一种去除芯片及晶圆表面脏污的设备的制作方法

1.本技术涉及晶圆设备技术领域，尤其涉及一种去除芯片及晶圆表面脏污的设备。


背景技术：

2.晶圆被广泛应用在半导体行业中，在制造晶圆时，对晶圆的洁净度有较高的要求，洁净度的高低直接影响良品率。并且将晶圆切割为芯片后，在切割过程可能会引入新的污染物，会影响芯片性能。
3.以光电芯片为例，尤其是针对高功率半导体激光器芯片，由于单芯片出光功率高对出光腔面而言，出光区域承受的光功率密度达到35kw/mm2以上，如此大的功率密度会产生大量的热能；与此同时，光波导内的高电流密度也会导致材料发热严重；因此当芯片腔面或表面存在脏污时，由于脏污的折射率等物化性质在此位置发生突变，极易形成非辐射复合中心，进一步吸收光能产生热能，不仅大幅降低芯片效率，而且以脏污为发热中心产生烧蚀，最终致使器件失效。
4.基于此，如何有效去除芯片表面脏污及晶圆表面脏污是目前亟需解决的技术问题。


技术实现要素：

5.针对现有技术存在的问题，本技术实施例提供了一种去除芯片及晶圆表面脏污的设备，以解决或者部分解决现有技术中无法有效去除芯片及晶圆表面上的脏污，导致芯片性能以及晶圆良率无法确保的技术问题。
6.本技术提供了一种去除芯片及晶圆表面脏污的设备，所述设备包括：
7.腔室；
8.传送台，位于所述腔室内，所述传送台上依次放置有多个待除污的芯片或晶圆；
9.除污机构，位于所述传送台上方，所述除污机构的底部设置有粘附膜。
10.上述方案中，所述设备还包括：
11.支架，所述支架安装在所述真空腔室的底部，所述支架用于支撑所述传送台。
12.上述方案中，当所述支架包括一个时，所述传送台置于所述支架上。
13.上述方案中，当所述支架包括两个时，所述支架具体包括：第一支架及第二支架；
14.所述第一支架与所述传送台的一侧相连；
15.所述第二支架与所述传送台的另一侧相连。
16.上述方案中，所述除污机构包括：
17.升降杆，所述升降杆的一端固定在所述腔室的顶部；
18.压印夹具，安装在所述升降杆的另一端，所述压印夹具的底部设置有所述粘附膜。
19.上述方案中，所述除污机构还包括：
20.驱动电机，与所述升降杆相连。
21.上述方案中，所述压印夹具及所述粘附膜的面积大于所述芯片表面积。
22.上述方案中，所述压印夹具的至少一端为弯曲状。
23.上述方案中，所述设备还包括：真空泵；
24.通过管道与所述腔室相连通。
25.上述方案中，所述传送台底部设置有多个可穿透的吸附孔。
26.本技术提供了一种去除芯片及晶圆表面脏污的设备，设备包括：腔室；传送台，位于所述腔室内，所述传送台上依次放置有多个待除污的芯片或晶圆；除污机构，位于所述传送台上方，所述除污机构的底部设置有粘附膜；如此，当传送台将待除污芯片传送至除污机构下方时，可利用除污机构底部粘附的粘附膜有效去除芯片表面以及晶圆表面的脏污，确保芯片性能及晶圆良率。
附图说明
27.通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本技术的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。
28.在附图中：
29.图1示出了根据本技术一个实施例的去除芯片及晶圆表面脏污的设备结构示意图；
30.图2示出了根据本技术一个实施例的除污机构的结构示意图；
31.图3示出了根据本技术一个实施例的当压印夹具的一端为弯曲状时对应除污结构示意图。
32.附图标记说明：
33.1-腔室；2-传送台；3-粘附膜；4-真空泵；5-支架；21-升降杆；22-压印夹具；23-发光腔面。
具体实施方式
34.下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
35.在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的位置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
36.在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以视具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
37.本实施例提供一种去除芯片及晶圆表面脏污的设备，如图1所示，设备包括：腔室
1、传送台2及除污机构。该设备既可以对芯片表面进行除污，也可以对晶圆表面进行除污，按需在传送台2上放置芯片或晶圆即可。
38.设备包括：传送台2，位于腔室1内，传送台2上依次放置有多个待除污的芯片或晶圆；
39.除污机构，位于传送台2上方，除污机构的底部设置有粘附膜3。
40.为增加晶圆或芯片在传送过程的稳定性，可通过粘附性较强的膜将晶圆或芯片固定在传送台2上；也可通过真空吸附的方式将芯片或晶圆吸附在传送台上。当通过真空吸附时，传送台2的底部设置有多个可穿透的吸附孔，可通过吸附孔将晶圆或芯片吸附在传送台2上。
41.因此，设备还包括：真空泵4，通过管道与腔室1相连通，用于对腔室1进行抽真空，确保腔室1内保持真空状态。
42.本实施例的设备还包括：电机，安装在传送台2的下方，用于驱动传送台2旋转，传送台2可以为圆形，也可以为其他形状，可基于实际设计需求确定，不做限制。传送台2通过旋转可将芯片或晶圆传送至待除污位置，待除污位置位于除污机构的正下方。
43.继续参考图1，设备还包括：支架5，安装在腔室1的底部，支架5用于支撑传送台2。
44.本实施例的支架5可以包括一个，也可以包括两个。当支架5包括一个时，支架5可安装在腔室1的中心，传送台2直接置于支架5的上方；比如可以通过螺丝固定在支架5的上方。
45.当支架5包括两个时，支架5具体可以为：第一支架及第二支架；
46.第一支架安装在腔室1的一侧，第一支架与传送台1的一侧相连；
47.第二支架安装在腔室1的另一侧，第二支架传送台1的另一侧相连。第一支架和第二支架也可通过螺丝与传送台2固定相连。
48.在一种实施方式中，参考图2，除污机构包括：
49.升降杆21，升降杆21的一端固定在腔室1的顶部，可沿腔室顶部的轨道移动；
50.压印夹具22，安装在升降杆21的另一端，压印夹具22的底部设置有粘附膜3；
51.驱动电机，与升降杆21相连。
52.驱动电机可以为伺服电机，由于伺服电机可驱动升降杆21上下移动，也可驱动升降杆21在竖直平面内旋转。
53.实际应用中，当待除污晶圆或芯片移动至除污机构下方时，驱动电机带动升降杆21下降，粘附膜3压附在晶圆或芯片表面，去除晶圆或芯片表面的脏污，比如粉尘以及物理切割过程中产生的衬底基材碎屑等。
54.粘附完毕后，驱动电机带动升降杆21上升，传送台2旋转，将下一个待除污芯片传送至除污机构下方。除污完成的芯片或晶圆会被传送至收集区域。由于粘附膜3为特制的防静电胶膜聚合物，具备一定的黏附能力，且几乎不会挥发出尘，也不会对黏附物表面残留额外胶质，因此可确保除污效果。
55.进一步地，为提高去污效果，压印夹具22及粘附膜3的面积大于芯片表面积，这样可确保粘附膜3能够完全覆盖住芯片或晶圆表面，将芯片或晶圆表面上的脏污粘走，确保全表面的清洁度。
56.需要说明的是，为便于理解压印夹具22、粘附膜3、以及晶圆或芯片之间的位置关
系，图2中夸大了三者之间的间隙，实际应用中压印夹具22、粘附膜3、以及晶圆/芯片之间的间隙为毫米级。
57.本实施例考虑到若芯片为光电芯片时，侧面发光腔面也需要进行除污，因此参考图3，压印夹具22的至少一端为弯曲状，弯曲状可如图3中的标记31所示。当压印夹具22对芯片的上表面清洁完毕后，升降杆21可在竖直平面内旋转，将压印夹具22弯曲状的一端移动至芯片的发光腔面23的一侧，再水平移动升降杆21将弯曲状压印夹具22贴附在发光腔面23上进行粘附清理。
58.本实施例可利用除污机构底部粘附的粘附膜，利用压印粘附的物理手段将脏污从芯片或晶圆表面剥离下来有效去除芯片表面或晶圆表面的脏污，且不会引入二次污染，确保晶圆良率以及确保芯片性能。
59.通过本技术的一个或者多个实施例，本技术具有以下有益效果或者优点：
60.本技术提供了一种去除芯片表面脏污的设备，设备包括：腔室；传送台，位于所述腔室内，所述传送台上依次放置有多个待除污的芯片或晶圆；除污机构，位于所述传送台上方，所述除污机构的底部设置有粘附膜；如此，当传送台将待除污芯片传送至除污机构下方时，可利用除污机构底部粘附的粘附膜有效去除芯片表面以及晶圆表面的脏污，确保芯片性能及芯片良率。
61.以上所述，仅为本技术的较佳实施例而已，并非用于限定本技术的保护范围，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。