本发明涉及河道底泥处理。更具体地说,本发明涉及一种河道底泥的处理及再利用方法。
背景技术:
1、底泥是河道底部长期积累沉淀形成的产物,底泥过多,易造成河道淤积。影响水库水质的因素除去外来污染源外,底泥淤积释放产生的二次污染也是影响水库水质的一个重要因素。底泥污染物大致分为四部分:(1)营养物质:氮磷化合物;(2)大量有机物:碳水化合物;(3)重金属:cd、mn等;(4)非金属,se等。底泥具有淤积量大、含水率高、污染严重、各种营养物质及有害成分多等特点。如果不能合理的处置,随意堆放和土地填埋,不仅会占用土地资源,还会经过雨水的冲刷对环境造成二次污染,底泥中的营养物质也不能充分利用,因此底泥资源化十分重要。现有技术中如申请公布号为cn110451758a的专利申请中公开了一种河道底泥资源化利用方法及系统,其通过破壁和灭菌两部,去除底泥中的有机质,使得处理后的底泥可以全部资源化利用。但在实际应用时发现,去除有机质后,底泥的营养成分大大减少,并不利于其应用到作物种植中,且底泥中含有的重金属还会对环境造成二次污染。
技术实现思路
1、本发明提供一种河道底泥的处理及再利用方法,其对底泥进行处理后可作为植物培养基质使用,达到资源化的目的。
2、为了实现根据本发明的这些目的和其它优点,提供了一种河道底泥的处理及再利用方法,包括以下步骤:
3、步骤一、对河道底泥进行采样,筛除杂物,获得底泥样品;
4、步骤二、利用硝酸改性活性炭,再将其与聚乙二醇复合,成膜,制备聚乙二醇复合炭基过滤膜,并利用其对所述底泥样品进行多次过滤,吸附重金属离子,将过滤分离后的固体进行风干、过筛,获得风干底泥;
5、步骤三、将所述风干底泥与风干后的正常土壤混合均匀,获得混合基质,用作植物培养基质。
6、优选的是,所述步骤二中过筛过程采用孔径为1cm的振动筛分离。
7、优选的是,所述步骤三中风干底泥占混合基质的重量百分比为10%~25%。
8、优选的是,所述步骤二中,硝酸改性活性炭的具体过程为:将粉状活性炭置于80℃的浓硝酸中回流12h,减压抽滤至滤液ph为中性,过滤后收集的固体为硝酸改性活性炭,所述活性炭与浓硝酸的重量比为1:(150~200)。
9、优选的是,所述步骤二中,与聚乙二醇的复合过程具体为:
10、取所述硝酸改性活性炭,加入二甲基甲酰胺,超声分散2h后置于0℃条件下搅拌,向体系中通入氮气保护,并缓慢滴加入草酰氯,升温至25℃反应2h,加热至70℃搅拌10~14h,继续升温至100℃,加入聚乙二醇,搅拌反应6~24h,即得聚乙二醇复合改性炭溶液,其中所述硝酸改性活性炭、草酰氯、聚乙二醇的重量比为1:(55~65):(8~12)。
11、优选的是,所述二甲基甲酰胺与聚乙二醇的质量比为(45~55):1。
12、优选的是,所述聚乙二醇的分子量为10000~20000。
13、优选的是,所述步骤二中成膜过程具体为:将所述聚乙二醇复合改性炭溶液静置脱泡,流延成膜,干燥后获得所述聚乙二醇复合炭基过滤膜。
14、优选的是,所述聚乙二醇复合炭基过滤膜的平均孔径为50~120nm。
15、本发明至少包括以下有益效果:本发明所述河道底泥的处理及再利用方法,对河道底泥进行处理再利用,去除了底泥中的重金属等有害物质,保留了原有的养分含量,作为植物培养基质使用,达到资源化目的,保护环境,节约成本。
16、本发明的其它优点、目标和特征将部分通过下面的说明体现,部分还将通过对本发明的研究和实践而为本领域的技术人员所理解。
1.河道底泥的处理及再利用方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.如权利要求1所述的河道底泥的处理及再利用方法,其特征在于,所述步骤二中过筛过程采用孔径为1cm的振动筛分离。
3.如权利要求1所述的河道底泥的处理及再利用方法,其特征在于,所述步骤三中风干底泥占混合基质的重量百分比为10%~25%。
4.如权利要求1所述的河道底泥的处理及再利用方法,其特征在于,所述步骤二中,硝酸改性活性炭的具体过程为:将粉状活性炭置于80℃的浓硝酸中回流12h,减压抽滤至滤液ph为中性,过滤后收集的固体为硝酸改性活性炭,所述活性炭与浓硝酸的重量比为1:(150~200)。
5.如权利要求4所述的河道底泥的处理及再利用方法,其特征在于,所述步骤二中,与聚乙二醇的复合过程具体为:
6.如权利要求5所述的河道底泥的处理及再利用方法,其特征在于,所述二甲基甲酰胺与聚乙二醇的质量比为(45~55):1。
7.如权利要求5所述的河道底泥的处理及再利用方法,其特征在于,所述聚乙二醇的分子量为10000~20000。
8.如权利要求5所述的河道底泥的处理及再利用方法,其特征在于,所述步骤二中成膜过程具体为:将所述聚乙二醇复合改性炭溶液静置脱泡,流延成膜,干燥后获得所述聚乙二醇复合炭基过滤膜。
9.如权利要求5所述的河道底泥的处理及再利用方法,其特征在于,所述聚乙二醇复合炭基过滤膜的平均孔径为50~120nm。