研磨垫整平器清洗装置的制作方法

本发明涉及半导体制造，尤其涉及一种研磨垫整平器清洗装置。

背景技术：

1、化学机械研磨(cmp)是一种最常用的平坦化制程。在cmp制程中研磨垫研磨一段时间后，表面须靠研磨垫整平器加以修整，目的是将使用过的研磨垫恢复到具有活性的粗糙值状态，此可免除更换新的研磨垫而达到量产及节约成本的目的。而能让研磨垫随时处在一致性有效应用的状态下，并能延长研磨垫的使用寿命，很大程度取决于研磨垫整平器的清洗效果。研磨垫整平器清洗越干净(无附着物)，研磨垫就会被打磨地越粗糙，为后续研磨晶圆提供优质的条件。

2、现有研磨垫整平器的清洗方式通过是通过喷嘴进行水冲洗，缺点是无法将纳米级微小颗粒冲洗掉(如研磨液、晶圆及研磨垫的残留附着物)，且水流力度小，无法冲掉结晶体。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种研磨垫整平器清洗装置，解决了现有研磨垫整平器的清洗方式无法将纳米级微小颗粒冲洗掉，且水流力度小，无法冲掉结晶体的问题。

2、为达到上述目的，本发明提供一种研磨垫整平器清洗装置，包括箱体、供液组件及超声组件，所述箱体具有顶部开口，一研磨垫整平器由所述顶部开口伸入所述箱体内，所述供液组件用于向所述箱体供应清洗液，所述超声组件位于所述箱体内并用于对所述研磨垫整平器进行超声波清洗，所述箱体的底部还开设有若干排水口。

3、可选的，所述供液组件包括供液管及喷嘴，所述供液管用于向所述喷嘴供应所述清洗液，所述喷嘴用于向所述研磨垫整平器喷射所述清洗液。

4、可选的，所述喷嘴通过支架安装在所述研磨垫整平器的机台上。

5、可选的，所述喷嘴安装在所述箱体的内侧壁上。

6、可选的，所述喷嘴的喷射角度可调节。

7、可选的，所述喷嘴沿所述研磨垫整平器的周向均匀分布。

8、可选的，所述箱体的材质为聚氯乙烯。

9、可选的，所述超声组件包括至少一个超声波发生器。

10、可选的，所述超声波发生器为多个且均匀分布在所述箱体的底部。

11、可选的，所述清洗液为超纯水。

12、在本发明提供的一种研磨垫整平器清洗装置中，利用超声组件对研磨垫整平器进行超声波清洗，能够更彻底地对所述研磨垫整平器进行清洗，将所述研磨垫整平器上的微小纳米级颗粒及结晶体冲洗掉，相比传统的水冲洗效果更佳，避免了所述研磨垫整平器以携带残留附着物的状态去打磨研磨垫，进而降低了微小颗粒与晶圆接触的机率，从而减少了晶圆划伤的情况发生。

技术特征：

1.一种研磨垫整平器清洗装置，其特征在于，包括箱体、供液组件及超声组件，所述箱体具有顶部开口，一研磨垫整平器由所述顶部开口伸入所述箱体内，所述供液组件用于向所述箱体供应清洗液，所述超声组件位于所述箱体内并用于对所述研磨垫整平器进行超声波清洗，所述箱体的底部还开设有若干排水口。

2.根据权利要求1所述的研磨垫整平器清洗装置，其特征在于，所述供液组件包括供液管及喷嘴，所述供液管用于向所述喷嘴供应所述清洗液，所述喷嘴用于向所述研磨垫整平器喷射所述清洗液。

3.根据权利要求2所述的研磨垫整平器清洗装置，其特征在于，所述喷嘴通过支架安装在所述研磨垫整平器的机台上。

4.根据权利要求2所述的研磨垫整平器清洗装置，其特征在于，所述喷嘴安装在所述箱体的内侧壁上。

5.根据权利要求3或4所述的研磨垫整平器清洗装置，其特征在于，所述喷嘴的喷射角度可调节。

6.根据权利要求2所述的研磨垫整平器清洗装置，其特征在于，所述喷嘴沿所述研磨垫整平器的周向均匀分布。

7.根据权利要求1所述的研磨垫整平器清洗装置，其特征在于，所述箱体的材质为聚氯乙烯。

8.根据权利要求1所述的研磨垫整平器清洗装置，其特征在于，所述超声组件包括至少一个超声波发生器。

9.根据权利要求8所述的研磨垫整平器清洗装置，其特征在于，所述超声波发生器为多个且均匀分布在所述箱体的底部。

10.根据权利要求1所述的研磨垫整平器清洗装置，其特征在于，所述清洗液为超纯水。

技术总结
本发明提供了一种研磨垫整平器清洗装置，包括箱体、供液组件及超声组件，所述箱体具有顶部开口，一研磨垫整平器由所述顶部开口伸入所述箱体内，所述供液组件用于向所述箱体供应清洗液，所述超声组件位于所述箱体内并用于对所述研磨垫整平器进行超声波清洗，所述箱体的底部还开设有若干排水口。本发明利用超声组件对研磨垫整平器进行超声波清洗，能够更彻底地对所述研磨垫整平器进行清洗，将所述研磨垫整平器上的微小纳米级颗粒及结晶体冲洗掉，相比传统的水冲洗效果更佳，避免了所述研磨垫整平器以携带残留附着物的状态去打磨研磨垫，进而降低了微小颗粒与晶圆接触的机率，从而减少了晶圆划伤的情况发生。

技术研发人员：童志荣,徐波
受保护的技术使用者：上海华力微电子有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13