芯片划片后表面清洗装置的制作方法

1.本发明涉及芯片划片清洗领域，具体来讲涉及的是一种芯片划片后表面清洗装置。


背景技术：

2.目前芯片划片过程中高速冲击下越容易产生静电；静电对芯片加工的危害主要表现；是静电直接放电损伤芯片，静电积累放电造成放电氧化或击穿，或硅屑等颗粒产生静电吸附在芯片表面导致损坏芯片或清洗不干净等。


技术实现要素：

3.因此，为了解决上述不足，本发明在此提供一种芯片划片后表面清洗装置。
4.本发明是这样实现的，构造一种芯片划片后表面清洗装置，其特征在于；本装置包括：清洗剂桶、碳酸水供应系统、碳酸水与清洗剂混合系统、高频率磁力泵；清洗剂桶与碳酸水供应系统经碳酸水与清洗剂混合系统混合后输出至芯片处。
5.根据本发明所述芯片划片后表面清洗装置，其特征在于；所述碳酸水由di水加co2气体组成，其碳酸水供应系统具有co2供应系统、di水供应系统、di水与co2混合系统；di水与co2混合系统的输入端分别连通co2供应系统、di水供应系统。
6.根据本发明所述芯片划片后表面清洗装置，其特征在于；di水与co2混合系统具有搅拌机构。
7.根据本发明所述芯片划片后表面清洗装置，其特征在于；碳酸水供应系统的输出管路上设置混合后的检测系统，用于电阻率的检测。
8.根据本发明所述芯片划片后表面清洗装置，其特征在于；co2加入过量会导致易损件寿命变短，一般情况下将di水电阻率控制在0.5-1.0mω，0.5的用气量是1.0的5倍。
9.根据本发明所述芯片划片后表面清洗装置，其特征在于；一般要求制成di水的电阻率16mω以上，要求高的需要18mω以上。
10.根据本发明所述芯片划片后表面清洗装置，其特征在于；碳酸水的水压大于2kg/cm，高频率磁力泵的瞬间压力是大于3kg/cm，把清洗剂压到碳酸水管道，与碳酸水混合，高速冲击下产生大量泡沫水。对芯片加工的危害主要表现；是有微轻度腐蚀性，主要在于控制加入比例，清洗液的浓度变化会影响其清洗性能，清洗剂与碳酸水配比1:5至1:10之间。以清洗效果定论，芯片表面没有硅渣等颗粒或污染变色等。
11.本发明具有如下优点：1、本装置包括：清洗剂、碳酸水供应系统、碳酸水与清洗剂混合系统、高频率磁力泵。
12.2、碳酸水的水压大于2kg/cm，高频率磁力泵的瞬间压力是大于3kg/cm，把清洗剂压到碳酸水管道，与碳酸水混合，高速冲击下产生大量泡沫水。对芯片加工的危害主要表现；是有微轻度腐蚀性，主要在于控制加入比例，清洗液的浓度变化会影响其清洗性能，清
洗剂与碳酸水配比1:5至1:10之间。以清洗效果定论，芯片表面没有硅渣等颗粒或污染变色等。
13.3、粘度低，流动性好，清洗剂流动性和渗透力非常好，可以渗透到元器件的微小间隙中，进行清洗并带出杂质，芯片表面保持干净。
14.4、没有气味，不挥发有毒气体，不会损害操作人员身体健康。无闪点，点火不燃，没有燃烧和爆炸的危险，使用更加安全。
15.5、清洗其它非极性污染物、离子污染物、灰尘、手印、油污等介质。
附图说明
16.图1是本发明所述清洗装置的实施示意图。
17.其中：清洗剂桶100，co2供应系统201，di水供应系统202，di水与co2混合系统203，高频率磁力泵300。
具体实施方式
18.下面将结合附图1对本发明进行详细说明，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
19.本发明通过改进在此提供一种芯片划片后表面清洗装置，本发明是利用碳酸水（di水加co2气体）加入清洗剂来实现，防止芯片划片时静电，加co2主要防止esd对芯片的损害；防止芯片划片后表面有硅渣沉淀物；加清洗剂主要是防止硅渣沉淀对芯片表面污染。
20.如图1所示，可以按照如下方式予以实施；本装置包括：清洗剂桶100、碳酸水供应系统、碳酸水与清洗剂混合系统、高频率磁力泵；清洗剂桶100与碳酸水供应系统经碳酸水与清洗剂混合系统混合后输出至芯片处。
21.本发明所述芯片划片后表面清洗装置实施时；所述碳酸水由di水加co2气体组成，其碳酸水供应系统具有co2供应系统201、di水供应系统202、di水与co2混合系统203；di水与co2混合系统203的输入端分别连通co2供应系统201、di水供应系统202。
22.本发明所述芯片划片后表面清洗装置实施时；di水与co2混合系统203具有搅拌机构。
23.本发明所述芯片划片后表面清洗装置实施时；碳酸水供应系统的输出管路上设置混合后的检测系统，用于电阻率的检测。
24.本发明所述芯片划片后表面清洗装置实施时；co2加入过量会导致易损件寿命变短，一般情况下将di水电阻率控制在0.5-1.0mω，0.5的用气量是1.0的5倍。
25.本发明所述芯片划片后表面清洗装置实施时；一般要求制成di水的电阻率16mω以上，要求高的需要18mω以上。
26.本发明所述芯片划片后表面清洗装置实施时；碳酸水的水压大于2kg/cm，高频率磁力泵的瞬间压力是大于3kg/cm，把清洗剂压到碳酸水管道，与碳酸水混合，高速冲击下产生大量泡沫水。对芯片加工的危害主要表现；是有微轻度腐蚀性，主要在于控制加入比例，清洗液的浓度变化会影响其清洗性能，清洗剂与碳酸水配比1:5至1:10之间。以清洗效果定
论，芯片表面没有硅渣等颗粒或污染变色等。
27.本装置经过设计之后包括：co2供应系统、di水供应系统、di水与co2混合系统、混合后的检测系统，混合后检测系统检测正常即可以正常运行，不正常停机报警。一般要求制成di水的电阻率16mω以上，要求高的需要18mω以上。水主要靠溶解在水中的盐离子导电，水越纯电阻率越高，导电性越差，高速冲击下越容易产生静电。静电对芯片加工的危害主要表现；是静电直接放电损伤芯片，静电积累放电造成放电氧化或击穿，或硅屑等颗粒产生静电吸附在芯片表面导致损坏芯片或清洗不干净等。
28.co2加入di水后可以降低di水的电阻率，防止esd产生。co2变成气体挥发掉，芯片表面保持干净。co2加入过量会导致易损件寿命变短，一般情况下将di水电阻率控制在0.5-1.0mω，0.5的用气量是1.0的5倍。
29.本装置的优点在于；1、本装置包括：清洗剂、碳酸水供应系统、碳酸水与清洗剂混合系统、高频率磁力泵。
30.2、碳酸水的水压大于2kg/cm，高频率磁力泵的瞬间压力是大于3kg/cm，把清洗剂压到碳酸水管道，与碳酸水混合，高速冲击下产生大量泡沫水。对芯片加工的危害主要表现；是有微轻度腐蚀性，主要在于控制加入比例，清洗液的浓度变化会影响其清洗性能，清洗剂与碳酸水配比1:5至1:10之间。以清洗效果定论，芯片表面没有硅渣等颗粒或污染变色等。
31.3、粘度低，流动性好，清洗剂流动性和渗透力非常好，可以渗透到元器件的微小间隙中，进行清洗并带出杂质，芯片表面保持干净。
32.4、没有气味，不挥发有毒气体，不会损害操作人员身体健康。无闪点，点火不燃，没有燃烧和爆炸的危险，使用更加安全。
33.5、清洗其它非极性污染物、离子污染物、灰尘、手印、油污等介质。
34.对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。