一种硅片清洗喷淋机构的制作方法

15mm。
14.进一步的，位于所述硅片高度上段部的所述管件与位于所述硅片高度下段部的所述管件的水平距离差为4-8mm。
15.进一步的，位于所述硅片高度上段部的所述管件的数量与位于所述硅片高度下段部的所述管件数量可以相同或不相同；对称设置的所述管件的结构均相同。
16.进一步的，每个所述管件上设有若干间隙设置的喷头，最外侧两个所述喷头之间的宽度不小于所述硅片在料板上的总长度；
17.位于所述硅片高度上段部的所述管件中的所述喷头与位于所述硅片高度下段部的所述管件中的所述喷头沿所述硅片高度方向并排设置或错位设置。
18.本实用新型喷淋机构，尤其适用于大尺寸硅片脱胶的初次清洗，至少包括两组对称设置的管件，并两组间隔设置且可旋转喷淋的管件，其喷淋完全覆盖硅片的高度范围，完全可以清洗硅片侧面上的硅泥，尤其是把在硅片下端面聚集较多的硅泥清洗干净，提升清洗效率，为后续脱胶清洗奠定基础。
附图说明
19.图1是本实用新型实施例一的喷淋机构的结构示意图；
20.图2是本实用新型实施例一的一种喷淋机构的俯视图；
21.图3是本实用新型实施例一的另一种喷淋机构的俯视图；
22.图4是本实用新型实施例二的喷淋机构的结构示意图；
23.图5是本实用新型实施例三的喷淋机构的结构示意图。
24.图中：
25.10、硅片
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20、管件一
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30、管件二
26.40、管件三
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50、管件四
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60、管件六
具体实施方式
27.下面结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细说明。
28.本实施例提出一种硅片清洗喷淋机构，如图1和图2所示，包括悬空设置的若干组硅片10及对称于硅片10两侧且转动设置的管件，其中，硅片10均为由粘接在料板上的硅棒切割而成，所有硅片10的上端面均被粘接在料板上，由于线切时产生很多硅粉，硅粉与冷却液混合后形成硅泥，在硅片10边侧及相邻硅片10之间存有很多硅泥，尤其是在硅片10的下段部的硅泥更多。而置于硅片10单侧面的管件至少有两组，相邻两组管件喷淋覆盖的高度部分重叠设置，且所有管件喷淋覆盖的总高度不小于硅片10与料板的高度之和l；并相邻两组管件沿硅片10宽度的方向错位设置。这一交叉喷淋的结构，通过旋转各相邻管件的转轴以控制管件上的喷头，使各管件喷淋覆盖的高度相互叠加交叉，从而完全能够覆盖喷淋任一直径的大尺寸硅片10高度的范围，测底清洗覆盖在硅片10上的硅泥。而错位设置的管件可以在保证完全覆盖硅片10高度的基础上，使靠近硅片10下端面粘附硅泥比较多的一组管件距离硅片10侧面的距离较近，从而增加喷淋水流的速度，以提高其对硅片10粘接阻力的冲击，加速硅泥的冲洗，以提高清洗效果。
29.在本实施例中，包括两组对称设置的管件，分别为管件一20和管件二30，即其中管
件一20喷淋覆盖的高度h1与管件二30喷淋覆盖的高度h2重叠设置，且两组管件喷淋覆盖的高度h完全包括硅片10和料板的高度之和l。
30.其中，管件一20位于硅片10高度的上段部，且其喷淋覆盖的高度h1不小于硅片10与料板高度之和l的1/2。且管件一20喷淋的高度h1包括从料板高度的上端面至硅片10与料板高度之和l的1/2处。
31.优选地，管件一20位于硅片10与料板高度之和l的1/4处的位置且靠近硅片10高度的上端面设置，管件一20受外力控制旋转且朝向硅片10一侧进行喷淋，且其喷淋覆盖的高度不小于硅片10与料板高度之和l的1/2，使得硅片10上段部的高度面积全部在管件一10的喷淋范围之内，完全可以将硅泥清洗掉。
32.进一步的，管件二30位于硅片10高度的下段部，且其喷淋覆盖的高度不小于硅片10与料板高度之和l的2/3。且管件二30的喷淋高度h2包括从硅片10高度的下端面至硅片10与料板高度之和l的2/3处。
33.优选地，管件二30位于硅片10与料板高度之和位置的1/3处，且其靠近硅片10的下端面设置，管件二30受控旋转且朝硅片10一侧进行喷淋，且其喷淋覆盖的高度不小于硅片10与料板高度之和l的2/3，使得硅片10的下段部及中部都能被覆盖到，尤其是在硅片10的中部与上段部的管件一20的喷淋面积重叠交叉，水液的汇聚的加速硅片10中部位置的喷淋，并与下段部管件二30喷淋的水液一同加速对堆积于下段部的硅泥清洗，进一步加速对下段部硅泥的清洗，提高清洗效果。
34.进一步的，为了提高硅片10下段部硅泥的清洗效果，要求在硅片10的同一侧面，位于硅片10高度上段部的管件一20至硅片10侧面水平距离w1大于位于硅片10高度下段部的管件二20至硅片10侧面水平距离w2；也即是管件二30靠近硅片10侧面设置，管件一20略远于管件二30距离硅片10侧面的水平距离。管件二30距离硅片10侧面越近，其对硅片10侧面的硅泥的瞬间冲力就越大，且清洗水液与硅片10接触的面积就越大，水液的利用率更高，从而可加大对硅片10下段部粘附的硅泥的清洗，以提高清洗效率，为后续清洗扫除障碍，并为后续脱胶清洗奠定基础。
35.同时考虑到对于同一功率控制的各管件的喷液量，靠近料板一侧的硅片10被胶层粘接，若喷流量冲力过大，则会影响硅片10悬挂的稳定性，造成硅片10掉片，从而损伤硅片10，不利于硅片10的清理，故在保证硅片10上段部硅泥清理完整的情况下，使管件一20尽量远离硅片10一侧设置，也即是，相对于管件二30的位置，管件一20远离硅片10的侧面设置是合理和可行的。
36.优选地，管件二30至硅片10侧面的水平距离w2为12-15mm。且管件一20与管件二30的水平距离差
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w为4-8mm，即w1与w2的差值为4-8mm。
37.进一步的，位于硅片10高度上段部的管件的数量与位于硅片10高度下段部的管件数量可以相同，如图1所示，即只包括管件一20和管件二30两个。
38.当然，位于硅片10高度上段部的管件的数量与位于硅片10高度下段部的管件数量也可以不相同。如图4所示，位于硅片10上段部的管件有两个，分别为管件一20和管件三40；位于硅片10下段部的管件有两个，分别为管件二30和管件四50。或者，
39.如图5所示，位于硅片10上段部的管件有两个，分别为管件一20和管件三40；位于硅片10下段部的管件有三个，分别为管件二30、管件四50和管件五60。
40.无论硅片10的上段部和下段部分别设有几个管件，每一组对称设置的管件的结构均相同，且管件和下段部的管件的结构可以相同或不同，但控制上段部或下段部的所有管件的旋转的装置均为同一种结构，即所有的上段部的管件均同步旋转喷淋；所有下段部的管件均同步旋转喷淋，这一结构不仅易于控制且结构简单，整体生产成本低，无需过多投入辅料即可满足控制要求，在此省略各控制部件，其均为本领域的常用结构。
41.进一步的，在每个管件上均设有若干间隙设置的喷头，且每一个管件上最外侧的两个喷头之间的宽度不小于硅片10在料板上的总长度，即每一个管件所喷淋的长度都不小于被切硅棒的长度，即都将所有硅片10包含在内喷淋，保证所有硅片10被喷淋覆盖到。喷嘴的结构为本领域常用结构，优选地为扁嘴结构，其结构简单且易于采购，在此不做具体要求。
42.还有，管件一20中的喷头与管件二30中的喷头沿硅片10高度方向可以是上下并排设置，如图2所示；或上下错位设置，如图3所示。
43.优选地，在硅片10的单侧结构中，对于多组组合的上段部或下段部的所有管件中的喷头位置为统一设定结构，且上下均一致设置。但上段部的所有管件中的喷头与下段部的所有管件中的喷头可以是上下对应设置，或错位设置，结构分别与图2和图3一样。
44.本实用新型喷淋机构，尤其适用于大尺寸硅片脱胶的初次清洗，至少包括两组对称设置的管件，并两组间隔设置且可旋转喷淋的管件，其喷淋完全覆盖硅片的高度范围，完全可以清洗硅片侧面上的硅泥，尤其是把在硅片下端面聚集较多的硅泥清洗干净，提升清洗效率，为后续脱胶清洗奠定基础。
45.以上对本实用新型的实施例进行了详细说明，所述内容仅为本实用新型的较佳实施例，不能被认为用于限定本实用新型的实施范围。凡依本实用新型申请范围所作的均等变化与改进等，均应仍归属于本实用新型的专利涵盖范围之内。