过程可以有效地被控制，钙钛矿晶体高度取向生长得到诱导，钙钛矿杂相的形成得到抑制，从而使得该钙钛矿薄膜的相纯度和质量得以提高。需要说明的是，上述针对甲脒基盐涂布墨水及其制备方法和制备钙钛矿膜的方法所描述的特征和优点同样适用于该钙钛矿膜，此处不再赘述。
59.在本发明的第五个方面，本发明提出了一种钙钛矿太阳能电池。根据本发明的实施例，参考图2，该钙钛矿太阳能电池包括透明导电层100、第一电荷传输层200、钙钛矿层300、第二电荷传输层400和电极层500，其中，钙钛矿层300为采用上述的方法得到的钙钛矿膜或上述的钙钛矿膜。需要说明的是，透明导电层100、第一电荷传输层200、第二电荷传输层400和电极层500均为常规材质，此处不再赘述。
60.由此，通过采用相纯度和质量高的钙钛矿膜作为钙钛矿太阳能电池中的钙钛矿层，该钙钛矿太阳能电池的光电性能得以提升。需要说明的是，上述针对甲脒基盐涂布墨水、制备甲脒基盐涂布墨水的方法、制备钙钛矿膜的方法以及钙钛矿膜所描述的特征和优点同样适用于该钙钛矿太阳能电池，此处不再赘述。
61.在本发明的第六个方面，本发明提出了一种制备上述钙钛矿太阳能电池的方法。根据本发明的实施例，参考图3，该方法包括：
62.sa：在透明导电层上沉积形成第一电荷传输层
63.该步骤中，在透明导电层上沉积形成第一电荷传输层。需要说明的是，沉积的具体方式并不受特别限制，例如可以使用磁控溅射的方法进行沉积。
64.sb：在第一电荷传输层上沉积卤化铅薄膜，然后将甲脒基盐涂布墨水施加在卤化铅薄膜上，然后进行退火
65.该步骤中，在第一电荷传输层上沉积卤化铅薄膜，然后将甲脒基盐涂布墨水施加在卤化铅薄膜上，配位溶剂可以溶解卤化铅，进而得到卤化铅-配位溶剂-甲脒基卤化物配位络合中间态膜，然后进行退火，最后在第一电荷传输层上形成钙钛矿膜。需要说明的是，将甲脒基盐涂布墨水施加在卤化铅薄膜上的方式也不受特别限定，例如可以使用狭缝涂布、线棒刮涂、喷墨打印、喷涂等相关涂布或印刷工艺。
66.sc：在钙钛矿膜上依次形成第二电荷传输层和电极层
67.该步骤中，在钙钛矿膜上依次形成第二电荷传输层和电极层，得到钙钛矿太阳能电池。
68.由此，采用该方法可以制备上述光电性能优异的钙钛矿太阳能电池。需要说明的是，钙钛矿膜上依次形成第二电荷传输层和电极层的方式不受特别限制，例如包括反应等
离子体沉积和磁控溅射中的至少之一。
69.需要说明的是，上述针对钙钛矿膜及其制备方法所描述的特征和优点同样适用于该制备钙钛矿太阳能电池的方法，此处不再赘述。
70.下面详细描述本发明的实施例，需要说明的是下面描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。另外，如果没有明确说明，在下面的实施例中所采用的所有试剂均为市场上可以购得的，或者可以按照本文或已知的方法合成的，对于没有列出的反应条件，也均为本领域技术人员容易获得的。
71.实施例1
72.制备甲脒基盐涂布墨水的方法包括：
73.(1)将fai溶解在异丙醇和正丁醇混合溶剂(异丙醇与正丁醇的体积比为4:1)中，得到浓度为0.5mol/l的第一前驱液；
74.(2)将0.2mol macl、0.15mol mai、0.001mol phfacl和0.01mol ki的混合诱导添加剂溶解在0.15mol的dmso和nmf混合配位溶剂(dmso和nmf体积比为95:5)中，得到第二前驱液；
75.(3)将第一前驱液和所述第二前驱液按照体积比1:1混合，得到甲脒基盐涂布墨水。
76.制备钙钛矿电池的方法包括：
77.(a)清洗fto导电玻璃，在洁净的fto玻璃表面磁控溅射沉积25nm厚度的氧化镍薄膜，无需做任何后处理，沉积完成后取出待用；
78.(b)在步骤(1)中得到的氧化镍薄膜表面直流溅射沉积300nm厚度的pbi2薄膜，无需做任何后处理，沉积完成后取出待用；
79.(c)将上述得到的甲脒基盐涂布墨水过滤后狭缝涂布在步骤(b)中得到的pbi2薄膜表面，涂布完成后得到fai-dmso-pbi
2-nmf配位络合中间体，最后将配位络合中间体在 150度下退火20分钟，即可得到甲脒基钙钛矿膜，冷却待用；
80.(d)将步骤(c)中得到的钙钛矿膜表面反应等离子体沉积30nm的氧化铌薄膜，无需做任何后处理，沉积完成后取出待用；
81.(e)在步骤(d)得到的氧化铌薄膜表面磁控溅射150nm厚度的铝掺杂氧化锌，即可得到钙钛矿太阳能电池。
82.实施例2
83.制备甲脒基盐涂布墨水的方法包括：
84.(1)将fai溶解在异丙醇和正丁醇混合溶剂(异丙醇与正丁醇的体积比为4:1)中，得到浓度为0.5mol/l的第一前驱液；
85.(2)将0.05mol macl、0.05mol mai、0.001mol phfacl和0.01mol ki的混合诱导添加剂溶解在0.15mol的dmso和nmf混合配位溶剂(dmso和nmf体积比为95:5) 中，得到第二前驱液；
86.(3)将第一前驱液和所述第二前驱液按照体积比1:1混合，得到甲脒基盐涂布墨水。
87.制备钙钛矿电池的方法包括：
88.除步骤(c)“将上述得到的甲脒基盐涂布墨水过滤后线棒刮涂在步骤(b)中得到的
pbi2薄膜表面，涂布完成后得到fai-dmso-pbi
2-nmf配位络合中间体，最后将配位络合中间体在150度下退火20分钟，即可得到甲脒基钙钛矿膜，冷却待用”与实施例1不同外，其余步骤(a)、(b)、(d)、(e)均与实施例1相同。
89.实施例3
90.制备甲脒基盐涂布墨水的方法包括：
91.(1)将fai溶解在异丙醇和正丁醇混合溶剂(异丙醇与正丁醇的体积比为4:1)中，得到浓度为0.5mol/l的第一前驱液；
92.(2)将0.2mol macl、0.15mol mai、0.001mol phfacl和0.01mol ki的混合诱导添加剂溶解在0.5mol的dmso和nmf混合配位溶剂(dmso和nmf体积比为95:5)中，得到第二前驱液；
93.(3)将第一前驱液和所述第二前驱液按照体积比1:1混合，得到甲脒基盐涂布墨水。
94.制备钙钛矿电池的方法和实施例1相同。
95.对比例1
96.制备甲脒基盐涂布墨水的方法包括：
97.(1)将fai溶解在异丙醇和正丁醇混合溶剂(异丙醇与正丁醇的体积比为4:1)中，得到浓度为0.5mol/l的第一前驱液；
98.(2)将0.2mol macl、0.15mol mai、0.001mol phfacl和0.01mol ki的混合诱导添加剂溶解在第一前驱液中，混合得到甲脒基盐涂布墨水。
99.制备钙钛矿电池的方法过程和实施例1相同。
100.对比例2
101.制备甲脒基盐涂布墨水的方法包括：
102.(1)将fai溶解在异丙醇和正丁醇混合溶剂(异丙醇与正丁醇的体积比为4:1)中，得到浓度为0.5mol/l的第一前驱液；
103.(2)将0.15mol的dmso和nmf混合配位溶剂添加到第一前驱液中，混合得到甲脒基盐涂布墨水。
104.制备钙钛矿电池的方法过程和实施例1相同。
105.对实施例1-3、对比例1-2制备得到的甲脒基钙钛矿膜的xrd图谱进行表征，结果见图4。由图4可知，实施例1制备得到的甲脒基钙钛矿膜具有显著的钙钛矿结晶取向，晶体质量高；实施例2和实施例3制备得到的甲脒基钙钛矿膜相较于对比例1和对比例2， pbi2的残留量较少，结晶取向较高，晶体质量较好；对比例1制备得到的甲脒基钙钛矿膜则存在大量pbi2残留，表明大量的pbi2无法有效转化为甲脒基钙钛矿膜；对比例2制备得到的甲脒基钙钛矿膜则结晶取向较差，表明大量钙钛矿晶体无序地生长。
106.对实施例1-3、对比例1-2制备得到的甲脒基钙钛矿膜进行sem测试。由图5可知，实施例1制备得到的甲脒基钙钛矿膜具有超大的晶粒尺寸，同时晶粒堆砌致密，表面光洁；由图6可知，实施例2制备得到的甲脒基钙钛矿膜具有较大晶粒尺寸，相较于对比例1和对比例2，晶体堆砌较为致密，晶体结晶性好；由图7可知，实施例3制备得到的甲脒基钙钛矿膜具有超大晶粒尺寸，相较于对比例1和对比例2，晶体堆砌较为致密，晶体结晶性好；由图8可知，对比例1制备得到的甲脒基钙钛矿膜则存在大量pbi2残留，且钙钛矿晶粒尺寸小，存在大量
晶界；由图9可知，对比例2制备得到的甲脒基钙钛矿膜表面则出现大量孔洞，且晶粒堆砌不连续，结晶质量差。
107.对实施例1-3、对比例1-2得到的钙钛矿太阳能电池进行性能测试，结果见表1：
108.表1实施例1-3和对比例1-2制备得到的钙钛矿太阳能电池性能参数
[0109][0110]
通过表1数据可知，实施例1-3制备得到的钙钛矿太阳能电池具有优异的光电性能，而对比例1-2制备得到的钙钛矿太阳能电池的光电性能相对较差，表明本技术制备的甲脒基盐涂布墨水能够实现大面积均质钙钛矿薄膜，从而为钙钛矿光伏技术的商业化铺平道路。
[0111]
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
[0112]
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。