本技术涉及碳化硅清洗装置,特别是涉及一种高纯碳化硅颗粒自动清洗装置。
背景技术:
1、碳化硅(sic)以其禁带宽度大、饱和电子迁移率高、击穿场强大、热导率高等优异特性,成为第三代半导体的热门材料。三代半导体碳化硅(sic)材料相比于前二代半导体材料具有更耐高温高压、高功率和高频等优势,被广泛应用于5g通信、新能源汽车和光伏逆变器等产业。
2、目前主流的方法是采用pvt炉感应加热硅粉和碳粉合成高纯碳化硅颗粒。合成的到的高纯碳化硅块还需要通过破碎、研磨、筛分、除碳和清洗等工序加工后,才能被用作于碳化硅晶锭生长的原料。合成的碳化硅块经过除碳后还存在许多细小的碳化硅粉末,需要经过清洗和烘干才能使用。高纯碳化硅颗粒清洗的办法主要是通过高纯水置换和超声波作用下将细小的碳化硅粉末清洗干净。目前,碳化硅的细小颗粒清洗主要采用人工进行小批量搅拌换水清洗,清洗效率低,不适合大批量规模生产。
技术实现思路
1、为解决以上技术问题,本实用新型提供一种高纯碳化硅颗粒自动清洗装置,实现碳化硅颗粒的自动化清洗。
2、为实现上述目的,本实用新型提供了如下方案:
3、本实用新型提供一种高纯碳化硅颗粒自动清洗装置,包括超声溢流机构、石英容器和纯水系统;所述超声溢流机构包括清洗槽和超声波发生器,所述清洗槽设置于所述超声波发生器上,所述清洗槽上部设置有进水口,所述清洗槽下部设置有下排水口,所述清洗槽中部设置有溢流口;所述石英容器设置于所述清洗槽内,且所述石英容器的顶部高于所述溢流口;所述纯水系统用于向所述石英容器内提供纯水。
4、可选地,所述石英容器顶部设置有一溢流缺口。
5、可选地,所述清洗槽内底部设置有下滤布,所述下排水口位于所述下滤布下方。
6、可选地,所述清洗槽内设置有底座,所述底座用于支撑所述石英容器。
7、可选地,所述底座为不锈钢底座。
8、可选地,所述清洗槽内设置有多个所述石英容器,所述纯水系统分别为多个所述石英容器供水。
9、可选地,所述纯水系统包括调压阀、进水压力表、水管和进水阀门;所述调压阀和所述进水压力表设置于所述水管的进水端,所述进水阀门设置于所述水管的出水端,所述调压阀用于调整进水压力,所述进水阀门用于调节所述水管向所述石英容器的供水流量。
10、可选地,所述溢流口上设置有上滤布。
11、本实用新型相对于现有技术取得了以下技术效果:
12、本实用新型中的高纯碳化硅颗粒自动清洗装置,利用纯水将石英容器内的细小的碳化硅颗粒冲出,通过超声波加强清洗,提高了清洗效率;再利用滤布对冲出的碳化硅颗粒进行回收。实现了高程度的自动化清洗,并具有较高的清洗效率。
1.一种高纯碳化硅颗粒自动清洗装置,其特征在于,包括超声溢流机构、石英容器和纯水系统;所述超声溢流机构包括清洗槽和超声波发生器,所述清洗槽设置于所述超声波发生器上,所述清洗槽上部设置有进水口,所述清洗槽下部设置有下排水口,所述清洗槽中部设置有溢流口;所述石英容器设置于所述清洗槽内,且所述石英容器的顶部高于所述溢流口;所述纯水系统用于向所述石英容器内提供纯水。
2.根据权利要求1所述的高纯碳化硅颗粒自动清洗装置,其特征在于,所述石英容器顶部设置有一溢流缺口。
3.根据权利要求1所述的高纯碳化硅颗粒自动清洗装置,其特征在于,所述清洗槽内底部设置有下滤布,所述下排水口位于所述下滤布下方。
4.根据权利要求1所述的高纯碳化硅颗粒自动清洗装置,其特征在于,所述清洗槽内设置有底座,所述底座用于支撑所述石英容器。
5.根据权利要求4所述的高纯碳化硅颗粒自动清洗装置,其特征在于,所述底座为不锈钢底座。
6.根据权利要求1所述的高纯碳化硅颗粒自动清洗装置,其特征在于,所述清洗槽内设置有多个所述石英容器,所述纯水系统分别为多个所述石英容器供水。
7.根据权利要求1所述的高纯碳化硅颗粒自动清洗装置,其特征在于,所述纯水系统包括调压阀、进水压力表、水管和进水阀门;所述调压阀和所述进水压力表设置于所述水管的进水端,所述进水阀门设置于所述水管的出水端,所述调压阀用于调整进水压力,所述进水阀门用于调节所述水管向所述石英容器的供水流量。
8.根据权利要求1所述的高纯碳化硅颗粒自动清洗装置,其特征在于,所述溢流口上设置有上滤布。