屏幕产品真空等离子内电极的清洁托盘结构的制作方法

文档序号:34348157发布日期:2023-06-03 14:18阅读:79来源:国知局
屏幕产品真空等离子内电极的清洁托盘结构的制作方法

本技术涉及清洁托盘,更具体地说,涉及屏幕产品真空等离子内电极的清洁托盘结构。


背景技术:

1、在液晶,玻璃,屏幕领域的碎片问题都会导致等离子电极中间将碎屑漏下去,同时电极是跟进出油管,电源固定的,且电极的层高都在50mm-200mm之间,电极的长度在500mm-2000mm之间,不方便人为清洁电极上的碎屑,为了解决掉落碎屑的问题,通常会用一块整板放置在电极上,但是这种方式会影响等离子的清洁效果,咬蚀量以及均匀性,咬蚀量与均匀性会低于不加整板时候测试的10%-20%。

2、现有水平真空等离子设备只有在电极上开孔,而液晶,屏幕,玻璃在等离子设备内部会存在取放时被外力碰碎的风险,碰碎后的产品碎屑会掉落到设备内的每一层上,且电极间距小,深度深,造成了非常大的清洁难度,目前在现有电极上增加可推拉托板,以放板碎片后的产品碎屑能够拉出来清理,且可以解决产品碎屑掉落到其他层的问题,但是只是加整体的托板的话会影响等离子的放电以及清洁的能力,所以需要涉及屏幕产品真空等离子内电极的清洁托盘结构。


技术实现思路

1、针对现有技术中存在的问题,本实用新型的目的在于提供屏幕产品真空等离子内电极的清洁托盘结构,以解决目前现有技术中只加整体托板会影响等离子的放电以及清洁能力的问题。

2、为解决上述问题,本实用新型采用如下的技术方案。

3、屏幕产品真空等离子内电极的清洁托盘结构,包括电极板,所述电极板的左右两侧分别设置有左侧绝缘特氟龙条以及右侧绝缘特氟龙条,所述电极板的上方设置有可推拉托板,所述可推拉式托板的上方设置有三个托板压条,所述可推拉托板的上方设置有四个特氟龙支撑条一,四个所述特氟龙支撑条一的上方均设置有等距离排列的陶瓷支撑柱,四组所述陶瓷支撑柱的上方均设置有特氟龙支撑条二,四个所述特氟龙支撑条二的上方均设置有防静电支撑块。

4、作为上述技术方案的进一步描述:

5、所述可推拉托板的厚度为1-5mm厚,所述可推拉托板上开设有槽孔。

6、作为上述技术方案的进一步描述:

7、所述特氟龙支撑条一的底部开设有与槽孔相适配的孔洞,所述特氟龙支撑条一上开设有通孔。

8、相比于现有技术,本实用新型的优点在于:

9、本方案可保证碎屑的集中性,方便单独拿出清洁,同时可以保证跟不加托板一样的清洁效果,咬蚀量以及均匀性,主要针对液晶,玻璃,屏幕领域的水平真空等离子的快速清理破碎产品,以及产品破碎后不会影响到其他层的电极,以及不会因为增加整体托盘而影响的水平真空等离子的咬蚀量和均匀性。(等离子放电方式主要是通过正负电极,等离子产生是不同的工业气体经过正负电极之间产生电离生产等离子体,如底部采用正面平板的情况下,会影响正负电极之间的放电以及影响工业气体的流动,从而导致正负电极间无法电离出均匀的以及适量的等离子体,导致产品的清洁效果不佳,咬蚀量以及均匀性不够)。



技术特征:

1.屏幕产品真空等离子内电极的清洁托盘结构,包括电极板(1),其特征在于:所述电极板(1)的左右两侧分别设置有左侧绝缘特氟龙条(2)以及右侧绝缘特氟龙条(3),所述电极板(1)的上方设置有可推拉托板(4),所述可推拉托板(4)的上方设置有三个托板压条(5),所述可推拉托板(4)的上方设置有四个特氟龙支撑条一(6),四个所述特氟龙支撑条一(6)的上方均设置有等距离排列的陶瓷支撑柱(7),四组所述陶瓷支撑柱(7)的上方均设置有特氟龙支撑条二(8),四个所述特氟龙支撑条二(8)的上方均设置有防静电支撑块(9)。

2.根据权利要求1所述的屏幕产品真空等离子内电极的清洁托盘结构,其特征在于:所述可推拉托板(4)的厚度为1-5mm厚,所述可推拉托板(4)上开设有槽孔。

3.根据权利要求2所述的屏幕产品真空等离子内电极的清洁托盘结构,其特征在于:所述特氟龙支撑条一(6)的底部开设有与槽孔相适配的孔洞,所述特氟龙支撑条一(6)上开设有通孔。

4.一种清洁托盘结构,其特征在于:包含有如权利要求1-3任一项所述的屏幕产品真空等离子内电极的清洁托盘结构。


技术总结
本技术公开了屏幕产品真空等离子内电极的清洁托盘结构,属于清洁托盘技术领域,屏幕产品真空等离子内电极的清洁托盘结构,包括电极板,所述电极板的左右两侧分别设置有左侧绝缘特氟龙条以及右侧绝缘特氟龙条,所述电极板的上方设置有可推拉托板,所述可推拉式托板的上方设置有三个托板压条,所述可推拉托板的上方设置有四个特氟龙支撑条一,四个所述特氟龙支撑条一的上方均设置有等距离排列的陶瓷支撑柱,四组所述陶瓷支撑柱的上方均设置有特氟龙支撑条二。该技术,可保证碎屑的集中性,方便单独拿出清洁,同时可以保证跟不加托板一样的清洁效果,咬蚀量以及均匀性。

技术研发人员:代诗磊,潘广艺
受保护的技术使用者:苏州福莱科斯电子科技有限公司
技术研发日:20221121
技术公布日:2024/1/12
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