晶片的清洗干燥设备的制作方法

本技术涉及半导体制造，尤其涉及一种晶片的清洗干燥设备。

背景技术：

1、超表面晶片的表面由不同大小的纳米尺寸的柱子组合而成，使得超表面晶片具有独特的光学特性，在超表面晶片的制造过程中需要经过湿法去掩膜或者清洗等接触到液体的工艺，随后需要经过干燥步骤才能到下一工序。

2、常规的干燥方法例如气枪吹干、旋转甩干、加热蒸发等都容易因为液体表面张力的作用，对超表面的纳米结构造成破坏。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种晶片的清洗干燥设备，包括冷冻装置和真空装置，晶片清洗后在冷冻装置进行低温冷冻，冷冻后进入真空装置的真空间室内，由真空泵抽真空，加热件加热，使液体冷冻成固体后在低压下直接升华，防止了液态水从超表面晶片表面分离的过程，解决了现有技术中液体表面张力对超表面晶片纳米结构的破坏。

2、为了实现上述实用新型目的之一，本实用新型一实施方式提供一种晶片的清洗干燥设备，包括依次设置的：

3、清洗装置，包括清洗槽，所述清洗槽用于盛放清洗剂清洗晶片；

4、冷冻装置，形成有用于冷冻晶片的冷冻间室；

5、真空装置，形成有真空间室、与所述真空间室连通的真空泵、为所述真空间室传递热量的加热件。

6、作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述冷冻装置设置有冷凝剂或者制冷系统，所述晶片通过所述冷凝剂或者制冷系统产生的冷量实现冷冻。

7、作为本实用新型一实施方式的进一步改进，加热件为加热丝或者红外线发射器。

8、作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述加热件为加热丝，设置于所述真空间室的底部。

9、作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述清洗装置还包括水槽，所述水槽用于洗去所述晶片在所述清洗槽内附带的清洗剂。

10、作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述水槽设置于所述清洗槽和所述冷冻装置之间。

11、作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述清洗槽设置有两个，分别为第一清洗槽和第二清洗槽。

12、作为本实用新型一实施方式的进一步改进，还包括用于盛放所述晶片的花篮，所述花篮形成有若干个间隔设置以用于放置所述晶片的插槽。

13、作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述花篮侧壁设置有连接件，所述花篮与花篮之间通过所述连接件连接。

14、作为本实用新型一实施方式的进一步改进，所述花篮底部为镂空设置，使所述晶片上的脏污能够从镂空设置的底部排出所述花篮外。

15、本实用新型提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：

16、本实用新型提供的晶片的清洗干燥设备除包含有现有技术中用于清洗晶片的清洗槽外，还包括冷冻装置和真空装置，超表面晶片在清洗槽清洗后，带有液体的超表面晶片放置于冷冻装置的冷冻间室内，超表面晶片上的液体被冷冻成固态，冷冻后的超表面晶片再进入到真空装置的真空间室内，由真空泵进行抽真空，降低真空间室内的气压，抽真空后利用加热件进行加热，使超表面晶片上固体在低压条件下，加热直接升华，避免液体从超表面晶片表面分离的过程，因此不会受到液体表面张力对超表面纳米结构的破坏性影响。

技术特征：

1.一种晶片的清洗干燥设备，其特征在于，包括依次设置的：

2.根据权利要求1所述的晶片的清洗干燥设备，其特征在于，所述冷冻装置设置有冷凝剂或者制冷系统，所述晶片通过所述冷凝剂或者制冷系统产生的冷量实现冷冻。

3.根据权利要求1所述的晶片的清洗干燥设备，其特征在于，加热件为加热丝或者红外线发射器。

4.根据权利要求3所述的晶片的清洗干燥设备，其特征在于，所述加热件为加热丝，设置于所述真空间室的底部。

5.根据权利要求1所述的晶片的清洗干燥设备，其特征在于，所述清洗装置还包括水槽，所述水槽用于洗去所述晶片在所述清洗槽内附带的清洗剂。

6.根据权利要求5所述的晶片的清洗干燥设备，其特征在于，所述水槽设置于所述清洗槽和所述冷冻装置之间。

7.根据权利要求1所述的晶片的清洗干燥设备，其特征在于，所述清洗槽设置有两个，分别为第一清洗槽和第二清洗槽。

8.根据权利要求1所述的晶片的清洗干燥设备，其特征在于，还包括用于盛放所述晶片的花篮，所述花篮形成有若干个间隔设置以用于放置所述晶片的插槽。

9.根据权利要求8所述的晶片的清洗干燥设备，其特征在于，所述花篮侧壁设置有连接件，所述花篮与花篮之间通过所述连接件连接。

10.根据权利要求8所述的晶片的清洗干燥设备，其特征在于，所述花篮底部为镂空设置，使所述晶片上的脏污能够从镂空设置的底部排出所述花篮外。

技术总结
本技术提供一种晶片的清洗干燥设备，包括依次设置的清洗装置、冷冻装置和真空装置，其中，清洗装置包括清洗槽，所述清洗槽用于盛放清洗剂清洗晶片；冷冻装置形成有用于冷冻晶片的冷冻间室；真空装置形成有真空间室、与所述真空间室连通的真空泵、为所述真空间室传递热量的加热件。晶片在清洗装置的清洗槽内清洗干净后，在冷冻装置的冷冻间室内快速冷冻，使晶片上的液体冷冻成固体，然后将冷冻后的晶片放置于真空装置的真空间室内进行抽真空，再开启加热器，使晶片上凝固后形成的固体物质在低压条件下吸热升华成蒸汽，避免液体从晶片分离的过程，避免表面张力对晶片表面产生的影响。

技术研发人员：邱山峰,吴贤丰,延宇豪,孙磊
受保护的技术使用者：苏州山河光电科技有限公司
技术研发日：20230516
技术公布日：2024/1/14