包覆KSF荧光体、其制造方法、含有该荧光体的固化性有机硅组成物及光半导体装置与流程

文档序号:37584580发布日期:2024-04-18 12:10阅读:10来源:国知局
包覆KSF荧光体、其制造方法、含有该荧光体的固化性有机硅组成物及光半导体装置与流程

本发明涉及具有基于聚合物的表面包覆层的ksf荧光体(镁活化硅复合氟化物荧光体)颗粒、及含有该具有基于聚合物的表面包覆层的荧光体颗粒的固化性有机硅组成物、及利用该固化性有机硅组成物的固化物进行了密封的光半导体(opto semidonductor)装置。


背景技术:

1、现今,通过组合蓝色发光二极管与各种荧光体发出白色光的光半导体装置(led)已得到实用化,且应用于图像显示装置和照明装置等中。

2、近年来,作为荧光体中发出红色荧光的荧光体,使用有ksf荧光体(专利文献1、2),其作为可兼备高发光效率与演色性的材料备受瞩目。作为ksf荧光体的特征之一,可举出红色发光区域的半值宽度狭窄这一点,开始有效地用于图像显示装置。

3、另一方面,作为led用密封材料,广泛使用有分散有各种荧光体的固化性有机硅树脂。然而,当将使ksf荧光体分散于固化性有机硅而成的密封材料用于高输出的led用途中时,存在在高温环境下因ksf荧光体产生酸性物质,导致有机硅分解的问题。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1:日本特开2012-224536号公报

7、专利文献2:国际公开第2015/093430号


技术实现思路

1、本发明要解决的技术问题

2、本发明鉴于上述情况而完成,目的在于提供一种即便在高温条件下酸性物质的产生也得以抑制的ksf荧光体颗粒及含有该荧光体颗粒的固化性有机硅组成物。

3、解决技术问题的技术手段

4、为了解决上述技术问题,本发明提供一种包覆ksf荧光体颗粒,其特征在于,所述包覆ksf荧光体颗粒为具有基于聚合物的表面包覆层的ksf荧光体颗粒,所述聚合物为(甲基)丙烯酸酯聚合物,所述聚合物的比例在所述包覆ksf荧光体颗粒整体的0.1~20质量%的范围内。

5、只要是本发明的包覆ksf荧光体颗粒,则即便在高温条件下也可抑制来自ksf荧光体的酸性物质的释放,特别是对于含有该荧光体的固化性有机硅组成物的固化物而言,能够防止有机硅树脂的分解。

6、对于本发明的包覆ksf荧光体颗粒,优选:所述ksf荧光体为由k2sif6:mn4+表示的荧光体。

7、只要是这种ksf荧光体,则可获得更高的发光效率。

8、此外,对于本发明的包覆ksf荧光体颗粒,优选:所述(甲基)丙烯酸酯聚合物在结构单元中包含一分子中具有至少一个直接键合于硅原子的氢原子的(甲基)丙烯酸酯。

9、这种聚合物的阻气性高,因此在包覆ksf荧光体颗粒表面时,能够在高温环境下抑制来自ksf荧光体的酸性物质的释放。

10、此外,本发明提供一种包覆ksf荧光体颗粒的制造方法,其为上述包覆ksf荧光体颗粒的制造方法,其特征在于,包含下述工序:

11、(1)准备包含(a)(甲基)丙烯酸酯聚合物及(b)溶解该聚合物的溶剂的包覆层组合物,并将ksf荧光体颗粒与所述包覆层组合物混合的工序;及

12、(2)使所述溶剂挥发的工序。

13、只要是这种包覆ksf荧光体颗粒的制造方法,则能够有效包覆ksf荧光体颗粒的表面。

14、此时,优选:将由k2sif6:mn4+表示的荧光体用作所述ksf荧光体。

15、若使用这种ksf荧光体,则能够获得发光效率更高的包覆ksf荧光体颗粒。

16、此外,上述制造方法中,优选:将在结构单元中包含一分子中具有至少一个直接键合于硅原子的氢原子的(甲基)丙烯酸酯的聚合物用作所述(甲基)丙烯酸酯聚合物。

17、若使用这种聚合物,则能够在高温环境下抑制来自ksf荧光体的酸性物质的释放,因此能够获得稳定性高的包覆ksf荧光体颗粒。

18、此外,本发明提供一种固化性有机硅组成物,其特征在于,其含有上述包覆ksf荧光体颗粒。

19、本发明的固化性有机硅组成物对于其固化物而言,能够防止在高温条件下的源自ksf荧光体的酸性物质所造成的有机硅的分解,因此对光半导体元件的密封材料用途是有用的。

20、此外,本发明提供一种光半导体装置,其特征在于,其利用上述固化性有机硅组成物的固化物对光半导体元件进行了密封。

21、这种光半导体装置,即便在高温环境下也稳定地密封了光半导体元件,因此可靠性高。

22、发明效果

23、本发明的具有基于聚合物的表面包覆层的ksf荧光体,即便在高温环境下也可抑制来自ksf荧光体的酸性物质的释放,且对于含有该荧光体的固化性有机硅组成物的固化物而言,能够防止有机硅树脂的分解,因此对光半导体元件的密封材料用途是有用的。



技术特征:

1.一种包覆ksf荧光体颗粒,其特征在于,所述包覆ksf荧光体颗粒为具有基于聚合物的表面包覆层的ksf荧光体颗粒,所述聚合物为(甲基)丙烯酸酯聚合物,所述聚合物的比例在所述包覆ksf荧光体颗粒整体的0.1~20质量%的范围内。

2.根据权利要求1所述的包覆ksf荧光体颗粒,其特征在于,所述ksf荧光体为由k2sif6:mn4+表示的荧光体。

3.根据权利要求1或2所述的包覆ksf荧光体颗粒,其特征在于,所述(甲基)丙烯酸酯聚合物在结构单元中包含一分子中具有一个以上的直接键合于硅原子的氢原子的(甲基)丙烯酸酯。

4.一种包覆ksf荧光体颗粒的制造方法,其为权利要求1所述的包覆ksf荧光体颗粒的制造方法,其特征在于,包含下述工序:

5.根据权利要求4所述的包覆ksf荧光体颗粒的制造方法,其特征在于,将由k2sif6:mn4+表示的荧光体用作所述ksf荧光体。

6.根据权利要求4或5所述的包覆ksf荧光体颗粒的制造方法,其特征在于,将在结构单元中包含一分子中具有一个以上的直接键合于硅原子的氢原子的(甲基)丙烯酸酯的聚合物用作所述(甲基)丙烯酸酯聚合物。

7.一种固化性有机硅组成物,其特征在于,其含有权利要求1~3中任一项所述的包覆ksf荧光体颗粒。

8.一种光半导体装置,其特征在于,其利用权利要求7所述的固化性有机硅组成物的固化物对光半导体元件进行了密封。


技术总结
本发明为一种包覆KSF荧光体颗粒,其特征在于,所述包覆KSF荧光体颗粒具有基于聚合物的表面包覆层,所述聚合物为(甲基)丙烯酸酯聚合物,所述聚合物的比例在所述包覆KSF荧光体颗粒整体的0.1~20质量%的范围内。由此,提供一种即便在高温条件下酸性物质的产生也得以抑制的KSF荧光体颗粒及含有该荧光体颗粒的固化性有机硅组成物。

技术研发人员:佐藤一安,小材利之,田部井荣一,朝仓爱里,金吉正实
受保护的技术使用者:信越化学工业株式会社
技术研发日:
技术公布日:2024/4/17
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