一种含氟废水的处理装置的制作方法

本技术涉及一种污水处理设备，具体地涉及一种含氟废水的处理装置。

背景技术：

1、水环境中氟污染的主要来源是工业生产排放的含氟“三废”，涉及行业主要有铝电解、钢铁、水泥、砖瓦、陶瓷、磷肥、玻璃、半导体、制药等这些行业的共同特征是以含氟矿物为主要原料或捕助原料，在其冶炼、生产过程中，氟从矿物中分解而进入环境，造成氟污染。

2、就现有技术处理含氟废水的设备，存在以下问题：

3、絮凝后的废水，沉淀效果差。其主要原因是，废水的流动路径多为直线状，使得废水的流速过大，从而导致沉淀效果较差。

技术实现思路

1、针对现有技术中含氟废水在絮凝后，其沉淀效果较差的技术问题，本实用新型提供了一种含氟废水的处理装置，具有减缓废水流速，增强沉淀效果的优点。

2、本实用新型的技术方案是：

3、一种含氟废水的处理装置，包括进水口和出水口，还包括从所述进水口至所述出水口依次连通设置的：

4、ph调节区，内部具有碱溶液；

5、反应区，内部添加有石灰；

6、混凝区，内部添加有pac；

7、絮凝区，内部添加有pam；

8、斜板区，内部具有若干倾斜设置的导板，所述导板的板面与水平面存在60°-62°的夹角，相邻两张所述导板之间存在间距，所有所述导板等间距设置；

9、其中，所述ph调节区、反应区、混凝区和絮凝区四个区域依次呈田字形分布，所述斜板区与所述絮凝区和所述混凝区相邻，所述含氟废水在该处理装置内的流动路径呈u形。

10、可选地，所述反应区设有放空管道。

11、可选地，所述斜板区远离所述絮凝区的一侧设有沉淀区。

12、可选地，所述沉淀区远离所述斜板区的一侧设有清水区，所述出水口设于所述清水区。

13、可选地，相邻两张所述导板之间间隙的长度方向与所述含氟废水的流动方向垂直。

14、可选地，所述导板的顶端靠近所述絮凝区和所述混凝区。

15、可选地，所述ph调节区、反应区、混凝区和絮凝区四个区域内分别设置有一个搅拌器。

16、可选地，所述搅拌器位于所述ph调节区、反应区、混凝区和絮凝区四个区域的中部。

17、可选地，所述ph调节区、反应区、混凝区和絮凝区四个区域的面积相等。

18、可选地，所述ph调节区的占地面积等于所述沉淀区占地面积的四分之一。

19、与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

20、依次从进水口至出水口设置ph调节区、反应区、混凝区、絮凝区和斜板区，在ph调节区、反应区、混凝区和絮凝区内对含氟废水进行各种处理，使氟在废水中形成絮状物，然后在斜板区内，通过倾斜设置的导板对废水的流速降低，使得废水在沉淀区内具有较低的流速，并且导板对絮状物具有一定的阻碍功能，从而使得含氟废水中的絮状物可以得到良好的沉淀效果。

技术特征：

1.一种含氟废水的处理装置，包括进水口和出水口，其特征在于，还包括从所述进水口至所述出水口依次连通设置的：

2.根据权利要求1所述的含氟废水的处理装置，其特征在于，所述反应区设有放空管道。

3.根据权利要求1所述的含氟废水的处理装置，其特征在于，所述斜板区远离所述絮凝区的一侧设有沉淀区。

4.根据权利要求3所述的含氟废水的处理装置，其特征在于，所述沉淀区远离所述斜板区的一侧设有清水区，所述出水口设于所述清水区。

5.根据权利要求4所述的含氟废水的处理装置，其特征在于，相邻两张所述导板之间间隙的长度方向与所述含氟废水的流动方向垂直。

6.根据权利要求5所述的含氟废水的处理装置，其特征在于，所述导板的顶端靠近所述絮凝区和所述混凝区。

7.根据权利要求6所述的含氟废水的处理装置，其特征在于，所述ph调节区、反应区、混凝区和絮凝区四个区域内分别设置有一个搅拌器。

8.根据权利要求7所述的含氟废水的处理装置，其特征在于，所述搅拌器位于所述ph调节区、反应区、混凝区和絮凝区四个区域的中部。

9.根据权利要求8所述的含氟废水的处理装置，其特征在于，所述ph调节区、反应区、混凝区和絮凝区四个区域的面积相等。

10.根据权利要求9所述的含氟废水的处理装置，其特征在于，所述ph调节区的占地面积等于所述沉淀区占地面积的四分之一。

技术总结
本技术提供了一种含氟废水的处理装置，目的是解决现有含氟废水在絮凝后，沉淀效果较差的技术问题。该处理装置包括进水口和出水口，还包括从所述进水口至所述出水口依次连通设置的：pH调节区，内部具有碱溶液；反应区，内部添加有石灰；混凝区，内部添加有PAC；絮凝区，内部添加有PAM；斜板区，内部具有若干倾斜设置的导板，所述导板的板面与水平面存在60°‑62°的夹角，相邻两张所述导板之间存在间距，所有所述导板等间距设置；其中，所述pH调节区、反应区、混凝区和絮凝区四个区域依次呈田字形分布，所述斜板区与所述絮凝区和所述混凝区相邻，所述含氟废水在该处理装置内的流动路径呈U形。该处理装置具有减缓废水流速，增强沉淀效果的优点。

技术研发人员：李小华,王义青,辛盛洋,罗海英
受保护的技术使用者：中电智慧环境（四川）有限公司
技术研发日：20230522
技术公布日：2024/1/15