一种石墨烯-碳-钴镍合金复合吸波材料及其制备方法和应用

文档序号:37223171发布日期:2024-03-05 15:22阅读:20来源:国知局
一种石墨烯-碳-钴镍合金复合吸波材料及其制备方法和应用

本发明涉及吸波材料,具体涉及一种石墨烯-碳-钴镍合金复合吸波材料及其制备方法和应用。


背景技术:

1、吸波材料是指可吸收、衰减空间入射的电磁波能量,并减少或消除反射的电磁波的一类功能材料,是解决电磁污染的最有效和最直接的手段,在电子、通信、军事等领域都有着非常重要的应用。决定吸波材料使用环境和场合的一个重要指标就是有效吸收频段。在常见的文献或专利报道中,吸波材料的有效吸波频段大多在8~18ghz(即x和ku波段),在4ghz(l波段、s波段)以下较少,能兼顾2~18ghz的更是少见。


技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种石墨烯-碳-钴镍合金复合吸波材料及其制备方法和应用,本发明制备的石墨烯-碳-钴镍合金复合吸波材料的吸波性能优异,可以兼顾在2~18ghz中的所有频段。

2、为了实现上述发明目的,本发明提供以下技术方案:

3、本发明提供了一种石墨烯-碳-钴镍合金复合吸波材料的制备方法,包括以下步骤:

4、将钴盐、镍盐、芳香羧酸、石墨烯基材料和溶剂混合,得到混合溶液;

5、除去所述混合溶液中的溶剂,得到前驱物;

6、将所述前驱物在还原气氛中进行煅烧,得到石墨烯-碳-钴镍合金复合吸波材料。

7、优选地,所述钴盐包括六水合硝酸钴和六水合氯化钴中的一种或几种;

8、所述镍盐包括六水合硝酸镍和六水合氯化镍中的一种或几种;

9、所述芳香羧酸包括对苯二甲酸、间苯二甲酸、均苯三甲酸和苯六甲酸中的一种或几种;

10、所述石墨烯基材料包括石墨烯、氧化石墨烯和还原氧化石墨烯中的一种或几种。

11、优选地,所述钴盐和镍盐的摩尔比为0.3~3:1。

12、优选地,所述钴盐和镍盐的总摩尔量与芳香羧酸的摩尔比为10~30:1。

13、优选地,所述钴盐和镍盐的总质量与石墨烯基材料的质量比为100:1~10。

14、优选地,所述钴盐和镍盐的总摩尔量与溶剂的摩尔比为1:80~120。

15、优选地,所述除去混合溶液中的溶剂的方法包括:将所述混合溶液依次进行旋蒸洗涤和烘干。

16、优选地,所述煅烧的温度为500~800℃,保温时间为1~3h。

17、本发明提供了上述技术方案所述制备方法制备得到的石墨烯-碳-钴镍合金复合吸波材料,包括石墨烯、碳和钴镍合金。

18、本发明提供了上述技术方案所述石墨烯-碳-钴镍合金复合吸波材料作为电磁吸波材料的应用。

19、本发明提供了一种石墨烯-碳-钴镍合金复合吸波材料的制备方法,本发明制备的复合吸波材料包括石墨烯、碳和钴镍合金,由于钴镍合金具有明显的铁磁性,提高了材料对电磁波的磁损耗;石墨烯的加入提高了材料对电磁波的介电损耗。同时,钴镍合金和碳材料及石墨烯的复合进一步改善了材料的阻抗匹配性,使得本发明制备的石墨烯-碳-钴镍合金复合吸波材料的有效吸波频段可以兼顾2~18ghz中的所有频段。本发明的制备过程简单、操作方便,所用到的原材料成本较低,便于工业化生产。



技术特征:

1.一种石墨烯-碳-钴镍合金复合吸波材料的制备方法,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述钴盐包括六水合硝酸钴和六水合氯化钴中的一种或几种;

3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,所述钴盐和镍盐的摩尔比为0.3~3:1。

4.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,所述钴盐和镍盐的总摩尔量与芳香羧酸的摩尔比为10~30:1。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述钴盐和镍盐的总质量与石墨烯基材料的质量比为100:1~10。

6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述钴盐和镍盐的总摩尔量与溶剂的摩尔比为1:80~120。

7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述除去混合溶液中的溶剂的方法包括:将所述混合溶液依次进行旋蒸洗涤和烘干。

8.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述煅烧的温度为500~800℃,保温时间为1~3h。

9.权利要求1~8任一项所述制备方法制备得到的石墨烯-碳-钴镍合金复合吸波材料,包括石墨烯、碳和钴镍合金。

10.权利要求9所述石墨烯-碳-钴镍合金复合吸波材料作为电磁吸波材料的应用。


技术总结
本发明提供了一种石墨烯‑碳‑钴镍合金复合吸波材料及其制备方法和应用,涉及吸波材料技术领域。本发明提供的石墨烯‑碳‑钴镍合金复合吸波材料的制备方法,包括以下步骤:将钴盐、镍盐、芳香羧酸、石墨烯基材料和溶剂混合,得到混合溶液;除去所述混合溶液中的溶剂,得到前驱物;将所述前驱物在还原气氛中进行煅烧,得到石墨烯‑碳‑钴镍合金复合吸波材料。本发明制备的石墨烯‑碳‑钴镍合金复合吸波材料的吸波性能优异,可以兼顾2~18GHz中的所有频段。

技术研发人员:谢海,王齐华,王廷梅,李金梅
受保护的技术使用者:中国科学院兰州化学物理研究所
技术研发日:
技术公布日:2024/3/4
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