本发明涉及一种基于microled的扫描式3d打印方法。
背景技术:
立体光刻技术(sla)是一种重要的3d打印方法,多用于光敏树脂的3d打印。sla技术的光源分为两种,一种是点光源,一种是面光源。以投影光刻为代表的dlp技术由于采用面光源,大大缩短了每层扫描的时间,从而节约了打印时间。而传统的投影方式需要为复杂的光路系统,且由于投影面积不能太大,大大限制了成型幅面,对于大尺寸成型较为困难,且耗时。
为改善上述缺陷,本发明提供了一种新型的基于microled的扫描式3d打印方法。
技术实现要素:
本发明提供了一种基于microled的扫描式3d打印方法。该打印方法可以简化光源系统,对幅面大小无限制,大大提高了打印幅面和打印速度。
一种基于microled的扫描式3d打印方法,其特征在于,其包括:
1)通过计算机及控制软件控制运动部件的运动及microled光源系统;
2)成型过程中,microled光源系统部分浸入或全部浸入可紫外固化的树脂液中;
3)介质腔充入具有抑制反应的液体或气体抑制剂;
4)microled依据电脑控制形成分切图案,对树脂层进行扫描式曝光;
5)成型层曝光结束后,z轴方向移动成型平台或光源系统,进行下一层扫描曝光;
同时,通过控制microled每个像素点的亮暗、扫描移动速度、图案分切及刷新速率,实现每个成型层中任意微小固化成型单元的曝光量相当。
microled光源系统,其特征在于,光源系统包括microled阵列102、microled散热系统101、光源准直装置103、介质腔104、可渗透组件105。
microled阵列,阵列长度l大于2个像素,宽度w大于2个像素,优选的为l大于10000个像素,w大于1000个像素。每个像素尺寸为长≥2μm,宽≥2μm。
每一个led像素可定址,并单独驱动点亮,并可控制其亮度。
microled光波长为190~420nm,可以是单波长。
microled光波长为190~420nm,可以是多波长或一段波长构成的波谱。
每颗microled在190-420nm范围的光功率为0.001微瓦到1毫瓦。
microled散热系统,是指在led基片上安装的散热片、散热膜、微型风扇或散热水路。
光源准直装置,是指把microled发射的光收敛为平行光的装置,例如微透镜阵列等,但不限于上述装置。
介质腔104,是指充入抑制剂的结构。
抑制剂,是指对自由基聚合反应有抑制作用的物质,例如氧气,含氧气体或液体,能够分解产生氧气的物质等,但不限于上述物质。
抑制剂,是指对阳离子聚合反应有抑制作用的物质,例如碱性物质,含碱性物质的气体或液体,能够分解产生碱性物质的化合物等,但不限于上述物质。其中碱性物质是指,氨气、有机胺类等,但不限于上述物质。
可渗透组件,是指对氧气、含氧气体、氨气等抑制剂具有渗透作用的组件,例如有机薄膜、多孔无机薄膜及其组合部件。有机薄膜是指聚硅氧烷薄膜、氟化聚合物薄膜等,但不限于上述薄膜。多空无机薄膜是指多孔玻璃、多空金属薄板等,但不限于上述部件。
光源系统完全浸入树脂106。
光源系统部分浸入树脂106,是指光源系统的可渗透组件浸入树脂。
介质腔充入抑制剂,抑制剂通过可渗透组件渗透至树脂层,形成一不固化层107。不固化层厚度为1微米至800微米,优选的为20微米至300微米。
在成型过程中,上述不固化层稳定存在。
料槽固定,光源系统可沿水平方向运动。
microled依据电脑控制形成分切图案,对树脂层进行扫描式曝光。
扫描式曝光,是指光源系统曝光的同时,沿水平方向移动,曝光图案进行刷新,用计算机及控制软件控制microled每个或若干个刷新周期刷新下一位置的图形,使各图形连续拼接成所需曝光图形,完成一个成型层的曝光。
一个成型层完成后,成型平台沿垂直方向远离光源系统一定距离,达到下一层成型面,进行下一层曝光扫描。上述远离距离为1微米至500微米,优选的为10微米至200微米。
一个成型层完成后,光源系统沿垂直方向远离成型平台一定距离,达到下一层成型面,进行下一层曝光扫描。上述远离距离为1微米至500微米,优选的为10微米至200微米。
每个成型层,通过控制microled每个像素点的亮暗、扫描移动速度、图案分切及刷新速率,实现每个成型层中任意微小固化成型单元的曝光量相当。上述的微小固化成型单元,其特征在于,单元尺寸为microled像素点尺寸的0.2-3.5倍,优选的为0.5-2.5倍。上述的曝光量相当是指任意微小固化成型单元的曝光量差异小于10%,优选的为小于7%。
附图说明
图1为基于microled的扫描式3d打印方法示意图
应理解,在阅读了本发明的内容后,本领域技术人员可以对本发明做各种改动或修改,这些等价形式同样在本技术所附权利要求书所限定的范围。