本技术涉及碳化硅生产领域,具体而言,涉及一种碳化硅洁净车间及碳化硅生产厂房。
背景技术:
1、作为第三代半导体材料的代表,碳化硅(sic)具有宽禁带、高击穿电场、高热导率、高饱和电子迁移率等特点,因此采用碳化硅材料制备的半导体器件适用于高电压、大电流、高温、高频等场景,前景十分广阔。
2、经发明人研究发现,现有的碳化硅洁净车间对空气的洁净度要求很高,相应地对新风的需求量很大,导致新风系统能耗较高。
技术实现思路
1、本实用新型的目的在于提供一种碳化硅洁净车间和碳化硅生产厂房,其能够有效减少新风系统的能耗,降低碳化硅生产的成本。
2、本实用新型的实施例是这样实现的:
3、第一方面,本实用新型提供一种碳化硅洁净车间,包括:
4、车间本体,所述车间本体设置有进风口和排风口,所述进风口处设置有第一过滤单元;
5、回气管路,所述回气管路的两端分别与所述进风口和所述排风口连通;
6、空气处理机组,所述空气处理机组设置于所述回气管路;
7、空气冷却结构,所述空气冷却结构设置于所述回气管路。
8、在可选的实施方式中,所述空气处理机组包括依次设置的进风段、化学过滤段、中效过滤段、均流段、风机段、高效过滤段以及出风段。
9、在可选的实施方式中,所述第一过滤单元为ffu。
10、在可选的实施方式中,所述空气冷却结构为dcc。
11、在可选的实施方式中,所述进风口位于所述车间本体的顶部,所述排风口位于所述车间本体的底部。
12、在可选的实施方式中,沿所述回气管路中的气流方向,所述空气冷却结构位于所述空气处理机组的下游。
13、在可选的实施方式中,碳化硅洁净车间还包括工艺设备、支撑架以及防护罩,所述支撑架放置于所述车间本体的地面,所述工艺设备放置于所述支撑架,所述防护罩设置于所述支撑架且与所述支撑架共同形成容纳所述工艺设备的工作空间,所述防护罩的顶部设置有进气口,所述支撑架设置有排气口,所述进气口和所述排气口分别与所述工作空间连通。
14、在可选的实施方式中,所述进气口处设置有第二过滤单元。
15、在可选的实施方式中,所述第二过滤单元为efu。
16、第二方面,本实用新型提供一种碳化硅生产厂房,包括前述实施方式任一项所述的碳化硅洁净车间。
17、本实用新型实施例的有益效果包括:
18、本碳化硅洁净车间包括车间本体、回气管路、空气处理机组及空气冷却结构,车间本体设置有进风口和排风口,进风口处设置有第一过滤单元,回气管路的两端分别与进风口和排风口连通,空气处理机组设置于回气管路,空气冷却结构设置于回气管路。通过设置带有空气处理机组和空气冷却结构的回气管路,车间本体内排出的空气可以经过处理和冷却后,重新变为洁净度和温度满足相关要求的新风回到车间本体内,如此新风系统产生的新风可以循环利用,从而减少对新风系统的新风需求,降低新风系统的能耗,降低碳化硅的生产成本。
1.一种碳化硅洁净车间(20),其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的碳化硅洁净车间(20),其特征在于,所述空气处理机组(400)包括依次设置的进风段(410)、化学过滤段(420)、中效过滤段(430)、均流段(440)、风机段(450)、高效过滤段(460)以及出风段(470)。
3.根据权利要求1所述的碳化硅洁净车间(20),其特征在于,所述第一过滤单元(112)为ffu。
4.根据权利要求1所述的碳化硅洁净车间(20),其特征在于,所述空气冷却结构(500)为dcc。
5.根据权利要求1所述的碳化硅洁净车间(20),其特征在于,所述进风口(110)位于所述车间本体(100)的顶部,所述排风口(120)位于所述车间本体(100)的底部。
6.根据权利要求1所述的碳化硅洁净车间(20),其特征在于,沿所述回气管路(300)中的气流方向,所述空气冷却结构(500)位于所述空气处理机组(400)的下游。
7.根据权利要求1所述的碳化硅洁净车间(20),其特征在于,碳化硅洁净车间(20)还包括工艺设备(200)、支撑架(210)以及防护罩(220),所述支撑架(210)放置于所述车间本体(100)的地面,所述工艺设备(200)放置于所述支撑架(210),所述防护罩(220)设置于所述支撑架(210)且与所述支撑架(210)共同形成容纳所述工艺设备(200)的工作空间(240),所述防护罩(220)的顶部设置有进气口(222),所述支撑架(210)设置有排气口(212),所述进气口(222)和所述排气口(212)分别与所述工作空间(240)连通。
8.根据权利要求7所述的碳化硅洁净车间(20),其特征在于,所述进气口(222)处设置有第二过滤单元(224)。
9.根据权利要求8所述的碳化硅洁净车间(20),其特征在于,所述第二过滤单元(224)为efu。
10.一种碳化硅生产厂房(10),其特征在于,包括权利要求1-9任一项所述的碳化硅洁净车间(20)。