吸附设备的制作方法

文档序号:4787262阅读:262来源:国知局
吸附设备的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种吸附设备包括装置平台,所述装置平台的上表面划分有一个或多个吸附区域;每个所述吸附区域凹设有吸附槽,每个所述吸附槽的槽底设置有一个或多个真空处;所述抽真空单元与所述每个真空处相连通;每个所述吸附区域包括p个相互平行的吸附槽。本实用新型的有益效果是:在需要固定基板的时候,将基板放置在装置平台上,基板与装置平台的上表面相接触;抽真空单元通过每个真空处对每个吸附槽与基板之间进行抽真空,从而将基板吸附固定在装置平台上。与现有的仅依靠真空处进行吸附固定相比,本实用新型的吸附设备采用吸附槽这个简单的结构,增加吸附面积,从而改善了吸附固定基板的效果,吸附槽的加工比较简单。
【专利说明】
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及一种吸附设备。 吸附设备

【背景技术】
[0002] 目前现有市场上的冷水机中使用的吸附设备的结构,主要由支盘管、翅片5、网兜 和吸附剂颗粒构成;其中翅片为铝片;支盘管穿过翅片,并和翅片连成一体,翅片与翅片之 间平行放置,翅片下方设置网兜;吸附剂颗粒填充于翅片之间的间隙中。工作时,当吸附设 备处于吸附过程中,制冷剂蒸汽进入冷水机的吸附腔中,同时吸附床的支盘管内通入冷却 水,支盘管的温度下降,经传导,与支盘管相连的翅片上的温度也下降,此时,翅片上的吸附 剂颗粒吸附制冷剂蒸汽;位于吸附设备外层的吸附剂颗粒首先进行制冷剂蒸汽的吸附,当 外层吸附剂颗粒吸附制冷剂蒸汽后膨胀变大,吸附剂颗粒与颗粒之间的间隙变小,制冷剂 蒸汽无法快速进入吸附设备内部,特别是吸附设备中心位置,从而导致吸附设备内部的吸 附剂颗粒无法发挥吸附作用吸收到制冷剂蒸汽,浪费了吸附设备内部的能量,同时也不能 最大限度的发挥吸附剂的吸附能力。
[0003] 当吸附设备处于解吸过程中,支盘管内通入热水,支盘管温度上升,经传导,与支 盘管相连的翅片上的温度也上升,翅片上的吸附剂颗粒受热,吸附于吸附剂颗粒上的制冷 剂从吸附剂颗粒上解吸出,由于吸附制冷剂后的吸附剂颗粒体积膨胀,吸附设备内部从吸 附剂颗粒上解吸出的制冷剂蒸汽无法快速离开吸附设备,必须等吸附设备外层的吸附剂颗 粒将制冷剂解吸出并且吸附剂颗粒体积缩小后,吸附设备内部的制冷剂蒸汽才能离开吸附 设备,导致整个解吸过程速度缓慢,效率低下。 实用新型内容
[0004] 本实用新型要解决的技术问题是,克服现有技术中的不足,提供一种吸附设备。
[0005] 为解决技术问题,本实用新型的解决方案是:
[0006] 提供一种吸附设备包括装置平台,所述装置平台的上表面划分有一个或多个吸附 区域;每个所述吸附区域凹设有吸附槽,每个所述吸附槽的槽底设置有一个或多个真空处; 抽真空单元,所述抽真空单元与所述每个真空处相连通;每个所述吸附区域包括P个相互 平行的吸附槽;其中,P是大于1的自然数;其特征在于,所述吸附槽包括水平上吸附凹槽和 垂直上吸附凹槽;每个所述吸附区域包括m个相互平行的水平上吸附凹槽和η个相互平行 的垂直上吸附凹槽,水平上吸附凹槽和垂直上吸附凹槽相交叉且交叉处相连通,交叉处为 mXn个;其中,m和η是大于1的自然数。
[0007] 本实用新型中,所述水平上吸附凹槽之间等间距分布,所述垂直上吸附凹槽之间 等间距分布,且最边缘的交叉处位于所述水平上吸附凹槽和所述垂直上吸附凹槽的端部。
[0008] 本实用新型中,每个所述真空处设置在交叉处的槽底。
[0009] 本实用新型中,所述多个真空处均匀分布。
[0010] 本实用新型中,所述多个真空处围合形成的图形是中心对称图形且是轴对称图 形。 toon] 本实用新型中,每个所述交叉处的槽底设置有一个真空处。
[0012] 本实用新型中,所述装置平台的上表面划分有1个吸附区域,所述吸附区域包括6 个相互平行的水平上吸附凹槽和6个相互平行的垂直上吸附凹槽;所述第1个,第3个,第 4个和第6个水平上吸附凹槽与第1个,第3个,第4个和第6个垂直上吸附凹槽的交叉处 的槽底设置有真空处;所述第2个和第5个水平上吸附凹槽与所述第2个和第5个垂直上 吸附凹槽的交叉处的槽底设置有真空处。
[0013] 本实用新型中,所述装置平台的上表面划分有四个吸附区域,所述四个吸附区域 按阵列两行X两列分布;每个所述吸附区域包括3个相互平行的水平上吸附凹槽和3个相 互平行的垂直上吸附凹槽;第一行第一列和第二行第二列的吸附区域的所述第1个水平上 吸附凹槽与第1个垂直上吸附凹槽的交叉处的槽底设置有真空处,所述第2个水平上吸附 凹槽与第2个垂直上吸附凹槽的交叉处的槽底设置有真空处,所述第3个水平上吸附凹槽 与第3个垂直上吸附凹槽的交叉处的槽底设置有真空处;第一行第二列和第二行第一列的 吸附区域的所述第1个水平上吸附凹槽与第3个垂直上吸附凹槽的交叉处的槽底设置有真 空处,所述第2个水平上吸附凹槽与第2个垂直上吸附凹槽的交叉处的槽底设置有真空处, 所述第3个水平上吸附凹槽与第1个垂直上吸附凹槽的交叉处的槽底设置有真空处。
[0014] 本实用新型中,还包括真空监测单元,所述真空监测单元与吸附区域一一对应,每 个真空监测单元和与之对应的吸附区域的吸附槽相连接。
[0015] 与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
[0016] 在需要固定基板的时候,将基板放置在装置平台上,基板与装置平台的上表面相 接触;启动抽真空单元,抽真空单元通过每个真空处对每个吸附槽与基板之间进行抽真空, 从而将基板吸附固定在装置平台上。与现有的仅依靠真空处进行吸附固定相比,本实用新 型的吸附设备采用吸附槽这个简单的结构,增加吸附面积,从而改善了吸附固定基板的效 果,同时,吸附槽的加工比较简单。

【专利附图】

【附图说明】
[0017] 图1为本实用新型的吸附装置的一个实施例的示意图;
[0018] 图2为本实用新型的吸附装置的另一个实施例的示意图。
[0019] 附图标记为:100、装置平台,111水平上吸附凹槽,112、垂直上吸附凹槽,113、交 错点,200、真空处。

【具体实施方式】
[0020] 以下的实施例可以使本专业【技术领域】的技术人员更全面的了解本实用新型,但不 以任何方式限制本实用新型。
[0021] 本实用新型提供一种吸附设备包括装置平台100的具体实施例,所述装置平台 100的上表面划分有一个或多个吸附区域;每个所述吸附区域凹设有吸附槽,每个所述吸 附槽的槽底设置有一个或多个真空处200 ;抽真空单元,所述抽真空单元与所述每个真空 处200相连通;每个所述吸附区域包括p个相互平行的吸附槽;其中,p是大于1的自然数; 其特征在于,所述吸附槽包括水平上吸附凹槽111和垂直上吸附凹槽112 ;每个所述吸附区 域包括m个相互平行的水平上吸附凹槽111和η个相互平行的垂直上吸附凹槽112,水平上 吸附凹槽111和垂直上吸附凹槽112相交叉且交叉处相连通,交叉处为mXn个;其中,m和 η是大于1的自然数。
[0022] 所述水平上吸附凹槽111之间等间距分布,所述垂直上吸附凹槽112之间等间距 分布,且最边缘的交叉处位于所述水平上吸附凹槽111和所述垂直上吸附凹槽112的端部。
[0023] 每个所述真空处200设置在交叉处的槽底,所述多个真空处200均匀分布。
[0024] 所述多个真空处200围合形成的图形是中心对称图形且是轴对称图形,每个所述 交叉处的槽底设置有一个真空处200。
[0025] 所述装置平台100的上表面划分有1个吸附区域,所述吸附区域包括6个相互平 行的水平上吸附凹槽111和6个相互平行的垂直上吸附凹槽112 ;所述第1个,第3个,第4 个和第6个水平上吸附凹槽111与第1个,第3个,第4个和第6个垂直上吸附凹槽112的 交叉处的槽底设置有真空处200 ;所述第2个和第5个水平上吸附凹槽111与所述第2个 和第5个垂直上吸附凹槽112的交叉处的槽底设置有真空处200。
[0026] 所述装置平台100的上表面划分有四个吸附区域,所述四个吸附区域按阵列两 行X两列分布;每个所述吸附区域包括3个相互平行的水平上吸附凹槽111和3个相互 平行的垂直上吸附凹槽112 ;第一行第一列和第二行第二列的吸附区域的所述第1个水平 上吸附凹槽111与第1个垂直上吸附凹槽112的交叉处的槽底设置有真空处200,所述第2 个水平上吸附凹槽111与第2个垂直上吸附凹槽112的交叉处的槽底设置有真空处200, 所述第3个水平上吸附凹槽111与第3个垂直上吸附凹槽112的交叉处的槽底设置有真空 处200 ;第一行第二列和第二行第一列的吸附区域的所述第1个水平上吸附凹槽111与第3 个垂直上吸附凹槽112的交叉处的槽底设置有真空处200,所述第2个水平上吸附凹槽111 与第2个垂直上吸附凹槽112的交叉处的槽底设置有真空处200,所述第3个水平上吸附凹 槽111与第1个垂直上吸附凹槽112的交叉处的槽底设置有真空处200 ;还包括真空监测 单元,所述真空监测单元与吸附区域一一对应,每个真空监测单元和与之对应的吸附区域 的吸附槽相连接。
[0027] 这样,本实施例的吸附装置,不仅能吸附固定基板,而且可以检测基板是否存在裂 痕;这样可以及时发现有裂痕的基板,避免有裂痕的基板破碎产生的碎屑污染损伤加工基 板的装置。因此,本实用新型的实际范围不仅包括所公开的实施例,还包括在权利要求书之 下实施或者执行本实用新型的所有等效方案。
【权利要求】
1. 一种吸附设备,包括装置平台,所述装置平台的上表面划分有一个或多个吸附区域; 每个所述吸附区域凹设有吸附槽,每个所述吸附槽的槽底设置有一个或多个真空处;抽真 空单元,所述抽真空单元与所述每个真空处相连通;每个所述吸附区域包括P个相互平行 的吸附槽;其中,P是大于1的自然数;其特征在于,所述吸附槽包括水平上吸附凹槽和垂直 上吸附凹槽;每个所述吸附区域包括m个相互平行的水平上吸附凹槽和η个相互平行的垂 直上吸附凹槽,水平上吸附凹槽和垂直上吸附凹槽相交叉且交错点相连通,交错点为mXn 个;其中,m和η是大于1的自然数。
2. 根据权利要求1所述的吸附设备,其特征在于,所述水平上吸附凹槽之间等间距分 布,所述垂直上吸附凹槽之间等间距分布,且最边缘的交错点位于所述水平上吸附凹槽和 所述垂直上吸附凹槽的端部。
3. 根据权利要求2所述的吸附设备,其特征在于,每个所述真空处设置在交错点的槽 底。
4. 根据权利要求3所述的吸附设备,其特征在于,所述多个真空处均匀分布。
5. 根据权利要求4所述的吸附设备,其特征在于,所述多个真空处围合形成的图形是 中心对称图形且是轴对称图形。
6. 根据权利要求5所述的吸附设备,其特征在于,每个所述交错点的槽底设置有一个 真空处。
7. 根据权利要求6所述的吸附设备,其特征在于,所述装置平台的上表面划分有1个 吸附区域,所述吸附区域包括6个相互平行的水平上吸附凹槽和6个相互平行的垂直上吸 附凹槽;所述第1个,第3个,第4个和第6个水平上吸附凹槽与第1个,第3个,第4个和 第6个垂直上吸附凹槽的交错点的槽底设置有真空处;所述第2个和第5个水平上吸附凹 槽与所述第2个和第5个垂直上吸附凹槽的交错点的槽底设置有真空处。
8. 根据权利要求7所述的吸附设备,其特征在于,所述装置平台的上表面划分有四个 吸附区域,所述四个吸附区域按阵列两行X两列分布;每个所述吸附区域包括3个相互平 行的水平上吸附凹槽和3个相互平行的垂直上吸附凹槽;第一行第一列和第二行第二列的 吸附区域的所述第1个水平上吸附凹槽与第1个垂直上吸附凹槽的交错点的槽底设置有真 空处,所述第2个水平上吸附凹槽与第2个垂直上吸附凹槽的交错点的槽底设置有真空处, 所述第3个水平上吸附凹槽与第3个垂直上吸附凹槽的交错点的槽底设置有真空处;第一 行第二列和第二行第一列的吸附区域的所述第1个水平上吸附凹槽与第3个垂直上吸附凹 槽的交错点的槽底设置有真空处,所述第2个水平上吸附凹槽与第2个垂直上吸附凹槽的 交错点的槽底设置有真空处,所述第3个水平上吸附凹槽与第1个垂直上吸附凹槽的交错 点的槽底设置有真空处。
9. 根据权利要求8中所述的吸附设备,其特征在于,还包括真空监测单元,所述真空监 测单元与吸附区域一一对应,每个真空监测单元和与之对应的吸附区域的吸附槽相连接。
【文档编号】F25B37/00GK203893506SQ201420343292
【公开日】2014年10月22日 申请日期:2014年6月20日 优先权日:2014年6月20日
【发明者】赵厚发, 徐宾朋, 郭庆 申请人:安徽科宝生物工程有限公司
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