专利名称：微波炉的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种微波炉。
背景技术：
现有一种微波炉高压变压器次级一般只输出2000VAC左右，且次级绕组一端通过与变压器骨架接触来接地，因此在微波炉次级后面带有一个半波倍压电路，高压变压器在一个正弦波的半个周期内先对半波倍压电路中的电容充电，然后利用高压变压器的另外半个反向周期时的输出，叠加原先已经充完电的电容组成一个4000VAC左右的电压给磁控管使其工作，为了防止高压变压器的高温导致绕组起火等安全事故，一般在高压变压器次级绕组和高压电容之间串联一个高压保险丝组件，当发生像高压二极管击穿等异常时，次级绕组的电流超过高压保险丝的电流限值，保险丝就会烧毁以起到保护作用，由于磁控管在启动的瞬间最高能产生一个2 3万伏的反向脉冲，从磁控管的正极经过高压电容、次级绕 组回到磁控管的负极，为了应付磁控管的反向脉冲，高压变压器和高压电容都有特殊的耐压要求，这就增加了微波炉的成本。
发明内容因此，本实用新型的第一目的在于提供一种能够处理磁控管的反向脉冲且能降低成本的微波炉。上述目的采用下述技术方案给予实现。一种微波炉，包括高压变压器、磁控管、高压电容和高压二极管，高压变压器又包括骨架、初级绕组、次级绕组和灯丝绕组，次级绕组、高压二极管和高压电容构成半波倍压电路，磁控管的阴极与灯丝绕组连接组成加热回路，所述磁控管阳极经次级绕组到磁控管阴极的电路中的磁控管阳极到高压电容之间设有处理磁控管脉冲波的截断器。上述技术方案还可作下述进一步完善。所述截断器设在高压二极管输出端和高压电容之间的电路与地之间，它为二极管，二极管的输出端接地，磁控管阳极接地。所述截断器设在次级绕组的接地端，它为二极管，二极管的输出端接地，输入端连接半波倍压电路，磁控管阳极接地。所述截断器设在磁控管阳极端，它为二极管，二极管的输入端接地，输出端与磁控管阳极电连接，高压二极管输出端和与其相连接的高压电容一端之间的电路中有接地点。所述加热回路中设有移相器。所述半波倍压电路中设有电压通断控制器。本实用新型的第二目的在于提供一种能够处理磁控管的反向脉冲、能降低成本的且进一步提高磁控管输出功率的微波炉。上述目的采用下述技术方案给予实现。一种微波炉，包括高压变压器、变压器、磁控管、高压电容和高压二极管，高压变压器又包括骨架、初级绕组、次级绕组，次级绕组、高压二极管和高压电容构成半波倍压电路，所述磁控管阳极经次级绕组到磁控管阴极的电路中的磁控管阳极到高压电容之间设有处理磁控管脉冲波的截断器。[0015]变压器包括输入绕组和输出绕组，输出绕组与磁控管阴极电连接。本实用新型设计合理，通过在磁控管阳极经次级绕组到磁控管阴极的电路中的磁控管阳极到高压电容之间设有处理磁控管脉冲波的截断器，可以降低高压电容耐压要求。通过在高压变压器中增加电压通断控制器和移相器，提高变压器效率，通过增加一个变压器大大提高磁控管输出功率。
图I为实施例I高压部分的电气图。图2为实施例2高压部分的电气图。图3为实施例3高压部分的电气图。图4为实施例4高压部分的电气图。图5为实施例5高压部分的电气图。图6为实施例6高压部分的电气图。图7为实施例7高压部分的电气图。图8为实施例8高压部分的电气图。图9为实施例9高压部分的电气图。图10为实施例10高压部分的电气图。图11为实施例11高压部分的电气图。图12为实施例12高压部分的电气图。图13为实施例13高压部分的电气图。图14为实施例14高压部分的电气图。图15为实施例15高压部分的电气图。图16为实施例16高压部分的电气图。图17为实施例17高压部分的电气图。图18为实施例18高压部分的电气图。图19为实施例19高压部分的电气图。图20为实施例20高压部分的电气图。
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本实用新型作进一步详述。实施例1，结合图I，一种微波炉，包括高压变压器I、高压保险丝8、高压电容9、高压二极管10、磁控管11、二极管12、13，高压变压器I又包括初级绕组2、次级绕组3和灯丝绕组4、初级绕组具有输入端5、6、7，次级绕组3、高压保险丝8、高压二极管10和高压电容9构成半波倍压电路，磁控管11的阴极与灯丝绕组4连接组成加热回路，加热回路与高压二极管10的输入端及次级绕组3的一个输出端连接，高压二极管10的输出端与高压电容9一端连接，二极管12、13串联，二极管13的输出端与微波炉的地电连接，二极管12的输入端连接于高压二极管10的输出端与对应的高压电容9 一端之间的电路，磁控管11的阳极与微波炉的地连接。[0039]实施例2，结合图2，实施例2与实施例I的区别在于灯丝绕组4和磁控管阴极组成的加热回路中增加移相器14。实施例3，结合图3，实施例3与实施例I的区别在于取消二极管13，二极管12的输出端与微波炉地连接。实施例4，结合图4，实施例4与实施例3的区别在于在高压保险丝8和高压二极管10之间增加电压通断控制器15。实施例5，结合图5，实施例5与实施例3的区别在于用组合的二极管21代替高压二极管10和二极管12，组合二极管21有a、b和c三端，a端为输入端与高压保险丝8、磁控管阴极连接，b端为公共端对应与高压电容9 一端连接，c端为输出端与微波炉地连接。实施例6，结合图6，实施例6与实施例3的区别在于截断器22由高压二极管24以及与高压二极管24并联的负载28组成，由于有负载28来减弱脉冲，所以半波倍压电路中高压电容9和高压变压器I的耐压要求可以降低，负载28可以为电阻型、电感型、电容型或其他类型的器件，其要求就是能够分担脉冲电压。实施例7，结合图7，一种微波炉，包括高压变压器I、高压保险丝8、高压电容9、高压二极管10、磁控管11、二极管12，高压变压器I又包括初级绕组2、次级绕组3和灯丝绕组4、初级绕组具有输入端5、6、7，次级绕组3、高压保险丝8、高压二极管10和高压电容9构成半波倍压电路，高压二极管10的输出端以及高压电容9的一端接地，次级绕组3 —端与高压电容9的另一端连接，磁控管11的阴极与灯丝绕组4连接组成加热回路，加热回路与高压二极管10的输入端及高压保险丝8—端连接，二极管12的输入端接地，输出端与磁控管11阳极连接。实施例8，结合图8，一种微波炉，包括高压变压器I、变压器16、高压保险丝8、高压电容9、高压二极管10、磁控管11、二极管12，高压变压器I又包括初级绕组2、次级绕组3，初级绕组具有输入端5、7，次级绕组3、高压保险丝8、高压二极管10和高压电容9构成半波倍压电路。变压器16包括输入绕组17和输出绕组18，输出绕组18与磁控管11阴极构成加热回路。输入绕组17具有输入端19、20。加热回路连接于半波倍压电路中的高压二极管10的输入端和高压保险丝8之间，二极管12的输出端与微波炉的地电连接，二极管12的输入端连接于高压二极管10的输出端与高压电容9 一端之间的电路，磁控管11阳极与微波炉的地连接。实施例9，结合图9，一种微波炉，包括高压变压器I、高压保险丝8、高压电容9、高压二极管10、磁控管11、二极管12、13，高压变压器I又包括初级绕组2、次级绕组3和灯丝绕组4、初级绕组具有输入端5、6、7，次级绕组3、高压保险丝8、高压电容9和高压二极管10构成半波倍压电路，磁控管11的阴极与灯丝绕组4连接组成加热回路，加热回路与高压电容9 一端及高压二极管10输入端连接，高压二极管10的输出端对应与次级绕组3 —输出端连接，二极管12、13串联，二极管13的输出端与微波炉的地电连接，二极管12的输入端连接于高压二极管10的输出端与对应的次级绕组3 —输出端之间的电路，磁控管11的阳极与微波炉的地连接。[0049]实施例10，结合图10，实施例10与实施例9的区别在于灯丝绕组4和磁控管阴极组成的加热回路中增加移相器14。实施例11，结合图11，实施例11与实施例9的区别在于取消二极管13，二极管12的输出端与微波炉地连接。实施例12，结合图12，实施例12与实施例11的区别在于在高压保险丝8和高压电容9之间增加电压通断控制器15。实施例13，结合图13，实施例13与实施例11的区别在于用组合的二极管21代替高压二极管10和二极管12，组合二极管21有a、b和c三端，a端为输入端与高压电容、磁控管阴极连接，b端为公共端对应与次级绕组一输出端连接，c端为输出端与微波炉地连接。实施例14，结合图14，一种微波炉，包括高压变压器I、高压保险丝8、高压电容9、高压二极管10、磁控管11、二极管12，高压变压器I又包括初级绕组2、次级绕组3和灯丝绕组4、初级绕组具有输入端5、6、7，次级绕组3、高压保险丝8、高压电容9和高压二极管10构成半波倍压电路，高压二极管10的输出端接地，次级绕组一端接地，磁控管11的阴极与灯丝绕组4连接组成加热回路，加热回路与高压电容9 一端及高压二极管10输入端连接，二极管12的输入端接地，输出端与磁控管11阳极连接。实施例15，结合图15，实施例例15与实施例14的区别在于截断器设在高压保险丝8和高压电容9之间，由二极管24和可控硅23反向并联组成截断器22，二极管24的正极朝磁控管11反向脉冲进入的方向，截断器22放置在高压保险丝8和高压电容9之间，当高压电容处在充电的半波时，可控硅23被触发，高压电容9充电正常，当高压电容9处在放电的半波(即微波输出的半波)时，可控硅23截止，磁控管11的反向脉冲被二极管24截止，阻止其进入到高压电容9内。实施例16，结合图16，实施例16与实施例15的区别在于截断器22由负载28、可控硅23和二极管24并联组成，二极管24和可控硅23反向并联且二极管24的输出端朝反向脉冲进入的方向，由于截断器22增加了可控硅23，因此截断器22可以放置在微波炉的地至IJ高压电容9之间的电路中的任意点，负载28可以为电阻型、电感型、电容型或其他类型的器件，其要求就是能够分担脉冲电压。实施例17，结合图17，实施例17与实施例15的区别在于截断器22由两个可控硅23,25和两个二极管24、26组成，两个可控硅之间串联，两个二极管之间串联，然后可控硅和二极管之间并联设在高压保险丝8和高压电容9之间。实施例18，结合图18，实施例18与实施例15的区别在于截断器22设在次级绕组的接地端，由二极管24和可控硅23反向并联组成，二极管24的输出端朝向磁控管11反向脉冲进入的方向。实施例19，结合图19，实施例19与实施例18的区别在于截断器22中的可控硅由负载28代替，并且高压二极管10的输出端不再接地，而是与二极管24的输入端连接。由于有负载28来减弱脉冲，所以充电回路中高压电容9和高压变压器I的耐压要求可以降低，负载28可以为电阻型、电感型、电容型或其他类型的器件，其要求就是能够分担脉冲电压。实施例20，结合图20，一种微波炉，包括高压变压器I、变压器16、高压保险丝8、高压电容9、高压二极管10、磁控管11、二极管12，高压变压器I又包括初级绕组2、次级绕组3，初级绕组具有输入端5、7，次级绕组3、高压保险丝8、高压电容9和高压二极管10构成半波倍压电路。变压器16包括输入绕组17和输出绕组18，输出绕组18与磁控管11阴极构成加热回路。输入绕组17具有输入端19、20。加热回路连接于半波倍压电路中的高压二极管10的输入端，二极管12的输出端与微波炉的地电连接，二极管12的输入端连接于高压二极管10的输出端与高压电容9 一端之间的电路，磁控管11阳极与微波炉的地连接。至于在本实施例中增加移相器、电压通断控制器、及二极管12与磁控管11阳极的连接变化均与上述实施例结构原理一致，在此不再累述。本专利的目的在于增加能处理磁控管启动时进入到高压电容的反向脉冲的器件，该器件又不能影响到磁控管的正常工作，二极管是最好的选择，其他类似于二极管的器件 也在本专利的保护范围内，为了保证磁控管正常工作，二极管放在电路的不同位置或电路的不同连接方式就需要附加不同的器件，但主要处理磁控管反向脉冲的是二极管。
权利要求1.一种微波炉，包括高压变压器、磁控管、高压电容和高压二极管，高压变压器又包括骨架、初级绕组、次级绕组和灯丝绕组，次级绕组、高压二极管和高压电容构成半波倍压电路，磁控管的阴极与灯丝绕组连接组成加热回路，其特征在于所述磁控管阳极经次级绕组到磁控管阴极的电路中的磁控管阳极到高压电容之间设有处理磁控管脉冲波的截断器。
2.根据权利要求I所述微波炉，其特征在于所述截断器设在高压二极管输出端和高压电容之间的电路与地之间，它为二极管，二极管的输出端接地，磁控管阳极接地。
3.根据权利要求I所述微波炉，其特征在于所述截断器设在次级绕组的接地端，它为二极管，二极管的输出端接地，输入端连接半波倍压电路，磁控管阳极接地。
4.根据权利要求I所述微波炉，其特征在于所述截断器设在磁控管阳极端，它为二极管，二极管的输入端接地，输出端与磁控管阳极电连接，高压二极管输出端和与其相连接的高压电容一端之间的电路中有接地点。
5.根据权利要求I所述微波炉，其特征在于所述加热回路中设有移相器。
6.根据权利要求I所述微波炉，其特征在于所述半波倍压电路中设有电压通断控制器。
7.一种微波炉，包括高压变压器、磁控管、高压电容和高压二极管，高压变压器又包括骨架、初级绕组、次级绕组，次级绕组、高压二极管和高压电容构成半波倍压电路，其特征在于所述磁控管阳极经次级绕组到磁控管阴极的电路中的磁控管阳极到高压电容之间设有处理磁控管脉冲波的截断器； 还包括一变压器，变压器包括输入绕组和输出绕组，输出绕组与磁控管阴极电连接。
专利摘要本实用新型涉及一种微波炉。它包括高压变压器、磁控管、高压电容和高压二极管，高压变压器又包括骨架、初级绕组、次级绕组和灯丝绕组，次级绕组、高压二极管和高压电容构成半波倍压电路,磁控管的阴极与灯丝绕组连接组成加热回路，所述磁控管阳极经次级绕组到磁控管阴极的电路中的磁控管阳极到高压电容之间设有处理磁控管脉冲波的截断器。本实用新型设计合理，通过在高压二极管输入端至磁控管阳极之间增加一个截断器来处理磁控管启动时的反向脉冲，从而可以降低高压电容的耐压要求。通过在高压变压器中增加电压通断控制器和移相器，提高变压器效率，通过增加一个变压器大大提高磁控管的输出功率。
文档编号F24C7/00GK202385321SQ201120512979
公开日2012年8月15日 申请日期2011年12月12日 优先权日2011年6月18日
发明者梁伟国 申请人:梁伟国