一种化学机械抛光液的制作方法

本发明属于机械抛光液，更具体地说，涉及一种化学机械抛光液。

背景技术：

1、随着半导体技术的不断发展，以及大规模集成电路互连层的不断增加，导电层和绝缘介质层的平坦化技术变得尤为关键。二十世纪80年代，由ibm 公司首创的化学机械研磨(cmp)技术被认为是目前全局平坦化的最有效的方法，化学机械研磨(cmp)由化学作用、机械作用以及这两种作用结合而成。它通常由一个带有抛光垫的研磨台，及一个用于承载芯片的研磨头组成。其中研磨头固定住芯片，然后将芯片的正面压在抛光垫上。当进行化学机械研磨时，研磨头在抛光垫上线性移动或是沿着与研磨台一样的运动方向旋转。与此同时，含有研磨剂的浆液被滴到抛光垫上，并因离心作用平铺在抛光垫上。芯片表面在机械和化学的双重作用下实现全局平坦化，为了增强机械抛光液的抛光效率，同时减少机械抛光液中的有害物质，使机械抛光液使用更加安全，提出一种化学机械抛光液。

技术实现思路

1、本发明的目的是提供一种化学机械抛光液，使得抛光速率大大增加，并且使机械抛光液使用更加安全，使抛光液使用效果更好。

2、本发明采取的技术方案具体如下：一种化学机械抛光液，由研磨剂、金属腐蚀抑制剂、促进剂、氧化剂、非离子表面活性剂、络合剂和离子水组成，其中所述促进剂为炭纤维粉、石墨烯粉末和生物类黄酮。

3、可选的，所述研磨剂为气相二氧化硅、二氧化锡、α-氧化铝和碳酸钡中的一种或多种。

4、可选的，所述金属腐蚀抑制剂为苯骈三氮唑。

5、可选的，所述氧化剂为过氧化物，所述络合剂为甘氨酸。

6、可选的，所述非离子表面活性剂为聚氧乙烯烷基胺和聚氧乙烯烷基醇酰胺中的一种或多种。

7、可选的，所述研磨剂重量百分含量为0.1-50％。

8、可选的，所述金属腐蚀抑制剂重量百分含量为0.02-10％。

9、可选的，所述促进剂重量百分含量为0.05-5％。

10、可选的，所述氧化剂重量百分含量为0.1-10％，所述络合剂重量百分含量为0.1-2％。

11、可选的，所述非离子表面活性剂重量百分含量为0.02-10％。

12、本发明取得的技术效果为：

13、本方案通过加入炭纤维粉、石墨烯粉末和生物类黄酮制成的促进剂，通过促进剂中的炭纤维粉使抛光速率进行提升，通过促进剂中的石墨烯粉末和生物类黄酮使化学机械抛光液中有有毒物质减少，因此，能更好的协调抛光液的组分，使得抛光速率大大增加，并且使机械抛光液使用更加安全，使抛光液使用效果更好。

技术特征：

1.一种化学机械抛光液，其特征在于，由研磨剂、金属腐蚀抑制剂、促进剂、氧化剂、非离子表面活性剂、络合剂和离子水组成，其中所述促进剂为炭纤维粉、石墨烯粉末和生物类黄酮。

2.根据权利要求1所述的一种化学机械抛光液，其特征在于：所述研磨剂为气相二氧化硅、二氧化锡、α-氧化铝和碳酸钡中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的一种化学机械抛光液，其特征在于：所述金属腐蚀抑制剂为苯骈三氮唑。

4.根据权利要求1所述的一种化学机械抛光液，其特征在于：所述氧化剂为过氧化物，所述络合剂为甘氨酸。

5.根据权利要求1所述的一种化学机械抛光液，其特征在于：所述非离子表面活性剂为聚氧乙烯烷基胺和聚氧乙烯烷基醇酰胺中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的一种化学机械抛光液，其特征在于：所述研磨剂重量百分含量为0.1-50％。

7.根据权利要求1所述的一种化学机械抛光液，其特征在于：所述金属腐蚀抑制剂重量百分含量为0.02-10％。

8.根据权利要求1所述的一种化学机械抛光液，其特征在于：所述促进剂重量百分含量为0.05-5％。

9.根据权利要求1所述的一种化学机械抛光液，其特征在于：所述氧化剂重量百分含量为0.1-10％，所述络合剂重量百分含量为0.1-2％。

10.根据权利要求1所述的一种化学机械抛光液，其特征在于：所述非离子表面活性剂重量百分含量为0.02-10％。

技术总结
本发明涉及机械抛光液技术领域，具体为一种化学机械抛光液，由研磨剂、金属腐蚀抑制剂、促进剂、氧化剂、非离子表面活性剂、络合剂和离子水组成，其中所述促进剂为炭纤维粉、石墨烯粉末和生物类黄酮；本发明通过加入炭纤维粉、石墨烯粉末和生物类黄酮制成的促进剂，通过促进剂中的炭纤维粉使抛光速率进行提升，通过促进剂中的石墨烯粉末和生物类黄酮使化学机械抛光液中有有毒物质减少，因此，能更好的协调抛光液的组分，使得抛光速率大大增加，并且使机械抛光液使用更加安全，使抛光液使用效果更好。

技术研发人员：梁珂,周琦,龙江湘,徐锋
受保护的技术使用者：天津派森新材料技术有限责任公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12