硅片切割过程中产生的废气的处理系统的制作方法

本实用新型涉及硅片切割领域，特别是涉及一种硅片切割过程中产生的废气的处理系统。

背景技术：

在金刚线切割硅片过程中，会产生大量的废水，在对废水中有害物质的降解过程中，又需加入大量药液与之进行反应，这样一来势必会产生大量废气，而废气中又含有大量的有害气体。例如，有害的酸性气体、碱性气体以及含OH自由基的有害气体，这些有害气体向大气中排放，严重污染周围环境。例如废水处理过程中需加入硫酸、氨盐。其中，硫酸根离子在后续的厌氧环境中，在还原细菌的作用下，将被还原为硫化氢气体，而氨盐在废水处理过程中会产生氨气。

技术实现要素：

基于此，有必要针对硅片切割过程中产生的废气污染环境的问题，提供一种对硅片切割过程中产生的废气进行处理以减少环境污染的废气处理系统。

一种硅片切割过程中产生的废气的处理系统，包括：依次设置的酸液喷淋塔、与所述酸液喷淋塔顶端连通的碱液喷淋塔、与所述碱液喷淋塔顶端连通的氧化剂喷淋塔；其中，所述酸液喷淋塔设有酸液喷淋器，所述碱液喷淋塔中设有碱液喷淋器，所述氧化剂喷淋塔中设有氧化剂喷淋器。

上述废气处理系统结构简单，将酸液喷淋塔、碱液喷淋塔、氧化剂喷淋塔相互串联。可以有效的去除硅片切割过程中产生的碱性、酸性和含OH自由基的有害气体。

在其中一个实施例中，还包括与所述氧化剂喷淋塔顶端连通的电离净化器。

在其中一个实施例中，所述电离净化器为低温等离子VOCs净化器。

在其中一个实施例中，还包括与所述电离净化器连通的活性炭吸附装置。

在其中一个实施例中，还包括安装于所述酸液喷淋塔底端的抽气泵，用于将硅片切割过程中产生的废气吸入所述酸液喷淋塔中。

在其中一个实施例中，所述活性炭吸附装置内装有活性炭吸附层。

在其中一个实施例中，所述活性炭吸附层中的活性炭的粒径为2mm-4mm。

在其中一个实施例中，所述酸液喷淋器位于所述酸液喷淋塔的顶端，所述碱液喷淋器位于所述碱液喷淋塔的顶端，所述氧化剂喷淋器位于所述氧化剂喷淋塔的顶端。

在其中一个实施例中，所述酸液喷淋器的喷淋头的表面开设有若干均匀分布的孔，所述碱液喷淋器的喷淋头的表面开设有若干均匀分布的孔，所述氧化剂喷淋器的喷淋头的表面开设有若干均匀分布的孔。

附图说明

图1为本实用新型中的废气处理系统的结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，以下结合具体实施方式，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施方式仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

参阅图1，本实用新型一实施例为一种硅片切割过程中产生的废气的处理系统100，该废气处理系统100包括：依次设置的酸液喷淋塔110、与酸液喷淋塔110顶端连通的碱液喷淋塔120、与碱液喷淋塔120顶端连通的氧化剂喷淋塔130，优选地，酸液喷淋塔110、碱液喷淋塔120、氧化剂喷淋塔130均通过废气输送管410连通。

其中，酸液喷淋塔110中设置有酸液喷淋器210，硅片切割过程中产生的废气经收集后从酸液喷淋塔110的底部入口端进入酸液喷淋塔110后，废气向上扩散，此时打开酸液喷淋器210，向废气表面喷洒酸液。此时，以吸收废气中的碱性气体并与之发生中和反应，然后酸液携带吸收的碱性气体受重力作用自然下落，进入设置在酸液喷淋塔110底部的酸液回收槽(图中未示出)中，未被酸液吸收的废气因密度轻继续上升从酸液喷淋塔110的顶端的出口排出，进入下一个喷淋塔中。当然可以理解的是，为了使未发生化学反应的废气快速进入下一个喷淋塔中，还可在酸液喷淋塔110的顶端设置第一抽气泵，加快气体流动，迅速进入到下一个喷淋塔中。

在一优选的实施方式中，进入酸液回收槽中的的酸液还可以继续利用，通过输送管道再次进入酸液喷淋器210中，循环喷淋，对酸液反复利用。

在一优选实施例中，酸液喷淋器210安装于酸液喷淋塔110的顶端。这样喷出的酸液自上而下滴落，可以与逆行而上的废气尽可能多的充分接触。

在一优选实施例中，酸液喷淋器210的喷淋头的表面开设有均匀分布的孔，酸液喷淋器210内部安装有第一液压泵。工作时，第一液压泵对酸液加压，从喷淋头的表面孔洞中均匀喷出雾化的酸液，均匀喷出的液滴可以与尽可能多的废气充分接触，以吸收废气中的更多碱性气体。

在一优选实施例中，还包括安装于所述酸液喷淋塔底端的抽气泵(图中未示出)，用于将硅片切割过程中产生的废气吸入所述酸液喷淋塔中。这样的好处是可以快速收集从各个硅片切割的废水处理池中产生的废气，进而进行废气集中处理，提高废气处理效率。

其中，碱液喷淋塔120中设置有碱液喷淋器220，硅片切割过程中产生的废气经收集后从碱液喷淋塔120的底部入口端进入碱液喷淋塔120后，废气向上扩散，此时打开碱液喷淋器220，向废气表面喷洒酸液。此时，以吸收废气中的酸性气体并与之发生中和反应，然后碱液携带吸收的酸性气体受重力作用自然下落，进入设置在碱液喷淋塔120底部的碱液回收槽(图中未示出)中，然后未被碱液吸收的废气继续上升从碱液喷淋塔120的顶端的出口排出，进入下一个喷淋塔中。当然可以理解的是，为了使未发生化学反应的废气快速进入下一个喷淋塔中，还可在碱液喷淋塔120的顶端设置第二抽气泵，加快气体流动，迅速进入到下一个喷淋塔中。

在一优选的实施方式中，进入碱液回收槽中的的碱液还可以继续利用，通过输送管道再次进入碱液喷淋器220中，循环喷淋，对碱液反复利用。

在一优选实施例中，碱液喷淋器220安装于碱液喷淋塔120的顶端。这样喷出的碱液自上而下滴落，可以与逆行而上的废气尽可能多的充分接触。

在一优选实施例中，碱液喷淋器220的喷淋头的表面开设有均匀分布的孔，碱液喷淋器220内部安装有第二液压泵。工作时，第二液压泵对碱液加压，从喷淋头的表面孔洞中均匀喷出雾化的碱液，均匀喷出的液滴可以与尽可能多的废气充分接触，以吸收废气中的更多酸性气体。

其中，氧化剂喷淋塔130中设置有氧化剂喷淋器230，硅片切割过程中产生的废气经收集后从氧化剂喷淋塔130的底部入口端进入氧化剂喷淋塔130后，废气向上扩散，此时打开氧化剂喷淋器230，向废气表面喷洒酸液。此时，以吸收废气中的含OH自由基的气体并与之发生中和反应，然后氧化剂携带吸收的含OH自由基的气体受重力作用自然下落，进入设置在氧化剂喷淋塔130底部的氧化剂回收槽(图中未示出)中，废气继续上升从氧化剂喷淋塔130的顶端的出口排出，进入下一道工序中。当然可以理解的是，为了使未发生化学反应的废气快速进入下一个喷淋塔中，还可在氧化剂喷淋塔130的顶端设置第三抽气泵，加快气体流动，迅速进入到下一道工序。

在一优选的实施方式中，进入氧化剂回收槽中的的氧化剂还可以继续利用，通过输送管道再次进入氧化剂喷淋器230中，循环喷淋，对氧化剂反复利用。

在一优选实施例中，氧化剂喷淋器230安装于氧化剂喷淋塔130的顶端。这样喷出的氧化剂自上而下滴落，可以与逆行而上的废气尽可能多的充分接触。

在一优选实施例中，氧化剂喷淋器230的喷淋头的表面开设有均匀分布的孔，氧化剂喷淋器230内部安装有第三液压泵。工作时，第三液压泵对氧化剂加压，从喷淋头的表面孔洞中均匀喷出雾化的氧化剂液滴，均匀喷出的液滴可以与尽可能多的废气充分接触，以吸收废气中的更多含OH自由基的气体。

在一优选实施例中，还包括与所述氧化剂喷淋塔130顶端连通的电离净化器140。电离净化器140的主要作用是使少量气体分子被电离产生具有活性的粒子，与废气中残留污染物继续发生反应，最终转化成水和二氧化碳等物质。其中，残留污染物包括难以用酸液、碱液、氧化液除去的恶臭气体、有毒有害气体(例如，含硫化合物、含氮化合物、含氯化合物等)。

优选地，所述电离净化器140为低温等离子VOCs净化器。其原理是采用双介质阻挡放电形式产生高能电子、自由基等活性粒子激活、电离、裂解废气中的含硫化合物、含氮化合物、含氯化合物使之发生分解、氧化等化学反应，在经过多级净化，从而达到使有毒有害废气达到低毒化、无毒化。

在一优选实施例中，还包括与所述电离净化器140连通的活性炭吸附装置150。通过物理性吸附进一步吸收未被吸附的残存有毒有害气体，尤其是恶臭气体。

在一优选实施例中，所述活性炭吸附层中的活性炭的粒径为2mm-4mm。其吸收有毒有害气体的效果更好。

上述废气处理系统结构简单，将酸液喷淋塔、碱液喷淋塔、氧化剂喷淋塔相互串联。可以有效的去除硅片切割过程中产生的碱性、酸性和含OH自由基的有害气体。

结合图1对废气处理过程进行阐述。图1中箭头方向为硅片切割过程中产生的废气的流动方向，废气输送管410中的废气依次经过酸液喷淋塔110、碱液喷淋塔120、氧化剂喷淋塔130处理后，在经过低温等离子VOCs净化器140后，进入活性炭吸附装置150，然后排出该系统，此时，废气已满足环保排放标准。

本文中的顶端、底端等指示的方位均是基于附图所示的方位关系进行说明的，为了更加清楚、简明的说明本实用新型的结构，不能理解为对本实用新型的限制。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。