一种PTC水加热器介质温度采样装置的制作方法

本技术涉及ptc水加热器介质温度采样领域，尤其涉及一种ptc水加热器介质温度采样装置。

背景技术：

1、传统ptc水加热器的进、出水口温度采集是将树脂温度传感器(线束型)插入介质流道的金属凹槽中，传感器通过感知内部流体流过金属凹槽处金属壳体的温度变化以实现产品的进、出水口温度采集，再通过线束接连到控制板塑座上对温度信号进行采集处理(mcu进行采集，通过lin总线上报温度)。此设计方案会在产品内部造成线束交错的问题，影响产品的emc性能(电磁兼容性能)，同时增加了产线生产过程中安装、制作等流程，不能满足整车厂提出的产品轻量化、降低成本等开发要求。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于克服现有技术之缺陷，提供了一种ptc水加热器介质温度采样装置，本实用新型至少解决了现有技术中的部分问题。

2、本实用新型是这样实现的：

3、本实用新型提供一种ptc水加热器介质温度采样装置，包括加热器壳体，加热器壳体内部分为介质加热区和控制区，加热器壳体在控制区的一侧设有介质进水管，加热器壳体在控制区的另一侧设有介质出水管，所述介质进水管和介质出水管均与介质加热区连通，所述控制区内设有控制板，所述控制板的底面设有第一ntc温度传感器和第二ntc温度传感器，第一ntc温度传感器和第二ntc温度传感器均与所述控制板电连接，加热器壳体靠近介质出水管的内壁上设有第一感温凸台，所述第一感温凸台的顶部开设有第一凹槽，所述第一凹槽内填充第一导热硅脂，所述第一ntc温度传感器包覆于所述第一导热硅脂内，所述第一ntc温度传感器与所述介质出水管的管壁通过第一导热硅脂相连；加热器壳体靠近介质进水管的内壁上设有第二感温凸台，所述第二感温凸台的顶部开设有第二凹槽，所述第二凹槽内填充第二导热硅脂，所述第二ntc温度传感器包覆于所述第二导热硅脂内，所述第二ntc温度传感器与所述介质进水管的管壁通过第二导热硅脂相连。

4、进一步地，所述第一ntc温度传感器和所述第二ntc温度传感器均靠近所述控制板的边缘设置。

5、进一步地，所述控制区内还设有若干控制板支撑柱，所述控制板支撑固定于所述控制板支撑柱上。

6、进一步地，所述第一感温凸台和所述第二感温凸台均与所述加热器壳体一体成型。

7、本实用新型具有以下有益效果：

8、本实用新型提供一种ptc水加热器介质温度采样装置，具备温度采集精度高、稳定性强、开发成本低等优点，能有效解决目前行业内ptc水加热器产品的通病(内部线束交错干扰导致的emc问题)，同时能极大减少产线人员的安装、制作等生产流程。

技术特征：

1.一种ptc水加热器介质温度采样装置，其特征在于：包括加热器壳体，加热器壳体内部分为介质加热区和控制区，加热器壳体在控制区的一侧设有介质进水管，加热器壳体在控制区的另一侧设有介质出水管，所述介质进水管和介质出水管均与介质加热区连通，所述控制区内设有控制板，所述控制板的底面设有第一ntc温度传感器和第二ntc温度传感器，第一ntc温度传感器和第二ntc温度传感器均与所述控制板电连接，加热器壳体靠近介质出水管的内壁上设有第一感温凸台，所述第一感温凸台的顶部开设有第一凹槽，所述第一凹槽内填充第一导热硅脂，所述第一ntc温度传感器包覆于所述第一导热硅脂内，所述第一ntc温度传感器与所述介质出水管的管壁通过第一导热硅脂相连；加热器壳体靠近介质进水管的内壁上设有第二感温凸台，所述第二感温凸台的顶部开设有第二凹槽，所述第二凹槽内填充第二导热硅脂，所述第二ntc温度传感器包覆于所述第二导热硅脂内，所述第二ntc温度传感器与所述介质进水管的管壁通过第二导热硅脂相连。

2.如权利要求1所述的ptc水加热器介质温度采样装置，其特征在于：所述第一ntc温度传感器和所述第二ntc温度传感器均靠近所述控制板的边缘设置。

3.如权利要求1所述的ptc水加热器介质温度采样装置，其特征在于：所述控制区内还设有若干控制板支撑柱，所述控制板支撑固定于所述控制板支撑柱上。

4.如权利要求1所述的ptc水加热器介质温度采样装置，其特征在于：所述第一感温凸台和所述第二感温凸台均与所述加热器壳体一体成型。

技术总结
本技术提供一种PTC水加热器介质温度采样装置，包括加热器壳体，加热器壳体内部分为介质加热区和控制区，加热器壳体在控制区的一侧设有介质进水管，加热器壳体在控制区的另一侧设有介质出水管，控制区内设有控制板，控制板的底面设有第一NTC温度传感器和第二NTC温度传感器，加热器壳体靠近介质出水管的内壁上设有第一感温凸台，第一感温凸台的顶部开设有第一凹槽，第一凹槽内填充第一导热硅脂，第一NTC温度传感器包覆于第一导热硅脂内；加热器壳体靠近介质进水管的内壁上设有第二感温凸台，第二感温凸台的顶部开设有第二凹槽，第二凹槽内填充第二导热硅脂，第二NTC温度传感器包覆于第二导热硅脂内。

技术研发人员：吴胜全,罗一博,王玮,孙雨
受保护的技术使用者：孝感华工高理电子有限公司
技术研发日：20230508
技术公布日：2024/1/15