本发明涉及电子元件烧结炉的技术领域，具体为一种烧结电子元件的排胶与烧结组合炉的加热元件结构。
背景技术：
现有的电子元件的烧结，其均通过烧结炉烧结而成，烧结炉包括有排胶区域、烧结区域，由于现有的烧结区域、排胶区域为直线排布，使得整个炉体的长度很长，不利于设备的合理布置，为此，设计了排胶炉和烧结炉的烧结电子元件的排胶与烧结组合炉作为现有烧结炉的替换结构，现有的烧结炉的烧结区域为单一加热源，其使得整个烧结区域的温度为一个相对较高温度，然而在实际烧结过程中，物料伴随着烧结区域的轨道，其所需要的温度并不是一个恒温环境，而现有的烧结炉为了保证整个烧结区域内部的烧结温度，其均布置较高温度的加热元件，使得整个烧结能源利用率低，不利于节能环保。
技术实现要素：
针对上述问题，本发明提供了一种烧结电子元件的排胶与烧结组合炉的加热元件结构，使得整个炉膛的入口区、过渡区、烧结成型区、保温出口区内分别设置加热元件，确保物料烧结的同时，降低能源的耗费，确保节能环保。
一种烧结电子元件的排胶与烧结组合炉的加热元件结构，其特征在于：其包括烧结炉膛，所述烧结炉膛的内部自入口至出口位置设置有四个加热区域，包括入口区、过渡区、烧结成型区、保温出口区，所述入口区的侧壁上布置有电阻丝加热元件，所述电阻丝加热元件的内部延伸至烧结炉膛区域，所述过渡区、保温出口区的侧壁上分别布置有硅碳棒加热元件，所述硅碳棒加热元件的热端位于烧结炉膛区域，所述烧结成型区的顶部插装有硅钼棒加热元件，所述硅钼棒加热元件的底部位于所述烧结炉膛的两侧壁内侧。
其进一步特征在于：所述电阻丝加热元件的工作加热温度为800～1000℃，所述硅碳棒加热元件的工作温度为900～1300℃，所述硅钼棒加热元件的工作温度为1000～1650℃；
其包括有两段独立布置的电阻加热丝元件区域，分别为R1、R2区域，R1、R2区域内的所述电阻丝加热元件布置于所述烧结炉膛的一侧，R1、R2区域内的所述电阻丝加热元件分别布置于所述烧结炉膛的腔体的上、下位置，具体为上层、下层电阻丝加热元件；
所述电阻加热丝元件区域内的电阻丝加热元件具体为U型电阻丝棒，R1、R2区域内所述U型电阻丝棒的两电极分别外露于所述烧结炉膛的外侧壁，同一区域内的同层的电阻丝加热元件的电极通过加热器连接带串联连接，同一区域内的不同层的电阻丝加热元件通过铜排并联连接，确保R1、R2独立控制；
其包括有五段独立布置的硅钼棒加热元件区域，分别为R6、R7、R8、R9、R10区域；
成对的硅钼棒加热元件分别对应插装于R6、R7、R8、R9、R10区域对应位置的所述烧结炉膛的腔体的两侧，每对硅钼棒加热元件均由独立的控制结构独立控制开关；
所述过渡区设置有三个区域的硅碳棒加热元件，分别为R3、R4、R5区域，所述保温出口区设置有一个区域的硅碳棒加热元件，具体为R11区域，R3、R4、R5、R11区域内的所述硅碳棒加热元件分别布置于所述烧结炉膛的腔体的上、下位置，具体为上层、下层硅碳棒加热元件；
所述硅碳棒加热元件包括两端的冷端、中间的热部，所述硅碳棒加热元件的两端冷端分别外露于所述烧结炉膛的外侧壁，同一区域内的同层的硅碳棒加热元件的冷端通过铝箔带首尾连接形成串联连接，同一区域内的不同层的硅碳棒加热元件通过铜排连接、形成并联连接，确保R3、R4、R5、R11区域独立控制；
所述R1～R11区域所对应的加热元件顺着所述烧结炉膛的物料输送方向顺次布置。
采用上述技术方案后，由于所述烧结炉膛的内部自入口至出口位置设置有四个加热区域，包括入口区、过渡区、烧结成型区、保温出口区，所述入口区的侧壁上布置有电阻丝加热元件，所述电阻丝加热元件的内部延伸至烧结炉膛区域，所述过渡区、保温出口区的侧壁上分别布置有硅碳棒加热元件，所述硅碳棒加热元件的热端位于烧结炉膛区域，所述烧结成型区的顶部插装有硅钼棒加热元件，所述硅钼棒加热元件的底部位于所述烧结炉膛的两侧壁内侧，其使得每个区域设置有独立的加热元件，且由于电阻丝加热元件的工作加热温度为800～1000℃，所述硅碳棒加热元件的工作温度为900～1300℃，所述硅钼棒加热元件的工作温度为1000～1650℃，其使得烧结炉膛沿着物料输送方向自入口区、过渡区、烧结成型区逐步升温，使得物料烧结成型，之后在保温出口区经过保温、最终出炉，得整个炉膛的入口区、过渡区、烧结成型区、保温出口区内分别设置加热元件，确保物料烧结的同时，降低能源的耗费，确保节能环保。
附图说明
图1为本发明的主视图示意图；
图2为本发明的后视图的加热元件的安装详图(省略R6～R10区域)；
图3图2的后视图结构示意图(省略R6～R10区域)；
图4为图1的A-A剖视图结构示意图；
图5为本发明的电阻加热丝元件的结构示意图；
图6为本发明的硅碳棒加热元件的结构示意图；
图7为本发明的硅钼棒加热元件的结构示意图；
图中序号所对应的名称如下：
烧结炉膛1、入口区2、过渡区3、烧结成型区4、保温出口区5、电阻丝加热元件6、硅碳棒加热元件7、热端8、硅钼棒加热元件9、电极10、加热器连接带11、冷端12、铝箔带13、第一铜排14、第二铜排15。
具体实施方式
一种烧结电子元件的排胶与烧结组合炉的加热元件结构，见图1～图7：其包括烧结炉膛1，烧结炉膛1的内部自入口至出口位置设置有四个加热区域，包括入口区2、过渡区3、烧结成型区4、保温出口区5，入口区2的侧壁上布置有电阻丝加热元件6，电阻丝加热元件6的内部延伸至烧结炉膛1区域，过渡区2、保温出口区5的侧壁上分别布置有硅碳棒加热元件7，硅碳棒加热元件7的热端8位于烧结炉膛1区域，烧结成型区4的顶部插装有硅钼棒加热元件9，硅钼棒加热元件9的底部位于烧结炉膛1的两侧壁内侧。
电阻丝加热元件6的工作加热温度为800～1000℃，硅碳棒加热元件7的工作温度为900～1300℃，硅钼棒加热元件9的工作温度为1000～1650℃；
其包括有两段独立布置的电阻加热丝元件区域，分别为R1、R2区域，R1、R2区域内的电阻丝加热元件6布置于烧结炉膛1的一侧，R1、R2区域内的电阻丝加热元件6分别布置于烧结炉膛1的腔体的上、下位置，具体为上层、下层电阻丝加热元件；
电阻加热丝元件区域内的电阻丝加热元件6具体为U型电阻丝棒，R1、R2区域内U型电阻丝棒的两电极10分别外露于烧结炉膛1的外侧壁，同一区域内的同层的电阻丝加热元件6的电极10通过加热器连接带11串联连接，同一区域内的不同层的电阻丝加热元件6通过第一铜排14并联连接，确保R1、R2独立控制；
其包括有五段独立布置的硅钼棒加热元件区域，分别为R6、R7、R8、R9、R10区域；
成对的硅钼棒加热元件9分别对应插装于R6、R7、R8、R9、R10区域对应位置的烧结炉膛1的腔体的两侧，每对硅钼棒加热元件9均由独立的控制结构独立控制开关；
过渡区3设置有三个区域的硅碳棒加热元件7，具体为R3、R4、R5区域，保温出口区5设置有一个区域的硅碳棒加热元件7，具体为R11区域，R3、R4、R5、R11区域内的硅碳棒加热元件7分别布置于烧结炉膛1的腔体的上、下位置，具体为上层、下层硅碳棒加热元件；
硅碳棒加热元件7包括两端的冷端12、中间的热部8，硅碳棒加热元件7的两端冷端12分别外露于烧结炉膛1的外侧壁，同一区域内的同层的硅碳棒加热元件7的冷端12通过铝箔带13首尾连接形成串联连接，同一区域内的不同层的硅碳棒加热元件7的通过第二铜排15连接、形成并联连接，确保R3、R4、R5、R11区域独立控制；
第一铜排14、第二铜排15均挂锡；
R1～R11区域所对应的加热元件顺着烧结炉膛的物料输送方向顺次布置，每个区域内的加热元件独立控制，确保节能环保。
以上对本发明的具体实施例进行了详细说明，但内容仅为本发明创造的较佳实施例，不能被认为用于限定本发明创造的实施范围。凡依本发明创造申请范围所作的均等变化与改进等，均应仍归属于本发明的专利涵盖范围之内。