一种隐形防伪印章及其制备方法与流程

本发明涉及印章制备技术领域，具体涉及一种隐形防伪印章及其制备方法。

背景技术：

在我国，印章是人们的工作与生活中经常用到的工具，包括政府或者企业的工作开展、运营或经营当中都涉及到印章的使用。印章具有法律效力，对于个人、企业或是政府来说是很重要的凭证，因此常有不法分子为了牟利制作假印章，这也造成了非常严重的社会影响与经济损失。于是，实现印章的防伪是非常重要的事情。

目前来说，印章的防伪策略主要包括三个方面：(1)防伪数字，即防伪码，这个数字前几位是由印章管理单位的统一编号，后几位是印章刻制公司的流水编号，具有唯一性与可查询性；(2)防伪字体，印章的字体是专业的防伪字体，难以被仿制；(3)印章的防伪线，即在印章边缘或者字体上，图形上具有一些不规制的白色缺口，从而对防伪造成了一定的难度。

然而，以上传统的防伪方法，都仅能实现一定程度上的印章防伪。在得以获得印章表面的高清照片的情况下，印章仍然有很大概率可以被伪造。于是，目前也出现了将芯片植入印章当中的防伪方法，然而即使是芯片也是有可能复制的，或者与印章产生分离。为了解决该问题，需要发明一种“看不见”的印章，即隐形防伪印章。

技术实现要素：

针对现有技术中的上述不足，本发明提供了一种隐形防伪印章及其制备方法，隐形防伪印章主要通过表面的亲水/疏水间隔来实现转印，而在印章表面将会是一整块光滑均匀的平面，无法通过照片实现对印章的仿制，从而达到防伪的效果，且印章的制备方法流程简单，所需时间较短，有效解决了印章易被伪造等问题。

为实现上述目的，本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种隐形防伪印章的制备方法，依次包括以下步骤：

(1)贴片制备：将聚二甲基硅氧烷和固化剂按质量比2～10:1混匀，然后放入真空干燥箱内脱泡1～2h，待气泡完全消失后取出并平铺在玻璃板上，二次脱泡20～40min，再倒入模具中，在60～75℃温度下固化成型2～4h，得贴片；

(2)氧等离子体处理：将步骤(1)所得贴片清洗并吹干，然后氧等离子体处理30～60s，再放入0.4～0.6wt％十二烷基硫酸钠溶液中浸泡20～40s，最后依次经冲洗、吹干，得聚二甲基硅氧烷表面；其中，氧等离子体处理时射频功率为120～140w，氧气流量为150～160sccm；

(3)接枝疏水分子：采用水溶性聚合物在步骤(2)所得聚二甲基硅氧烷表面3d打印掩膜，然后置于氮气氛围中，通入混合气体，在60～80℃下加热60～120min，降温至室温后取出印章，最后用去离子水清洗2～4次，得隐形防伪印章；其中，混合气体通过以下方法制备得到：将疏水分子加热至气态，然后与氮气按体积比1:1混合，得混合气体。

进一步，聚二甲基硅氧烷粘度为10～2000mpa.s。

进一步，固化剂为道康宁184固化剂、正硅酸乙酯或二月二丁基肉桂酸锡。

进一步，步骤(2)中，贴片依次经去离子水、丙酮和无水乙醇超声清洗1～2次，压缩空气吹干。

进一步，步骤(2)中，最后用去离子水冲洗20～40s，氮气吹干。

进一步，混合气体气流量为0.1～0.2l/min。

进一步，疏水分子为三甲氧基(1h，1h，2h，2h-十七氟癸基)硅烷、三甲氧基(1h,1h,2h,2h-九氟己基)硅烷或三甲氧基(1h，1h，2h，2h-十三氟正辛基)硅烷。

进一步，水溶性聚合物为聚乙烯亚胺、聚丙烯酰胺或甲氧基封端的聚乙二醇。

采用上述的隐形防伪印章的制备方法制得的隐形防伪印章。

综上所述，本发明具有以下优点：

1、本发明的隐形防伪印章主要通过表面的亲水/疏水间隔来实现转印，而在印章表面将会是一整块光滑均匀的平面，无法通过照片实现对印章的仿制，从而达到防伪的效果，制备方法流程简单，所需时间较短，有效解决了印章易被伪造等问题。

2、在制备时以聚二甲基硅氧烷为原材料，通过与固化剂交联成型，制备得印章表面贴片，不同的聚二甲基硅氧烷和固化剂的质量比，所得贴片硬度也不同，可以制得不同手感的印章；随后对贴片进行氧等离子体处理，使整个贴片变为超亲水，且表面含有大量-oh，使得聚二甲基硅氧烷表面达到良好的亲水性且不出现裂纹。在进行印章制备时，不采用传统雕刻工艺。首先将与印章贴片表面契合的掩模贴在印章表面，随后通过激光刻蚀的方式将掩模刻掉多余部分，完成刻字；然后将贴有掩模的印章贴片置于反应腔体中，通过化学气相沉积的方法(cvd)，将疏水分子(如三甲氧基(1h,1h,2h,2h-十七氟癸基)硅烷等)接枝于印章贴片表面，随后将掩模取掉即可完成印章制备。该制备工艺流程简单易控制，能够快速制得隐形防伪印章，提高印章的制备效率。

3、在打印掩膜时选用水溶性聚合物目的有二，一是在氧等离子体处理后，材料表面为亲水性，利用水溶性聚合物与表面相容性更好，粘附性更强；二是在最后一步去除掩模的过程中，可以直接通过水洗的操作进行去除，便于去除。本发明利用材料的亲水和疏水作用，实现了表面的光滑隐形，材料在接触墨水或印油后，可以完成特定的图案的转印，实现印章的隐形防伪，难以仿制伪造。

附图说明

图1为隐形防伪印章的制备流程示意图。

具体实施方式

实施例1

一种隐形防伪印章，其制备方法，依次包括以下步骤：

(1)贴片制备：将聚二甲基硅氧烷和道康宁184固化剂按质量比2:1混匀，然后放入真空干燥箱内脱泡1h，待气泡完全消失后取出并平铺在玻璃板上，二次脱泡20min，再倒入模具中，在60℃温度下固化成型2h，得贴片；

(2)氧等离子体处理：将步骤(1)所得贴片依次经去离子水、丙酮和无水乙醇超声清洗2次，压缩空气吹干，然后氧等离子体处理30s，再放入0.5wt％十二烷基硫酸钠溶液中浸泡20s，最后用去离子水冲洗20s，氮气吹干，得聚二甲基硅氧烷表面；其中，氧等离子体处理时射频功率为120w，氧气流量为150sccm；

(3)接枝疏水分子：采用聚乙烯亚胺在步骤(2)所得聚二甲基硅氧烷表面3d打印掩膜，然后置于氮气氛围中，通入混合气体，在60℃下加热120min，降温至室温后取出印章，最后用去离子水清洗3次，得隐形防伪印章；其中，混合气体通过以下方法制备得到：将三甲氧基(1h，1h，2h，2h-十七氟癸基)硅烷加热至气态，然后与氮气按体积比1:1混合，得混合气体；混合气体气流量为0.1l/min。

实施例2

一种隐形防伪印章，其制备方法，依次包括以下步骤：

(1)贴片制备：将聚二甲基硅氧烷和道康宁184固化剂按质量比4:1混匀，然后放入真空干燥箱内脱泡2h，待气泡完全消失后取出并平铺在玻璃板上，二次脱泡20～40min，再倒入模具中，在70℃温度下固化成型3h，得贴片；

(2)氧等离子体处理：将步骤(1)所得贴片依次经去离子水、丙酮和无水乙醇超声清洗2次，压缩空气吹干，然后氧等离子体处理40s，再放入0.5wt％十二烷基硫酸钠溶液中浸泡30s，最后用去离子水冲洗30s，氮气吹干，得聚二甲基硅氧烷表面；其中，氧等离子体处理时射频功率为130w，氧气流量为155sccm；

(3)接枝疏水分子：采用甲氧基封端的聚乙二醇在聚二甲基硅氧烷表面3d打印掩膜，然后置于氮气氛围中，通入混合气体，在70℃下加热100min，降温至室温后取出印章，最后用去离子水清洗3次，得隐形防伪印章；其中，混合气体通过以下方法制备得到：将三甲氧基(1h,1h,2h,2h-九氟己基)硅烷加热至气态，然后与氮气按体积比1:1混合，得混合气体；混合气体气流量为0.2l/min。

实施例3

一种隐形防伪印章，其制备方法，依次包括以下步骤：

(1)贴片制备：将聚二甲基硅氧烷和道康宁184固化剂按质量比6:1混匀，然后放入真空干燥箱内脱泡2h，待气泡完全消失后取出并平铺在玻璃板上，二次脱泡30min，再倒入模具中，在70℃温度下固化成型3h，得贴片；

(2)氧等离子体处理：将步骤(1)所得贴片依次经去离子水、丙酮和无水乙醇超声清洗2次，压缩空气吹干，然后氧等离子体处理40s，再放入0.5wt％十二烷基硫酸钠溶液中浸泡30s，最后用去离子水冲洗30s，氮气吹干，得聚二甲基硅氧烷表面；其中，氧等离子体处理时射频功率为130w，氧气流量为155sccm；

(3)接枝疏水分子：采用聚乙烯亚胺在步骤(2)所得聚二甲基硅氧烷表面3d打印掩膜，然后置于氮气氛围中，通入混合气体，在80℃下加热80min，降温至室温后取出印章，最后用去离子水清洗3次，得隐形防伪印章；其中，混合气体通过以下方法制备得到：将三甲氧基(1h，1h，2h，2h-十三氟正辛基)硅烷加热至气态，然后与氮气按体积比1:1混合，得混合气体；混合气体气流量为0.1l/min。

实施例4

一种隐形防伪印章，其制备方法，依次包括以下步骤：

(1)贴片制备：将聚二甲基硅氧烷和道康宁184固化剂按质量比8:1混匀，然后放入真空干燥箱内脱泡2h，待气泡完全消失后取出并平铺在玻璃板上，二次脱泡30min，再倒入模具中，在75℃温度下固化成型3h，得贴片；

(2)氧等离子体处理：将步骤(1)所得贴片依次经去离子水、丙酮和无水乙醇超声清洗1次，压缩空气吹干，然后氧等离子体处理50s，再放入0.5wt％十二烷基硫酸钠溶液中浸泡30s，最后用去离子水冲洗30s，氮气吹干，得聚二甲基硅氧烷表面；其中，氧等离子体处理时射频功率为130w，氧气流量为158sccm；

(3)接枝疏水分子：采用甲氧基封端的聚乙二醇在步骤(2)所得聚二甲基硅氧烷表面3d打印掩膜，然后置于氮气氛围中，通入混合气体，在80℃下加热60min，降温至室温后取出印章，最后用去离子水清洗3次，得隐形防伪印章；其中，混合气体通过以下方法制备得到：将三甲氧基(1h，1h，2h，2h-十七氟癸基)硅烷加热至气态，然后与氮气按体积比1:1混合，得混合气体；混合气体气流量为0.2l/min。

实施例5

一种隐形防伪印章，其制备方法，依次包括以下步骤：

(1)贴片制备：将聚二甲基硅氧烷和道康宁184固化剂按质量比10:1混匀，然后放入真空干燥箱内脱泡2h，待气泡完全消失后取出并平铺在玻璃板上，二次脱泡40min，再倒入模具中，在75℃温度下固化成型4h，得贴片；

(2)氧等离子体处理：将步骤(1)所得贴片依次经去离子水、丙酮和无水乙醇超声清洗2次，压缩空气吹干，然后氧等离子体处理60s，再放入0.6wt％十二烷基硫酸钠溶液中浸泡40s，最后用去离子水冲洗40s，氮气吹干，得聚二甲基硅氧烷表面；其中，氧等离子体处理时射频功率为140w，氧气流量为160sccm；

(3)接枝疏水分子：采用聚丙烯酰胺在步骤(2)所得聚二甲基硅氧烷表面3d打印掩膜，然后置于氮气氛围中，通入混合气体，在80℃下加热80min，降温至室温后取出印章，最后用去离子水清洗4次，得隐形防伪印章；其中，混合气体通过以下方法制备得到：将三甲氧基(1h,1h,2h,2h-九氟己基)硅烷加热至气态，然后与氮气按体积比1:1混合，得混合气体；混合气体气流量为0.2l/min。

虽然结合附图对本发明的具体实施方式进行了详细地描述，但不应理解为对本专利的保护范围的限定。在权利要求书所描述的范围内，本领域技术人员不经创造性劳动即可作出的各种修改和变形仍属本专利的保护范围。