一种发射电极及其水处理设备的制作方法

本发明涉及水处理领域，尤其涉及一种发射电极及其水处理设备。

背景技术

高频电磁场式水处理设备是利用高频电磁场中的电场能和磁场能共存的特性，集永磁式和水中的正、负离子在高频电磁场作用下，显著提高了正、负离子相遇、相碰撞的概率，更容易复合成“溶解状态的溶质分子”。经过高频电磁场处理过的水进入升温环境，发生的析晶过程与永磁式相似，生成大量颗粒状态的水垢，失去了与器壁吸附的能力。随着排污，被排出设备之外。原则上，高频电磁场的辐射功率“无上限”，因此高频电子式水处理装置，特别适用于大流量、高硬度的循环水系统。

传统水处理设备多是采用高频发生器加设单个高频电极来辅助进行水质的净化处理。由于水处理设备的处理水量大小不一，对于处理水量较大的水处理设备，需采用多个高频电极；但是常规的电极结构存在安装维护不方便，同时现在的电极易出现腐蚀，泄漏等故障，一定程度影响对水处理效果。

技术实现要素：

针对上述现有技术存在的缺陷，本发明提供一种发射电极及其水处理设备，有效解决发射电极泄漏问题和腐蚀问题，同时将发射电极装于水处理设备后，提高了水处理设备处理水质的效率。

本发明提供一种发射电极，其改进之处在于，包括：

呈筒状的电极固定座3；

阴极接线柱71、阳极接线柱72，通过接线安装座1固定设置在所述电极固定座3的一端开口处，且所述阴极接线柱71和阳极接线柱72用于传递高频信号；

护套9，由绝缘材料制成，所述护套9呈筒状，且轴向一端开口，轴向另一端封闭，所述护套9通过开口端同轴且密封套设在所述电极固定座3的远离所述接线安装座1的一端；

隔离套5，同轴设置在所述护套9内；

端子防护罩11，用于保护所述发射电极的阴极接线柱71和阳极接线柱72不受腐蚀；

高频阴极4、高频阳极6，分别位于所述隔离套5轴向两端，且通过所述隔离套5固定设置在所述护套9内，其中：

所述高频阴极4通过第一导线41与所述阴极接线柱71连接，所述高频阳极6通过第二导线61与所述阳极接线柱72连接。

优选的，所述电极固定座3、所述护套9以及所述隔离套5均呈圆筒状；其中：所述电极固定座3外筒壁设有沿轴线方向外径依次减小的第一环状凸台31、第二环状凸台32以及第三环状凸台33，所述第二环状凸台32上开设有外螺纹，所述护套9通过开口端同轴且密封套设在所述第三环状凸台33上。

较优选的，还包括：o型密封圈2，套设在所述第二环状凸台32上。

较优选的，所述高频阴极4具有第一接线柱42，所述第一接线柱42通过所述第一导线41与所述阴极接线柱71连接，所述高频阳极6具有第二接线柱62，所述第二接线柱62通过所述第二导线61与所述阳极接线柱72连接。

较优选的，在所述高频阴极4与所述高频阳极6之间的所述隔离套5的内腔中，以及所述高频阴极4与所述接线安装座1之间的所述电极固定座3的内腔中填充有用于密封的填充物。

较优选的，所述填充物为环氧树脂8。

较优选的，所述高频阴极4和高频阳极6均由钛合金材料制成。

一种水处理设备，包括水处理设备主体12以及设置在所述设备主体两侧的进水口13和出水口14，其改进之处在于，还包括：

至少两个如上述所述的发射电极，其中至少一个所述发射电极设置在所述进水口13位置处，至少一个所述发射电极设置在所述出水口14位置处，且所述发射电极均贯穿所述水处理设备主体12后密封设置在所述水处理设备主体12上；

高频发生器10，与所述发射电极的阴极接线柱71、阳极接线柱72连接，用于产生递高频信号。

优选的，根据水处理设备主体12的直径，分别设置2个以上所述发射电极在所述水处理设备主体12上，均布设置以用于所述水处理设备主体12内高频电磁场均衡。

较优选的，在所述水处理设备主体12上对应位置处开有螺纹孔，当所述电极固定座3包括所述第一环状凸台31、第二环状凸台32以及第三环状凸台33，且所述第二环状凸台32上开设有外螺纹时，所述发射电极是通过所述第二环状凸台32与所述水处理设备主体12螺纹连接。

本发明的技术方案中，替代常规水处理器的电极，同时结合高频发生器，在现有的水处理设备基础上增加双路高频电极，产生两个高频电磁场，进而更高效快捷的使原有的大缔合体状态水的结合链被深度打断，改变水的结构与物理特性，增强了水分子的极性，阻止水垢形成；双电极高频发生器能够更有效的使原有水垢结晶变得松软、脱落、溶解，从而达底的破坏，从而更好地起到杀菌灭藻的作用。

通过对电极的设计，提高了电极作用效果，有效解决了泄漏问题、电极腐蚀，同时优化了接口设计，便于安装维护，从而更好适应市场需求。

附图说明

图1为本发明实施例的；图中，1为接线安装座；2为o型密封圈；3为电极固定座；4为高频阴极；5为隔离套；6为高频阳极；71为阴极接线柱；72为阳极接线柱；31为第一环状凸台；32为第二环状凸台；33为第三环状凸台；8为环氧树脂；9为护套；41为第一导线；42为第一接线柱；61为第二导线；62为第二接线柱；

图2为本发明实施例的水处理设备示意图；图中，10为高频发生器；12为水处理设备主体；13为进水口；14为出水口。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下参照附图并举出优选实施例，对本发明进一步详细说明。然而，需要说明的是，说明书中列出的许多细节仅仅是为了使读者对本发明的一个或多个方面有一个透彻的理解，即便没有这些特定的细节也可以实现本发明的这些方面。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明保护范围的限制。

本实施例提供的一种发射电极，其示意图如图1所示，包括：

呈筒状的电极固定座3；

阴极接线柱71、阳极接线柱72，通过接线安装座1固定设置在所述电极固定座3的一端开口处，且所述阴极接线柱71和阳极接线柱72用于传递高频信号；

护套9，由绝缘材料制成，所述护套9呈筒状，且轴向一端开口，轴向另一端封闭，所述护套9通过开口端同轴且密封套设在所述电极固定座3的远离所述接线安装座1的一端；

隔离套5，同轴设置在所述护套9内；

端子防护罩11，用于保护接线柱不受外界潮湿环境影响造成腐蚀；

由钛合金材料制成的高频阴极4、由钛合金材料制成的高频阳极6，分别位于所述隔离套5轴向两端，且通过所述隔离套5固定设置在所述护套9内，其中所述高频阴极4通过第一导线41与所述阴极接线柱71连接，所述高频阳极6通过第二导线61与所述阳极接线柱72连接；

o型密封圈2，套设在所述第二环状凸台32上。

本实施例提供的所述电极固定座3、所述护套9以及所述隔离套5均呈圆筒状，且电极固定座3外筒壁设有沿轴线方向外径依次减小的第一环状凸台31、第二环状凸台32以及第三环状凸台33，所述第二环状凸台32上开设有外螺纹，所述护套9通过开口端同轴且密封套设在所述第三环状凸台33上。

本实施例提供的所述高频阴极4具有第一接线柱42，所述第一接线柱42通过所述第一导线41与所述阴极接线柱71连接，所述高频阳极6具有第二接线柱62，所述第二接线柱62通过所述第二导线61与所述阳极接线柱72连接。在所述高频阴极4与所述高频阳极6之间的所述隔离套5的内腔中，以及所述高频阴极4与所述接线安装座1之间的所述电极固定座3的内腔中填充有用于密封的填充物，为环氧树脂8。

本实施例提供的一种水处理设备，其示意图如图2所示，包括水处理设备主体12以及设置在所述设备主体两侧的进水口13和出水口14，还包括：至少两个如上述所述的发射电极，其中至少一个所述发射电极设置在所述进水口13位置处，至少一个所述发射电极设置在所述出水口14位置处，且所述发射电极均贯穿所述水处理设备主体12后密封设置在所述水处理设备主体12上；还包括高频发生器10，其与所述发射电极的阴极接线柱71、阳极接线柱72连接，用于产生递高频信号(高频信号指3-100mhz的信号)。

本实施例根据水处理设备主体12的直径，分别设置2个以上所述发射电极在所述水处理设备主体12上，均布设置以用于所述水处理设备主体12内高频电磁场均衡。且在所述水处理设备主体12上对应位置处开有螺纹孔，当所述电极固定座3包括所述第一环状凸台31、第二环状凸台32以及第三环状凸台33，且所述第二环状凸台32上开设有外螺纹时，所述发射电极是通过所述第二环状凸台32与所述水处理设备主体12螺纹连接。

本实施例将水处理设备中的高频发生器使用高频电缆对发射电极进行接线，设备检查完毕并检测无异常后，对水处理设备进行上电检查。通电后，发射电极结合高频发生器，在水处理设备上增加双路高频电极，产生两个高频电磁场，以达到以下循环水处理作用：

1、防垢

由于高频作用，使原有的大缔合体状态水的结合键被深度打断，离解成活性很强的单分子或小缔合体状态的水，从而改变了水的物理结构与特性，增强了水分子的极性，增大了水分子的偶极矩，提高了水分子对钙镁离子、碳酸根离子等成垢组分的水合能力，起到阻止水垢形成的作用。

2、除垢

在高频电磁场的作用下，使原有的水垢结晶逐渐变得松软、脱落、溶解，从而达到除垢之目的。

3、防腐防锈

在高频电磁场作用下，水垢得以控制和去除，溶解氧与水分子结合不易析出，从而抑制氧化腐蚀和垢下原电池腐蚀的发生，起到良好的防腐阻锈的作用。

4、杀菌灭藻

高频电磁场使细菌、藻类赖以生存的环境被破坏，并且溶解氧在高频电磁场的作用下形成一些如o3、h2o2等对细菌、藻类具极强杀伤力的物质，起到杀菌灭藻的作用。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。