离型膜的制作方法

文档序号:37277320发布日期:2024-03-12 21:12阅读:14来源:国知局
离型膜的制作方法

本公开内容涉及离型膜。


背景技术:

0、发明背景

1、离型膜通常用作保护膜,以保护粘合剂组分免受大气中的污染物或不需要的粘附物的影响,并且通常采用在聚酯基底膜上形成剥离层的结构。

2、而且,离型膜通常作为保护膜附着在粘合膜或带上,用于防止在使用粘合剂之前粘附到意外附着物上或被灰尘和其他外来物质污染。可选地,离型膜用于在诸如印刷电路板的热压成型工艺和模内成型中防止模具和膜制品粘附,或者用作在离型膜的剥离表面上施用诸如陶瓷浆料的各种树脂材料的涂层材料,以及用于层压以保护涂覆在其他材料上的各种树脂层的中间物。特别地,离型膜被用作载体膜,用于在生片上均匀且稀薄地施用陶瓷浆料,作为多层陶瓷电容器(mlcc)中的组成部分。mlcc是一种用于存储电力或稳定电流的电容器,并且由于其较小的尺寸和较大的电容,被广泛应用于便携式电子设备。特别是,由于最近智能手机和平板pcs的激增,需求大幅增加。这些mlccs是通过将生片和内部金属电极交替堆叠成几十层或数百层,然后连接外部电极来完成的,并且其尺寸范围从小于1mm到几nm不等。

3、mlcc中使用的生片是通过将陶瓷浆料均匀地施用在作为支撑体的载体膜上,然后将其烧结而形成的。作为考虑生片的载体膜,使用具有卓越的机械强度、尺寸稳定性、耐热性和成本竞争力的双轴拉伸聚酯膜。通过向双轴拉伸的聚酯膜的一侧施用聚合物硅酮剥离层来制备离型膜。

4、最近,随着mlccs小型化和更高容量的趋势,需要使生片更薄,并将陶瓷浆料堆叠成更多层。然而,如果在mlcc的制造中使用的离型膜的剥离力太低,则陶瓷浆料可能过早地与离型膜分离。相反,如果离型膜的剥离力太高,则在去除离型膜时,生片中可能会出现裂纹或断裂。因此,特别要求mlccs中使用的离型膜具有可以通过适当的剥离力将膜剥离的特性。

5、而且,如果在制造陶瓷浆料中使用的有机溶剂没有充分蒸发并保留在剥离层中,则在生片的表面上会出现像橘子皮这样的污渍。该问题可归因于粗糙度因素,并且当陶瓷浆料的溶剂由于剥离层的低溶剂抗性而保留在剥离层中时也会发生该问题。因此,有必要进行离型膜的改进。提前防止这种生片缺陷与提高mlcc的可靠性有关,因此离型膜在mlcc的制造中的功能非常重要。


技术实现思路

0、发明概述

1、本公开内容提供了用于离型膜的技术。本公开内容旨在提供可以实现广泛的剥离力并随时间显示出卓越的稳定性的离型膜。

2、本公开内容还旨在提供可以通过在水性系统中低温固化而形成的离型膜。

3、本公开内容的一个方面可以提供离型膜。

4、在一个方面,离型膜包括:基底膜;以及通过向基底膜的至少一个表面施用剥离涂层组合物而形成的剥离层,其中如使用飞行时间二次离子质谱仪(tof-sims)在厚度方向上从离型膜的剥离层表面测量的,当最大nh-离子计数、剥离层表面处nh-离子的计数和深度剖面中剥离层和基底膜之间的边界处nh-离子的计数被分别指定为inh_max、inh_t、inh_b时,在nh-离子强度曲线上,inh_t/inh_max的比率可以为0.9或更低,其中inh_t>inh_b。

5、在一个方面,nh-的离子强度曲线可以包括拐点。

6、在一个方面,nh-的离子强度曲线可以具有凹形形状。

7、在一个方面,剥离层还可以包括si-、s-、c7h5o2-和c3h5n5-离子中的至少一种。

8、在一个方面,剥离层包括si-离子和c7h5o2-离子,其中在使用tof-sims在厚度方向上从剥离层的表面测量的深度剖面中,si-和c7h5o2-的离子强度分别降低和增加,在其中的一个点处si-离子和c7h5o2-离子的离子强度是相同的。

9、在一个方面,剥离层可以包括s-离子,其中在使用tof-sims在厚度方向上从剥离层的表面测量的深度剖面中,s-的离子强度曲线可以包括拐点。

10、在一个方面,s-的离子强度曲线可以具有凹形形状。

11、在一个方面,剥离层包括c3h5n5-离子,其中在使用tof-sims在厚度方向上从剥离层的表面测量的深度剖面中,在临近剥离层表面的位置处,c3h5n5-的离子强度可以降低。

12、在一个方面,离型膜可以表现出5-32gf/in的瞬时带剥离力。

13、在一个方面,离型膜可以表现出3-1000gf/in的室温1天带剥离力。

14、在一个方面,离型膜可以表现出1-3gf/in的生片剥离力。

15、在一个方面,如使用x射线荧光分析仪测量的,离型膜可以在剥离层中具有0.001-0.2g/m2的硅酮含量。

16、在一个方面,剥离层可以具有19-30达因/cm的表面能。

17、在一个方面,离型膜可以作为在150℃或更低温度下固化的剥离涂层组合物形成。

18、在一个方面,剥离涂层组合物能够在150℃或更低的温度下固化,并且可以包括:硅酮乳剂组分(a),其包括聚二甲基硅氧烷(pdms);组分(b),其包括能够与硅酮乳剂组分进行缩合反应的单一分子中的两个或更多个官能团;以及酸催化剂。

19、根据本公开内容的一个方面的离型膜在制造期间可以显示出大范围的剥离力,并且随时间表现出卓越的稳定性。与利用基于硅酮的剥离涂层组合物制造的离型膜相比,这些效果要优异得多。

20、根据本公开内容的一个方面,尽管离型膜是基于硅酮的,但可以通过在水性系统中的低温固化来形成。与通过高温固化形成的常规的基于硅酮的薄膜相比,这种特征要优异得多。



技术特征:

1.离型膜,其包括:

2.如权利要求1所述的离型膜,其中所述nh-的离子强度曲线包含拐点。

3.如权利要求1所述的离型膜,其中所述nh-的离子强度曲线具有凹形形状。

4.如权利要求1所述的离型膜,其中所述剥离层还包括si-、s-、c7h5o2-和c3h5n5-离子中的至少一种。

5.如权利要求4所述的离型膜,其中所述剥离层包括si-离子和c7h5o2-离子,其中在使用tof-sims在厚度方向上从所述剥离层的表面测量的深度剖面中,si-和c7h5o2-的离子强度分别降低和增加,在其中的一个点处,si-离子和c7h5o2-离子的离子强度是相同的。

6.如权利要求4所述的离型膜,其中所述剥离层包括s-离子,其中在使用tof-sims在厚度方向上从所述剥离层的表面测量的深度剖面中,s-的离子强度曲线包括拐点。

7.如权利要求6所述的离型膜,其中s-的离子强度曲线具有凹形形状。

8.如权利要求4所述的离型膜,其中所述剥离层包括c3h5n5-离子,并且在使用tof-sims在厚度方向上从所述剥离层的表面测量的深度剖面中,在临近所述剥离层表面的位置处,c3h5n5-的离子强度降低。

9.如权利要求1所述的离型膜,其中所述离型膜表现出5-32gf/in的瞬时带剥离力。

10.如权利要求1所述的离型膜,其中所述离型膜表现出3-1000gf/in的室温1天带剥离力。

11.如权利要求1所述的离型膜,其中所述离型膜表现出1-3gf/in的生片剥离力。

12.如权利要求1所述的离型膜,其中所述剥离层具有如使用x射线荧光分析仪测量的0.001-0.2g/m2的硅酮含量。

13.如权利要求1所述的离型膜,其中所述剥离层具有19-30达因/cm的表面能。

14.如权利要求1所述的离型膜,其中所述离型膜包括作为在150℃或更低的温度下固化的剥离涂层组合物形成的剥离层。

15.如权利要求1所述的离型膜,其中所述离型膜由包括以下组分的剥离涂层组合物制备:


技术总结
本公开内容涉及离型膜。根据本公开内容的一个方面的离型膜组合物可以实现广泛的剥离力,并且可以随时间推移显示卓越的稳定性。

技术研发人员:张民怄,丁在映,尹宗郁
受保护的技术使用者:东丽尖端素材株式会社
技术研发日:
技术公布日:2024/3/11
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