一种抗静电的切割保护胶带的制作方法

1.本实用新型涉及保护胶带技术领域，具体涉及一种抗静电的切割保护胶带。


背景技术：

2.随着科学技术的发展，胶带在各领域的应用都非常广泛，如芯片产业、电子类产品、家电、建材、装饰材料等。特别是芯片产业，在芯片制造过程中有晶圆扩晶、切割等工序，在此工序中需要一种醒目有效识别，且柔韧性好，无硅转移，能保护晶圆不受物理损伤的保护胶带。但是由于胶带本身的特性，会带有一定的静电，使得基材表面吸附有灰尘或其它粒子，影响其后续的加工使用，甚至可能在加工过程中击穿晶圆，对晶圆造成损坏，进而影响相关器件的使用寿命。
3.现有的抗静电胶带通常采用单层抗静电结构，并且抗静电值只能满足一般电子工业领域的要求。专利cn210765104u公开了一种半导体晶圆封装膜，其通过将tpu胶层和抗静电uv粘合层结合，可避免切割时芯片易崩角和飞片的问题。其虽然含有抗静电uv粘合层，但是其胶层的粘结力有限。
4.因此，研发出一种具有极佳的抗静电性、扩张性、抗拉伸、耐老化且安全环保的保护胶带是当前的市场需求。


技术实现要素：

5.为了解决上述问题，本实用新型第一个方面提供了一种抗静电的切割保护胶带，其特征在于，所述保护胶带由上至下包括基材膜层、胶黏剂层、底材膜层；所述胶黏剂层位于基材膜层和底材膜层之间；所述基材膜层和底材膜层通过胶黏剂层粘接。
6.作为本实用新型一种优选的技术方案，所述基材膜层的厚度为25-200微米。
7.进一步优选的，所述基材膜层的厚度为50-100微米。
8.进一步优选的，所述基材膜层的厚度为70-80微米
9.进一步优选的，所述基材膜层的厚度为75微米。
10.为提高胶带的稳定性、机械强度等性能，限定所使用的基材膜层的厚度与材料，从而使胶带保持优异的稳定性和机械性能，便于后续的加工使用。若基材膜层太厚，不易于后续加工使用，但若基材膜层太薄，则容易出现破损等问题。
11.作为本实用新型一种优选的技术方案，所述基材膜层上表面涂覆有功能涂层，所述功能涂层为第一抗静电涂层。
12.在基材膜层上涂覆有特定的抗静电涂层，该涂层能吸收掉产品和材料表面的水分，与静电产生中和，从而产生抗静电的效果。并且不会影响基材膜层本身的稳定性和抗拉伸等机械性能。
13.作为本实用新型一种优选的技术方案，所述底材膜层的厚度为25-75微米。
14.进一步优选的，所述底材膜层的厚度为40-60微米。
15.进一步优选的，所述底材膜层的厚度为50微米。
16.本实用新型使用特定的底材膜层厚度和膜材料，使其能更好的保存，延长胶带的使用期限。
17.作为本实用新型一种优选的技术方案，所述底材膜层下表面涂覆有功能涂层，所述功能涂层为第二抗静电涂层。
18.作为本实用新型一种优选的技术方案，所述胶黏剂的厚度为5-150微米。
19.进一步优选的，所述胶黏剂层的厚度为20-100微米。
20.进一步优选的，所述胶黏剂层的厚度为30-70微米。
21.进一步优选的，所述胶黏剂层的厚度为40微米。
22.通过限定胶黏剂层的厚度和材料，控制胶黏剂的用量，从而提高材料的粘结性能，并且避免在使用时胶黏剂溢出、减少残胶。并且所述胶黏剂为抗静电胶黏剂，使用时不仅有优异的粘结性能，同时与第一抗静电涂层、第二抗静电涂层综合作用，具有优异的抗静电效果。
23.作为本实用新型一种优选的技术方案，所述胶黏剂层为抗静电胶黏剂。
24.作为本实用新型一种优选的技术方案，所述底材膜层为pet膜。
25.作为本实用新型一种优选的技术方案，所述基材膜层为pvc基材膜、po基材膜、pet基材膜、pen基材膜中的任一种。
26.本实用新型与现有技术相比，具有以下有益效果：本实用新型的胶带使用特定厚度的基材膜层和底材膜层，并涂覆有抗静电涂层，在具有优异的稳定性、耐用性和抗拉伸等机械性能的同时，具有优异的抗稳定性。并且，使用抗静电胶黏剂层，并限定其特定的厚度，不仅具有粘结力强、无残胶的效果，同时与第一抗静电涂层、第二抗静电涂层综合作用，抗静电效果进一步增强，具有可观的市场应用前景。
附图说明
27.为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
28.图1一种抗静电的切割保护胶带的示意图
29.附图标记：1-第一抗静电涂层、2-基材膜层、3-胶黏剂层、4-底材膜层、5-第二抗静电涂层
具体实施方式
30.以下通过具体实施方式说明本实用新型，但不局限于以下给出的具体实施例。
31.实施例
32.实施例1
33.本实施例提供了一种抗静电的切割保护胶带，所述保护胶带由上至下包括第一抗静电涂层1、基材膜层2、胶黏剂层3、底材膜层4、第二抗静电涂层5。
34.所述基材膜层厚度为75微米；所述底材膜层的厚度为50微米；所述胶黏剂层的厚度为40微米；所述胶黏剂层为抗静电胶黏剂。
35.所述底材膜层为pet膜。
36.所述基材膜层为pvc基材膜。
37.实施例2
38.本实施例提供了一种抗静电的切割保护胶带，所述保护胶带由上至下包括第一抗静电涂层1、基材膜层2、胶黏剂层3、底材膜层4、第二抗静电涂层5。
39.所述基材膜层厚度为70微米；所述底材膜层的厚度为40微米；所述胶黏剂层的厚度为30微米；所述胶黏剂层为抗静电胶黏剂。
40.所述底材膜层为pet膜。
41.所述基材膜层为po基材膜。
42.实施例3
43.本实施例提供了一种抗静电的切割保护胶带，所述保护胶带由上至下包括第一抗静电涂层1、基材膜层2、胶黏剂层3、底材膜层4、第二抗静电涂层5。
44.所述基材膜层厚度为80微米；所述底材膜层的厚度为60微米；所述胶黏剂层的厚度为60微米；所述胶黏剂层为抗静电胶黏剂。
45.所述底材膜层为pet膜。
46.所述基材膜层为pet基材膜。
47.对比例1
48.对比例1提供了一种抗静电的切割保护胶带，对比例1与实施例1的区别在于，所述基材膜层厚度为30微米。
49.对比例2
50.对比例2提供了一种抗静电的切割保护胶带，对比例1与实施例1的区别在于，所述基材膜层厚度为150微米。
51.对比例3
52.对比例3提供了一种抗静电的切割保护胶带，对比例1与实施例1的区别在于，所述胶黏剂层的厚度为120微米。
53.对比例4
54.对比例4提供了一种抗静电的切割保护胶带，对比例1与实施例1的区别在于，所述胶黏剂层的非抗静电胶黏剂。
55.性能评价
56.对实施例1-3、对比例1-3提供的具有抗静电的切割保护胶带贴在晶圆上，将晶圆传送至切割设备中进行切割，在切割完成后去除胶带，对切割工艺中有关晶圆是否出现裂痕或崩碎、传送过程中是否出现位移、掉落，及是否有残胶出现的现象进行记录，记录结果见表1。
57.表1
[0058][0059][0060]
前述的实例仅是说明性的，用于解释本实用新型所述方法的一些特征。所附的权利要求旨在要求可以设想的尽可能广的范围，且本文所呈现的实施例仅是根据所有可能的实施例的组合的选择的实施方式的说明。因此，申请人的用意是所附的权利要求不被说明本实用新型的特征的示例的选择限制。在权利要求中所用的一些数值范围也包括了在其之内的子范围，这些范围中的变化也应在可能的情况下解释为被所附的权利要求覆盖。