荧光体和发光装置的制造方法
【专利摘要】本发明为一种荧光体，其特征在于，其以下式(1)的组成表示。式(1)中，M1为选自Y和Tb的至少一种的第三族元素，M2为选自Li、Na和K的碱金属，0<a<2、0<b<2、0≤c<1、0.001≤d≤0.06、0≤e≤0.06、0<x<0.1、3.7≤f≤4.1。此外，本发明为一种发光装置，其特征在于，其具备上述荧光体、对该荧光体照射激发光而使其发光的光源。(Sra,Bab,Eux,M1d,M2e)SiOf·cMgO···式(1)。
【专利说明】
荧光体和发光装置
技术领域
[0001] 本发明涉及一种荧光体和发光装置，特别涉及一种硅酸盐系荧光体和使用有该硅 酸盐系的荧光体的发光装置。
【背景技术】
[0002] 以往，作为白色LED，广泛利用双色混色类型的白色LED，其将发出蓝色光的半导体 发光元件和黄色的荧光体组合，利用蓝色与黄色的混色得到白色光。但是，该双色混色类型 的白色LED所发出的白色光存在纯度低的问题。因此，最近进行了三色混色类型的白色LED 的开发，其将发出紫外光（波长350~430nm)的半导体发光元件和青、绿、红三种荧光体组 合，以由半导体发光元件发出的光激发各个荧光体，由此以青、绿、红的混色得到白色光。
[0003] 以往，开发了各种组成的绿色荧光体。作为用于LED等的绿色荧光体，例如专利文 献1中记载了相当于(Ba，Sr)2Si0 4:Eu的荧光体。该文献中记载了含有碱金属元素、碱土金属 元素、211、￥^1、5^、1稀土元素、卤素元素中的至少一种作为微量元素，上述微量元素的 含量通常为lppm~lOOppm，但是没有记载添加有上述微量元素的实施例。
[0004] 此外，专利文献2中记载了一种将硅酸锶钡用铕进行赋活而成的硅酸盐绿色发光 荧光体，其中，相对于硅的含量1摩尔，以0.15~0.90摩尔的量含有镁。
[0005] 现有技术文献
[0006] 专利文献
[0007] 专利文献1:日本特开2008-266410号公报(权利要求10、第0052、0053段等）
[0008] 专利文献2:日本特开2013-136697号公报(权利要求1)
【发明内容】
[0009]发明要解决的课题
[0010] 专利文献1所记载的绿色荧光体存在发光特性不充分的问题，特别是其内部量子 效率和外部量子效率低。此外，专利文献2所记载的娃酸盐绿色发光焚光体的发光强度相对 于热的稳定性高，但发光特性需要的进一步提高。
[0011] 本发明的目的在于提供一种发光特性优于以往的荧光体和使用有该荧光体的发 光装置。
[0012] 用于解决课题的手段
[0013] 为了实现以上的目的，本发明人反复深入研究，结果发现，通过在将硅酸锶钡用铕 进行赋活而成的荧光体中添加预定的第三族元素，能够使发光特性良好。
[0014] 即，本发明涉及一种荧光体，其特征在于，其组成以下式(1)表示。
[0015] (SrwBahEux.MYMDSiOf · cMgO · · ·式（1)
[0016] (此处，Μ1为选自Y和Tb的至少一种的第三族元素，Μ2为选自Li、Na和K的碱金属，0〈a <2、0〈b〈2、0彡c〈l、0.001彡cK0.06、0彡e彡0.06、0〈x〈0.1、3.7<f<4.1)。
[0017] 此外，本发明涉及一种发光装置，其特征在于，其具备上述荧光体、对该荧光体照 射激发光而使其发光的光源。
[0018] 发明效果
[0019] 根据本发明，能够提供一种发光特性优异的荧光体和使用有该荧光体的发光装 置。
【具体实施方式】
[0020] 1 ·荧光体
[0021] 本发明的荧光体的组成以下式(1)表示。
[0022] (SrhBab.Eux.MVMDSiOf · cMgO · · ·式（1)
[0023] (此处，Μ1为选自Y和Tb的至少一种的第三族元素，Μ2为选自Li、Na和K的碱金属，0〈a <2、0〈b〈2、0彡c〈l、0.001彡cK0.06、0彡e彡0.06、0〈x〈0.1、3.7<f<4.1)。
[0024] 换言之，本发明的荧光体是将硅酸锶钡用铕进行赋活而成的硅酸盐绿色荧光体， 其含有选自钇(Y)和铽(Tb)的至少一种的第三族元素和作为可选成分的镁(Mg)。
[0025] 在式（1)中，Μ1为选自Y和Tb的至少一种的第三族元素，单独含有Y或Tb，或者含有Y 和Tb双方。从内部量子效率和外部量子效率高的角度考虑，这些之中，Y是更优选的。
[0026] M1相对于Si的1摩尔的摩尔比、即上述d的值在0.001彡d彡0.06的范围内，优选在 0.0015<d<0.05的范围内，更优选在0.0025<d<0.03的范围内。无论d的值低于0.001还 是高于0.06,内部量子效率和外部量子效率均会降低，发光特性容易劣化。需要说明的是， 相对于荧光体总量，以质量基准计，M 1的含量优选在500~16000ppm的范围内，更优选在 1500~13000ppm的范围内。无论M1的含量低于500ppm还是高于16000ppm，内部量子效率和 外部量子效率均会降低，发光特性容易劣化。
[0027] 锶相对于Si的1摩尔的摩尔比、即上述a的值在0〈a〈2的范围内，优选在1彡a彡1.5 的范围内，更优选在1.2<a<0.96的范围内。a的值越接近0,则发光光谱的半峰宽越容易变 得狭窄，若a的值为2以上，则发光强度容易降低。
[0028] 钡相对于Si的1摩尔的摩尔比、即上述b的值在0〈b〈2的范围内，优选在0.5彡b彡 0.98的范围内，更优选在0.6<b<0.96的范围内。b的值越接近0，发光强度越容易降低，若b 的值为1以上，则发光光谱的半峰宽容易变得狭窄。
[0029] 铕为赋活剂，在荧光体中作为发光原子，具有发光的性质。铕相对于Si的1摩尔的 摩尔比、即上述X的值在0〈x〈0.1的范围内，优选在0.01<x<0.07的范围内，更优选在0.02 <χ<0.05的范围内。X的值越接近0,则发光原子越少，因此发光强度越容易变弱，若X的值 为0.1以上，则发光原子为高浓度，彼此靠近而相互抵消发光，因此发光强度容易变弱。
[0030] 在本发明中，镁为可选成分，但与不含有镁的情况相比，荧光体含有镁的情况下， 荧光体的内部量子效率和外部量子效率更高，因此是优选的。镁相对于Si的1摩尔的摩尔 比、即上述c的值在0 < c〈 1的范围内，优选在0.15<c<0.90的范围内，更优选在0.20 < c < 0.80的范围内。c = 0时是不含有镁的组成。需要说明的是，含有镁时的荧光体是含有以 "（3。，8&卜]?1(1)31〇4 411/表示的荧光体或以"（3&〇1，8&卜￡!，]?1(1，]\%_)31〇￡41^(0彡€[+后彡 0.2) "表示的荧光体以及MgO等的混合物，例如可以在后述的制造方法中，按照原料的摩尔 比计，锶元素:钡元素:镁元素 J1元素:硅元素:铕元素=a: b: c: d: 1: X的方式进行烧制而得 到含有镁的荧光体。
[0031] 在本发明中，可以进一步含有作为可选成分的碱金属元素(Μ2)。碱金属元素在荧 光体中具有增感作为第三族元素的Μ 1而提高内部量子效率和外部量子效率的功能，因此优 选在荧光体中含有碱金属元素。作为碱金属元素，优选选自锂(Li)、钠(Na)和钾(Κ)的1种以 上。对于荧光体中所含有的碱金属元素的含量，将碱金属元素相对于Si的1摩尔的摩尔比设 为e时，优选荧光体中含有与上述M 1等摩尔(摩尔比为1:1、即e = d)的碱金属元素。含有碱金 属(元素 M2)的情况下，优选在0.001<e<0.06的范围内，更优选在0.0015<e<0.05的范围 内，特别优选在〇.〇〇25<e<0.03的范围内。需要说明的是，e = 0时是不含有碱金属元素的 组成。
[0032] 需要说明的是，不含有碱金属元素 (M2)的情况下，本发明的荧光体可以由以下的 式(2)表示。
[0033] (SrwBahEuxUSiOf · cMgO · · ·式（2)
[0034] (此处，Μ1为选自Y和Tb的至少一种的第三族元素，0〈a〈2、0〈b〈2、0<c〈l、0.0015< d彡0.045、0〈x〈0.1、3.7<f<4.1)。
[0035] 在式（1)中，f在3.7彡f彡4.1的范围内，优选3.8彡f彡4.0,更优选f = 3.9。若f低于 3.7或高于4.1，则发光效率容易降低。
[0036]在利用波长400nm的光进行激发时，本发明的荧光体发出峰值波长在510~530nm 的范围的绿色光。进一步优选本发明的荧光体发出上述绿色光的同时发出峰值波长在波长 435~450nm的范围的蓝色光。对于蓝色光的发光强度，将绿色光的发光强度设为1时，蓝色 光的发光强度优选在0.0015~0.020的范围，特别优选在0.005~0.010的范围。
[0037]如上所述，本发明的荧光体含有选自Y和Tb的至少一种的第三族元素，且具有式 (1)的组成，因此特别是以内部量子效率和外部量子效率表示的发光特性优于现有的荧光 体。内部量子效率是指相对于所吸收的激发光子数的产生光子数。另一方面，外部量子效率 是指相对于所照射的光子数的外部产生光子数，可以利用"内部量子效率X吸收率"的式子 进行计算。外部量子效率是指相对于从激发源照射的光子数的发光量，因此特别是在如白 色LED那样的发光装置中，外部量子效率是比内部量子效率重要的参数。与现有的荧光体相 比，本发明的荧光体的外部量子效率优异，具体地说，可以使利用波长400nm的激发光激发 时的外部量子效率为66 %以上、优选为67 %以上、更优选为68 %以上。此处，外部量子效率 可以利用后述的实施例所记载的方法进行计算。
[0038] 2.荧光体的制造方法
[0039] 本发明的荧光体可以利用例如下述方法进行制造:根据需要，将锶化合物粉末、钡 化合物粉末、硅化合物粉末、含M1的化合物粉末以及铕化合物粉末与含M 2的化合物粉末、镁 化合物粉末混合，并对所得到的粉末混合物进行烧制。
[0040] 锶化合物粉末、钡化合物粉末、硅化合物粉末、含M1的化合物粉末、铕化合物粉末、 含M2的化合物粉末和镁化合物粉末的各原料粉末分别可以为氧化物粉末，也可以为氢氧化 物、卤化物、碳酸盐(包括碱性碳酸盐）、硝酸盐、草酸盐等加热下生成氧化物的化合物的粉 末。
[0041] 作为锶化合物粉末的具体例，对其没有特别限制，可以使用例如选自由碳酸锶 (SrC03)、氢氧化锶(Sr(0H) 2)、氟化锶(SrF2)、溴化锶(SrBr2)、氯化锶（SrCl2)、碘化锶（Srl 2) 组成的组中的1种以上。
[0042] 作为钡化合物粉末的具体例，对其没有特别限制，可以使用例如选自由碳酸钡 (BaC03)、氢氧化钡(Ba (0H) 2)、氟化钡(BaF2)、溴化钡(BaBr2)、氯化钡(BaCl 2)、碘化钡(Ba12) 组成的组中的1种以上。
[0043] 作为硅化合物粉末的具体例，对其没有特别限制，可以使用例如选自由二氧化硅 (Si02)、原硅酸(H4Si〇4)、偏硅酸(H 2Si03)、偏二硅酸(H2Si2〇5)组成的组中的1种以上。
[0044] 作为镁化合物粉末的具体例，对其没有特别限制，可以使用例如选自由氧化镁 (MgO)、氢氧化镁(Mg(0H)2)和碳酸镁(MgC0 3)组成的组中的1种以上。
[0045] 作为含M1的化合物粉末，可以选自钇化合物粉末、铽化合物粉末和它们的混合粉 末。作为钇化合物粉末的具体例，对其没有特别限制，可以使用例如选自由氧化钇（III) (Y 2〇3)、氢氧化钇(Y(〇H)3)组成的组中的1种以上。作为铽化合物粉末的具体例，对其没有特 别限制，可以使用例如选自由氧化铽（ΠΙ) (Tb2〇3)、氧化铽（III、IV) (Tb4〇7)、氢氧化铽 (III)(Tb(0H)3)、氢氧化铽(IV)(Tb(0H)4)组成的组中的1种以上。
[0046] 作为铕化合物粉末的具体例，对其没有特别限制，可以使用例如氧化铕（III) (Eu2〇3)、氧化铕（II)(EuO)、氢氧化铕（III)(Eu(0H) 3)组成的组中的1种以上。
[0047] 这些原料粉末可以分别单独使用一种，也可以合用两种以上。各原料粉末的纯度 优选为99质量％以上。
[0048] 为了使上述原料粉末的混合比例大致保持为式（1)的组成比，调整混合比例使其 为所期望的组成比例。即，混合锶化合物粉末使锶元素的摩尔数相对于原料粉末的硅含量1 摩尔为a。对于其他的化合物粉末也同样进行。
[0049] 原料粉末的混合物中可以添加助熔剂。助熔剂优选为卤化物，特别优选为氯化合 物。优选在原料粉末的一部分中使用氯化合物粉末作为助熔剂。特别优选使用锶的氯化合 物粉末。对于助熔剂的添加量，以粉末混合物中的硅含量为1摩尔，优选为卤素量达到 0.0001~0.5摩尔的范围的量，特别优选为卤素量达到0.01~0.5摩尔的范围的量。
[0050] 原料粉末的混合方法可以采用干式混合法和湿式混合法的任一方法。以湿式混合 法对原料粉末进行混合的情况下，可以使用旋转球磨机、振动球磨机、行星式磨机、油漆混 合器、摇摆式磨机、摇摆式混合机、珠磨机、搅拌机等。溶剂可以使用水;乙醇、异丙醇等低级 醇。
[0051] 粉末混合物的烧制优选在还原性气体气氛下进行。作为还原性气体，可以使用0.5 ~5.0体积％的氢与99.5~95.0体积％的惰性气体的混合气体。作为惰性气体的示例，可以 举出氩和/或氮。烧制温度通常在900~1300°C的范围内。烧制时间通常在0.5~100小时的 范围内，优选在〇.5~10小时的范围内。
[0052] 将加热下生成氧化物的化合物的粉末用于原料粉末的情况下，优选在还原性气体 气氛下进行烧制前，将粉末混合物在大气气氛下以600~850°C的温度进行0.5~100小时的 预烧。预烧时间特别优选在0.5~10小时的范围内。利用烧制所得到的荧光体可以根据需要 进行分级处理、基于盐酸或硝酸等无机酸的酸清洗处理、烘焙处理。
[0053] 3.发光装置
[0054]本发明的荧光体可以用于各种发光装置。本发明的发光装置至少具备以上式（1) 表示的荧光体、对该荧光体照射激发光而使其发光的光源。作为发光装置的具体例，可以举 出白色发光二极管(LED)、荧光灯、荧光显示管(VFD)、阴极射线管(CRT)、等离子体显示器面 板(PDP)、场发射显示器(FED)等。其中，白色LED为下述发光装置，该发光装置具备本发明的 荧光体(绿色荧光体）、红色荧光体、蓝色荧光体、发出例如波长350~430nm的紫外光的半导 体发光元件，利用来自发光元件的紫外光激发这些荧光体，利用绿、红、青的混色得到白色。 [0055] 作为蓝色发光荧光体的示例，可以举出（Ba，Sr，Ca) 3MgSi208:Eu、（Ba，Sr，Ca) MgAlioOmEujBaJrJgJahtKPCk^ClFkEu等。作为红色发光荧光体的示例，可以举出 (Ba，Sr，Ca)3MgSi2〇8 :Eu，Mn、Y2O2S :Eu、La2〇3S: Eu、（Ca，Sr，Ba)2Si5N8: Eu、CaAlSiN3 :Eu、 Eu2W2〇9、（Ca，Sr，Ba)2Si5N8:Eu，Mn、CaTi〇3:Pr，Bi、（La，Eu)2W3〇i2。作为半导体发光元件，可以 举出AlGaN系半导体发光元件。对于发光装置的详细内容，可以参照专利文献2。
[0056] 实施例
[0057]以下，基于实施例对本发明进行具体的说明，但这些实施例并不限定本发明的目 的。
[0058] 1.荧光体的特性评价方法
[0059]荧光体的各种特性的评价方法如下所述。
[0000]〈吸收率、内部量子效率、外部量子效率>
[0061 ] 使用JASCO ENGINEERING株式会社制FP-8500,按照以下顺序进行测定。
[0062] 1)将标准白板安装在积分球的内侧底部。在该标准白板上，对其表面垂直照射峰 值波长400nm的紫外光。对经积分球壁散射的光的光谱进行测定，对波长380~410nm的光的 峰面积(L1)进行测定。
[0063] 2)将硅酸盐荧光体试样填充至试样保持器中，并将试样保持器安装在积分球的内 侧底部。在试样保持器的硅酸盐荧光体试样上，对其表面垂直照射峰值波长400nm的紫外 光。对经积分球壁散射的光的光谱进行测定，对波长380~410nm的光的峰面积(L2)和波长 410~700nm的光的峰面积(E)进行测定。并且，由下式计算出硅酸盐荧光体试样的吸收率、 内部量子效率、外部量子效率。
[0064] 吸收率（％) = 100X(L1_L2)/L1
[0065] 硅酸盐荧光体试样的内部量子效率（％ ) = 100 XE/(L1-L2)
[0066] 硅酸盐荧光体试样的外部量子效率（％ ) = 100 X E/L1
[0067] 2.实验例1:]?1 = ￥、添加1^、不添加]\%
[0068] (实施例 1-1: Sr〇.96Bao.95Eu〇.〇3Yo.〇3Lio.〇3Si〇4)
[0069] 将碳酸锶粉末(纯度:99.8质量％、平均粒径:2.73μπι)、碳酸钡粉末(纯度:99.8质 量％、平均粒径：1.26μπι)、三氧化铕粉末(纯度:99.9质量％、平均粒径:2.7Ιμπι)、二氧化硅 粉末(纯度:99.9质量％、平均粒径:3.87μπι)、氟化锶粉末(纯度:99.9质量％ )、溴化锶粉末 (纯度:99.9质量％ )、氧化钇(纯度:99.9质量％ )、碳酸锂(纯度:99.9质量％ )按照Sr⑶3: BaC03: Eu2〇3: Si02: SrF2: SrBr2: Y2〇3: Li2C03的摩尔比分别为0 · 94:0 · 95 :0 · 015:1:0 · 01: 0.01:0.015:0.015的方式进行称量(表1)。需要说明的是，各原料粉末的平均粒径均为利用 激光衍射散射法测定的值。
[0070] 将称量的各原料粉末与纯水一起投入球磨机中，进行24小时的湿式混合，得到粉 末混合物的浆料。利用喷雾干燥机对所得到的浆料进行喷雾干燥，得到平均粒径为40μπι的 粉末混合物。将所得到的粉末混合物加入氧化铝坩锅中，在大气气氛下以800°C的温度烧制 3小时，接着，放置冷却至室温后，在2体积％氢-98体积％氩的混合气体气氛下以1200°C的 温度烧制6小时，得到荧光体。
[0071]对所得到的荧光体的吸收率、内部量子效率、外部量子效率进行测定、计算。其结 果，吸收率为84.6 %、内部量子效率为81.1 %、外部量子效率为68.5 %。将该结果列于表2。 需要说明的是，各组成中的氧数是将Sr、Ba、Eu、S i、Mg、Zn的价数设为2价、将Μ1、Al、Ce、La、 Gd、W的价数设为3价计算出的理论值。
[0072](比较例Η)
[0073]不添加实施例1-1的氧化钇粉末（比较例1-1 )，并按照表1的混合比例进行混合，除 此之外，与实施例1-1同样地进行，得到荧光体。对所得到的荧光体的吸收率、内部量子效 率、外部量子效率进行测定、计算。将该结果列于表2。
[0074] 3.实验例2:]?1 = ￥、添加1^、添加]\%
[0075] (实施例2-1)
[0076] 如实施例1-1，其中，进一步添加氧化儀粉末（利用气相法制造、纯度：99.98质 量％、BET比表面积:8m 2/g)，并按照表1的混合比例进行混合，除此之外，与实施例1 -1同样 地进行，得到荧光体(Sro.96Bao.85Eu〇.Q3Y Q.Q3Lio.Q3Si03.9 · 0 · 3Mg0)。对所得到的荧光体的吸收 率、内部量子效率、外部量子效率进行测定、计算。将该结果列于表2。
[0077] (比较例2-1 ~2-3)
[0078] 不添加氧化钇粉末(比较例2-1)、或者使用实验例1的氧化锌(比较例2-2)、实验例 1的氧化铝（比较例2-3)代替实施例2-1的氧化钇粉末，并按照表1的混合比例进行混合，除 此之外，与实施例2-1同样地进行，得到荧光体。对所得到的荧光体的吸收率、内部量子效 率、外部量子效率进行测定、计算。将该结果列于表2。
[0079] 4.实验例不添加 Li、添加 Mg
[0080] (实施例3-1)
[0081 ]如实施例2-1，其中，不添加碳酸锂，按照表1的混合比例进行混合，除此之外，与实 施例2-1同样地进行，得到荧光体(Sro. 99Ba〇. 85Eu〇. Q3YQ. Q3Si03.915 · 0 · 3Mg0)。对所得到的荧光 体的吸收率、内部量子效率、外部量子效率进行测定、计算。将该结果列于表2。
[0082] (比较例3-1 ~3-3)
[0083] 不添加氧化钇粉末(比较例3-1)、或者使用实验例1的氧化锌(比较例3-2)、实验例 1的氧化铝（比较例3-3)代替实施例3-1的氧化钇粉末，并按照表1的混合比例进行混合，除 此之外，与实施例3-1同样地进行，得到荧光体。对所得到的荧光体的吸收率、内部量子效 率、外部量子效率进行测定、计算。将该结果列于表2。
[0084] 5.实验例4:]?1 = ￥，113、添加1^、添加]\%
[0085] (实施例4-1)
[0086] 如实施例2-1，其中，按照表1的混合比例进行混合，除此之外，与实施例2-1同样地 进行，得到荧光体(SMBao.ssEuo.t^Yo.tnLio.tnSiOs.g · 0.3Mg0)。对所得到的荧光体的吸收 率、内部量子效率、外部量子效率进行测定、计算。将该结果列于表2。
[0087](实施例4-2)
[0088]如实施例4-1，其中，使用氧化铽(纯度:99.9质量％ )代替氧化钇，并按照表1的混 合比例进行混合，除此之外，与实施例4 - 1同样地进行，得到荧光体 (Sri.Q〇5Ba().85Eu().()25Tb().()iLi().()iSi〇3.9 · 0.3MgO)。对所得到的焚光体的吸收率、内部量子效 率、外部量子效率进行测定、计算。将该结果列于表2。
[0089] (比较例 4-1 ~4_5)
[0090] 不添加氧化钇粉末(纯度:99.9质量％:比较例4-1)、或者使用氧化铈(纯度:99.9 质量％ :比较例4-2)、氧化镧(纯度:99.9质量％ :比较例4-3)、氧化钨(纯度:99.9质量％ :比 较例4-4)、氧化钆(纯度:99.9质量％:比较例4-5)代替实施例4-1的氧化钇粉末，并按照表1 的混合比例进行混合，除此之外，与实施例4-1同样地进行，得到荧光体。对所得到的荧光体 的吸收率、内部量子效率、外部量子效率进行测定、计算。将该结果列于表2。
[0091] 【表1】
[0092]
[0095]对于各个实验例1~4,比较实施例和比较例时可知，与不含有Y或Tb的情况或含有 其他金属的比较例相比，含有Y或TM乍为M1的实施例在内部量子效率和外部量子效率这二 方面均优异。
[0096]此外，比较实施例1-1和实施例2-1时可知，与不含Mg的实施例1-1相比，含有Mg的 实施例2-1的内部量子效率、外部量子效率均优异。此外，比较实施例2-1和实施例3-1时可 知，与不含有Li的实施例1-1相比，含有Li的实施例2-1的内部量子效率、外部量子效率均优 异。由此可知，与仅单独使用任一者的情况相比，合用Mg和Li时发光特性优异。
[0097] 6.实验例5:M1 = Y(含量变动）、添加 Li、添加 Mg、X = 0.025
[0098] (实施例 5_1)
[0099] 如实施例2-1，其中，按照表3的混合比例进行混合，除此之外，与实施例2-1同样地 进行，得到焚光体(Srl.()l5Ba().85Eu().()25Y().()()5Li().()()5Si03.9·0·3Mg0)。对所得到的焚光体的吸 收率、内部量子效率、外部量子效率进行测定、计算。将该结果列于表4。
[0100] (实施例5-2~5-6、比较例5-1)
[0101 ]如实施例5-1，其中，按照表3的混合比例进行混合，除此之外，与实施例5-1同样地 进行，得到荧光体。对所得到的荧光体的吸收率、内部量子效率、外部量子效率进行测定、计 算。将该结果列于表4。
[0102] 7.实验例6以1 = ￥(含量变动）、添加1^、添加1%^ = 0.03 [0103](实施例 6_1)
[0104] 如实施例2-1，其中，按照表3的混合比例进行混合，除此之外，与实施例2-1同样地 进行，得到焚光体（Sri.Q165Ba〇.85EU().()3Y().()()175Li().()()175Si〇3.9 · 0.3Mg0)。对所得到的焚光体的 吸收率、内部量子效率、外部量子效率进行测定、计算。将该结果列于表4。
[0105] (实施例6-2~6-7、比较例6-1~6-5)
[0106]如实施例6-1，其中，按照表3的混合比例进行混合，除此之外，与实施例6-1同样地 进行，得到荧光体。对所得到的荧光体的吸收率、内部量子效率、外部量子效率进行测定、计 算。将该结果列于表4。
[0107]【表3】
[0108]
[0111]由Eu的含量为0.025(相对于硅1摩尔的摩尔比）的实验例5的结果可知，与不含有Y 的比较例5-1相比，Y的含量为0.005~0.03(相对于硅1摩尔的摩尔比）的实施例5-1~5-6的 内部量子效率、外部量子效率均优异。同样地，由Eu的含量为0.03 (相对于娃1摩尔的摩尔 比）的实验例6的结果可知，与不含有Y的比较例6-1相比，Y的含量为0.00175~0.04(相对于 硅1摩尔的摩尔比）的实施例6-1~6-7的内部量子效率、外部量子效率均优异。此外，可知Y 的含量低于0.001的比较例6-2和比较例6-3、Y的含量高于0.06的比较例6-4和比较例6-5任 一情况下的内部量子效率、外部量子效率均比实施例差。
【主权项】
1. 一种荧光体，其特征在于，其组成以下式(I)表示， (SraiBab1EuxiM1dlM2e)SiOfcMgO. ··式（1) 此处，M1为选自Y和Tb的至少一种的第三族元素，M2为选自Li、Na和K的碱金属，0〈a〈2、0〈 b〈2、0彡c〈l、0.001彡cK0.06、0彡e彡0.06、0〈x〈0.1、3.7<f<4.1。2. 如权利要求1所述的荧光体，其特征在于，以质量基准计，所述M1的含量在500ppm~ 16000ppm的范围内。3. 如权利要求1或2所述的荧光体，其特征在于，所述X在0.025<x<0.03的范围内。4. 如权利要求1~3中任一项所述的荧光体，其特征在于，利用波长400nm的激发光进行 激发时的外部量子效率为66%以上。5. -种发光装置，其特征在于，其具备权利要求1~4中任一项所述的荧光体、对该荧光 体照射激发光而使其发光的光源。
【文档编号】C09K11/59GK105916964SQ201580004419
【公开日】2016年8月31日
【申请日】2015年1月21日
【发明人】天谷仁, 福田晃, 福田晃一
【申请人】宇部兴产株式会社