一种气体吸附剂材料及其制备方法和窄边框显示面板与流程

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种气体吸附剂材料及其制备方法和窄边框显示面板。

背景技术：

ps-va(polymerstabilizedverticalalignment)是tft-lcd的一种技术。在ps-va的成盒制程中，需要用边框胶(sealant)密封液晶盒，起到防止液晶溢出和水汽侵入，维持液晶盒周边盒厚，以及黏附阵列基板和彩膜基板的作用。其主要成分是树脂，以及一些添加剂。阵列基板和彩膜基板对盒后，随即进行紫外固化及之后的热固化的相关制程确保边框胶固化完全，保证其接着力。然而，在面板的制造或者使用过程中，尤其是对超窄边框机种而言，由于其框胶与普通机种相比十分窄，因此如果在制造、加工或者使用过程中有一定量的水汽或者二氧化碳进入盒内，则将引发一系列电化学反应，造成金属(如cu)线路短路等而出现线不良等严重问题；其中，电化学反应如下所示：

正极：2cu-4e^-＝＝＝2cu²⁺；

负极：co2+o2+h2o+4e^-＝＝＝2oh^-+co3^2-；

总反应：2cu+o2+co2++h2o＝＝＝cu2(oh)2co3。

随着tft-lcd行业整体向“高世代线，大尺寸，超窄边框”发展的速度越来越快，业界拼接屏边框越来越小，越来越多的公司开发出0.5mm及其以下边框(border)的机种，这就使得提升面板整体的防止金属腐蚀的需求显得十分迫切而必要。

因此，本申请亟待提供一种能够改善窄边框机种金属线腐蚀的窄边框显示面板。

技术实现要素：

本申请提供一种气体吸附剂材料及其制备方法和窄边框显示面板，气体吸附剂材料可以有效吸附二氧化碳气体，应用于窄边框显示面板中后，可以有效抑制金属线路的电化学腐蚀，显著改善超窄边框机种金属线腐蚀。

本申请提供一种气体吸附剂材料，用于吸附二氧化碳气体，所述气体吸附剂材料的原料包括六方氮化硼(hexagonalboronnitride，h-bn)和聚乙烯醇(poly(vinylalcohol)，pva)；所述六方氮化硼与所述聚乙烯醇的质量比为(1～10)：(0.01～0.1)。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述气体吸附剂材料的原料还包括间苯二酚、戊二醛溶液、四硼酸钠。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述间苯二酚、所述戊二醛溶液中的戊二醛和所述四硼酸钠的摩尔比为(55～550)：(110～1100)：(0.3～3)。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述气体吸附剂材料中包括氧化的六方氮化硼，由所述六方氮化硼经氧化得到。

可选的，在本申请的一些实施例中，在所述六方氮化硼的氧化过程中，采用的氧化剂包括酸性混合物、高锰酸钾(kmno4)和双氧水。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述六方氮化硼(h-bn)与所述高锰酸钾(kmno4)的质量比为1～10：1.5～15。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述酸性混合物为硫酸(h2so4)与磷酸(h3po4)按照9：1的体积比混合的溶液，其中所述硫酸为99％的浓硫酸，即浓硫酸中硫酸的质量分数为99％。

相应的，本申请还提供一种气体吸附剂材料的制备方法，所述制备方法包括：

步骤一、采用六方氮化硼经过氧化得到氧化的六方氮化硼的步骤；

步骤二、采用所述氧化的六方氮化硼制备氧化的六方氮化硼溶液的步骤；

步骤三、将聚乙烯醇(pva)溶液与所述氧化的六方氮化硼溶液混合并冷冻干燥处理以制备气体吸附剂材料的步骤。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述步骤一中，所述氧化的六方氮化硼(oh-bn)的制备步骤包括：

将六方氮化硼分散在硫酸(h2so4)与磷酸(h3po4)以9：1的体积比混合的酸性混合物中，并于50～55℃的条件下搅拌，得到第一混合物，其中所述硫酸为99％的浓硫酸，即浓硫酸中硫酸的质量分数为99％；

将高锰酸钾(kmno4)添加到所述第一混合物中，于50～55℃的条件下搅拌，然后与冰水混合物混合，后加入双氧水并搅拌，得到第二混合物；

采用去离子水、30～32wt％的hcl水溶液和乙醇依次对所述第二混合物进行洗涤，将洗涤后收集的固化物置于50～70℃温度下干燥，即得到氧化的六方氮化硼。

由于浓硫酸在稀释过程中存在放热现象，而冰水混合物的使用可以中和过多的热量。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述步骤一中，所述氧化的六方氮化硼的制备步骤包括：

将1～10克的六方氮化硼(h-bn)分散在h2so4：h3po4(99％h2so4)的9：1酸性混合物(200～2000ml)中，并于50～55℃的条件下搅拌2～6小时，得到第一混合物；

将1.5～15克kmno4添加到所述第一混合物中，于50～55℃的条件下搅拌8～12小时，然后与冰水混合物混合，后加入双氧水并搅拌2～4小时，得到第二混合物；

采用去离子水、30～32wt％的hcl水溶液及乙醇依次对所述第二混合物进行洗涤，将洗涤后收集的固化物置于50～70℃温度下干燥35～40小时，即得到氧化的六方氮化硼。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述步骤二中，所述氧化的六方氮化硼溶液的制备步骤包括：

将所述氧化的六方氮化硼加入至去离子水中，进行超声波分散处理，后在室温下搅拌，然后，加入间苯二酚、戊二醛溶液和四硼酸钠，搅拌，得到氧化的六方氮化硼溶液；其中所述间苯二酚、所述戊二醛溶液中的戊二醛和所述四硼酸钠的摩尔比为(55～550)：(110～1100)：(0.3～3)。

本申请中，间苯二酚作为溶剂用于增强对氧化的六方氮化硼中含羟基的那一部分的溶解能力；戊二醛溶液作为作为剥脱剂用于增强对氧化的六方氮化硼中含醛基的那一部分的溶解能力；四硼酸钠作为溶剂增强对氧化的六方氮化硼中主体的溶解能力。在三者的协同作用下，通过搅拌超声的物理作用，得到得到氧化的六方氮化硼溶液。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述步骤二中，所述氧化的六方氮化硼溶液的制备步骤包括：

将上述的氧化的六方氮化硼加入至去离子水中，超声2～4小时以进行超声波分散处理，超声处理后在室温下搅拌8～12小时，然后，加入间苯二酚(110～1100mm)、戊二醛溶液(220～2200mm)和四硼酸钠(0.6～6mm)，搅拌处理9～11小时，得到氧化的六方氮化硼溶液。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述步骤三中，所述气体吸附剂材料的制备步骤包括：

将聚乙烯醇溶液与所述氧化的六方氮化硼溶液混合，并置于室温下超声处理，然后冷冻干燥，得到气体吸附剂材料。所述聚乙烯醇溶液中含有1wt％的聚乙烯醇，且所述聚乙烯醇溶液采用的溶剂为乙醇溶液。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述步骤三中，所述气体吸附剂材料的制备步骤包括：

将1～10克的聚乙烯醇(pva)溶液与氧化的六方氮化硼溶液混合，并置于室温下超声处理3～5小时，然后于液氮下冷冻，接着冷冻干燥35～40小时，得到气体吸附剂材料；其中，所述聚乙烯醇(pva)溶液中含有1wt％的聚乙烯醇；所述聚乙烯醇溶液采用的溶剂为乙醇溶液。

此外，本申请还提供一种窄边框显示面板，具有一银浆层，所述银浆层的边侧面设置有气体吸附层，所述气体吸附层采用上述的气体吸附剂材料制成。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述窄边框显示面板包括：

阵列基板，

彩膜基板；与所述阵列基板相对设置；

框胶，设于所述彩膜基板与所述阵列基板之间，且位于非显示区；

金属走线层，设置于所述阵列基板朝向所述彩膜基板的一面，且从显示区延伸至所述非显示区；以及

银浆层，设置于所述彩膜基板与所述阵列基板的边侧面，位于所述非显示区，且其一端电连接所述金属走线层；

气体吸附层，设置于所述银浆层远离所述彩膜基板与所述阵列基板的边侧面；以及

覆晶薄膜，设置于所述气体吸附剂远离所述银浆层的边侧面。

本申请使用的材料和试剂均为市售产品。例如购自sigmaaldrich或者其他相关试剂公司。

本申请中，所述气体吸附剂材料吸附二氧化碳气体的条件为：1bar～56bar。

本申请中，所述气体吸附剂材料释放二氧化碳气体的条件为：加热温度至120～150摄氏度。

本申请的有益效果在于：

本申请采用六方氮化硼和聚乙烯醇等原料制得的气体吸附剂材料，可以有效的捕获二氧化碳气体。将本申请的气体吸附剂材料应用于窄边框显示面板中，所述气体吸附剂材料可以捕获二氧化碳气体，可以降低金属(如cu等)线路附近水气氛围中二氧化碳的含量，从而在一定程度上抑制显示面板中腐蚀金属线路的电化学反应，进而实现超窄边框机种金属线腐蚀的改善。

本申请中，六方氮化硼经一步步氧化后，其上含氧官能团增多(通过强氧化剂氧化，表面生成羟基、醛基、羧基类反应性官能团)而使性质较非氧化的六方氮化硼更加活泼，可经由各种与含氧官能团(羟基、醛基、羧基类反应性官能团)的反应而改善本身性质，以及形成所需三维结构。

本申请的材料在制备过程中形成的高比表面积的泡沫多孔对二氧化碳进行吸附；其次，二氧化碳显对聚乙烯醇和氧化h-bn片材(表面含大量羟基)都具有良好的亲和力；其中，co2与pva聚合物中的羟基和ch3基团的相互作用要更强，并且co2-羟基基团具有最高的亲和力，以上均为物理吸附作用力。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1a是本申请实施例提供的气体吸附剂材料的结构示意图；

图1b是本申请实施例提供的气体吸附剂材料的电镜结构图；

图2是本申请实施例提供的气体吸附剂材料的二氧化碳气体吸附效果示意图；

图3是本申请实施例提供的窄边框显示面板的结构示意图；

图4是本申请实施例提供的涂布银浆层时窄边框显示面板的结构示意图；

图5是本申请实施例提供的涂布气体吸附层时窄边框显示面板的结构示意图。

图中的标号分别为：100、窄边框显示面板；110、阵列基板；120、彩膜基板；130、框胶；140、金属走线；150、银浆层；160、覆晶薄膜；170、气体吸附层。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请实施例提供一种气体吸附剂材料及其制备方法和窄边框显示面板。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。另外，在本申请的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。本发明的各种实施例可以以一个范围的型式存在；应当理解，以一范围型式的描述仅仅是因为方便及简洁，不应理解为对本发明范围的硬性限制；因此，应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及该范围内的单一数值。例如，应当认为从1到6的范围描述已经具体公开子范围，例如从1到3，从1到4，从1到5，从2到4，从2到6，从3到6等，以及所数范围内的单一数字，例如1、2、3、4、5及6，此不管范围为何皆适用。另外，每当在本文中指出数值范围，是指包括所指范围内的任何引用的数字(分数或整数)。

实施例1

本申请实施例提供一种气体吸附剂材料，用于吸附二氧化碳气体，所述气体吸附剂材料的原料包括六方氮化硼(h-bn)、聚乙烯醇(pva)、间苯二酚、戊二醛溶液、四硼酸钠。具体地，所述气体吸附剂材料中包括氧化的六方氮化硼，所述氧化的六方氮化硼为所述六方氮化硼经氧化得到。例如，所述氧化的六方氮化硼的制备原料包括六方氮化硼(h-bn)、酸性混合物、高锰酸钾(kmno4)和双氧水。

所述气体吸附剂材料的制备方法，包括：

步骤一、制备氧化的六方氮化硼：

将10克的六方氮化硼(h-bn)分散在h2so4：h3po4(质量分数为99％的h2so4)的9：1酸性混合物(2000ml)中，并于55℃的条件下搅拌4小时，得到第一混合物；

将15克kmno4添加到所述第一混合物中，于50℃的条件下搅拌12小时，然后与冰水混合物混合，后加入双氧水并搅拌3小时，得到第二混合物；

采用去离子水、30wt％的hcl水溶液和乙醇依次对所述第二混合物进行洗涤，将洗涤后收集的固化物置于70℃温度下干燥35小时，即得到氧化的六方氮化硼；

步骤二、制备氧化的六方氮化硼溶液：

将步骤一中得到的所述氧化的六方氮化硼加入至1000ml的去离子水中，超声4小时以进行超声波分散处理，超声处理后在室温下搅拌12小时，然后，加入间苯二酚(1100mm)、戊二醛溶液(2200mm)和四硼酸钠(6mm)，搅拌处理11小时，得到氧化的六方氮化硼溶液；

步骤三、制备气体吸附剂材料：

将10克的含有1wt％的聚乙烯醇(pva)的聚乙烯醇溶液(所述聚乙烯醇溶液采用的溶剂为乙醇溶液)与氧化的六方氮化硼溶液混合，并置于室温下超声处理5小时，然后于液氮下冷冻，接着冷冻干燥38小时，得到气体吸附剂材料，备用。

实施例2

本申请实施例提供一种气体吸附剂材料，用于吸附二氧化碳气体，所述气体吸附剂材料的原料包括六方氮化硼(h-bn)、聚乙烯醇(pva)、间苯二酚、戊二醛溶液、四硼酸钠。具体地，所述气体吸附剂材料中包括氧化的六方氮化硼，所述氧化的六方氮化硼为所述六方氮化硼经氧化得到。例如，所述氧化的六方氮化硼的制备原料包括六方氮化硼(h-bn)、酸性混合物、高锰酸钾(kmno4)和双氧水。

所述气体吸附剂材料的制备方法，包括：

步骤一、制备氧化的六方氮化硼：

将1克的六方氮化硼(h-bn)分散在h2so4：h3po4(99％h2so4)的9：1酸性混合物(200ml)中，并于50～55℃的条件下搅拌2小时，得到第一混合物；

将1.5克kmno4添加到所述第一混合物中，于50℃的条件下搅拌10小时，然后与冰水混合物混合，后加入双氧水并搅拌2小时，得到第二混合物；

采用去离子水、30～32wt％的hcl水溶液和乙醇依次对所述第二混合物进行洗涤，将洗涤后收集的固化物置于50℃温度下干燥40小时，即得到氧化的六方氮化硼；

步骤二、制备氧化的六方氮化硼溶液：

将步骤一中得到的所述氧化的六方氮化硼加入至100ml的去离子水中，超声2小时以进行超声波分散处理(帮助剥离)，超声处理后在室温下搅拌8小时，然后，加入间苯二酚(110mm)、戊二醛溶液(220mm)和四硼酸钠(0.6mm)，搅拌处理9小时，得到氧化的六方氮化硼溶液；

步骤三、制备气体吸附剂材料：

将1克的聚乙烯醇(pva)溶液与氧化的六方氮化硼溶液混合，并置于室温下超声处理3小时，然后于液氮下冷冻，接着冷冻干燥35小时，得到气体吸附剂材料，备用；其中所述聚乙烯醇(pva)溶液中含有1wt％的聚乙烯醇，且所述聚乙烯醇溶液采用的溶剂为乙醇溶液。

实施例3

本申请实施例提供一种气体吸附剂材料，用于吸附二氧化碳气体，所述气体吸附剂材料的原料包括六方氮化硼(h-bn)、聚乙烯醇(pva)、间苯二酚、戊二醛溶液、四硼酸钠。具体地，所述气体吸附剂材料中包括氧化的六方氮化硼，所述氧化的六方氮化硼为所述六方氮化硼经氧化得到。例如，所述氧化的六方氮化硼的制备原料包括六方氮化硼(h-bn)、酸性混合物、高锰酸钾(kmno4)和双氧水。

所述气体吸附剂材料的制备方法，包括：

步骤一、制备氧化的六方氮化硼：

将5克的六方氮化硼(h-bn)分散在h2so4：h3po4(99％h2so4)的9：1酸性混合物(1000ml)中，并于52℃的条件下搅拌4小时，得到第一混合物；

将6克kmno4添加到所述第一混合物中，于50℃的条件下搅拌10小时，然后与冰水混合物混合，后加入双氧水并搅拌3小时，得到第二混合物；

采用2000ml的去离子水、2000ml的30～32wt％的hcl水溶液和2000ml的乙醇依次对所述第二混合物进行洗涤，将洗涤后收集的固化物置于50～70℃温度下干燥36小时，即得到氧化的六方氮化硼；

步骤二、制备氧化的六方氮化硼溶液：

将步骤一中得到的所述氧化的六方氮化硼加入至500ml的去离子水中，超声2～4小时以进行超声波分散处理，超声处理后在室温下搅拌8～12小时，然后，加入间苯二酚(300mm)、戊二醛溶液(500mm)和四硼酸钠(2mm)，搅拌处理10小时，得到氧化的六方氮化硼溶液；

步骤三、制备气体吸附剂材料：

将5克的聚乙烯醇(pva)溶液与氧化的六方氮化硼溶液混合，并置于室温下超声处理4小时，然后于液氮下冷冻，接着冷冻干燥37小时，得到气体吸附剂材料；其中所述聚乙烯醇(pva)溶液中含有1wt％的聚乙烯醇，且所述聚乙烯醇溶液采用的溶剂为乙醇溶液。

实施例4

本申请实施例提供一种气体吸附剂材料，用于吸附二氧化碳气体，所述气体吸附剂材料的原料包括六方氮化硼(h-bn)、聚乙烯醇(pva)、间苯二酚、戊二醛溶液、四硼酸钠。具体地，所述气体吸附剂材料中包括氧化的六方氮化硼，所述氧化的六方氮化硼为所述六方氮化硼经氧化得到。例如，所述氧化的六方氮化硼的制备原料包括六方氮化硼(h-bn)、酸性混合物、高锰酸钾(kmno4)和双氧水。

相应的，所述气体吸附剂材料的制备方法，包括：

步骤一、制备氧化的六方氮化硼：

将8克的六方氮化硼(h-bn)分散在h2so4：h3po4(99％h2so4)的9：1酸性混合物(1500ml)中，并于50℃的条件下搅拌4小时，得到第一混合物；

将3克kmno4添加到所述第一混合物中，于50℃的条件下搅拌8～12小时，然后与冰水混合物混合，后加入双氧水并搅拌3小时，得到第二混合物；

采用约1000ml的去离子水、约1000ml的30wt％的hcl水溶液和约1000ml的乙醇依次对所述第二混合物进行洗涤，将洗涤后收集的固化物置于65℃温度下干燥36小时，即得到氧化的六方氮化硼；

步骤二、制备氧化的六方氮化硼溶液：

将步骤一中得到的所述氧化的六方氮化硼加入至800ml的去离子水中，超声3小时以进行超声波分散处理，超声处理后在室温下搅拌10小时，然后，加入间苯二酚(500mm)、戊二醛溶液(800mm)和四硼酸钠(3mm)，搅拌处理10小时，得到氧化的六方氮化硼溶液；

步骤三、制备气体吸附剂材料：

将1～10克的聚乙烯醇(pva)溶液与氧化的六方氮化硼溶液混合，并置于室温下超声处理3～5小时，然后于液氮下冷冻，接着冷冻干燥36小时，得到气体吸附剂材料；其中所述聚乙烯醇(pva)溶液中含有1wt％的聚乙烯醇，且所述聚乙烯醇溶液采用的溶剂为乙醇溶液。

实施例5气体吸附剂材料的检测和验证

在本实施例中，对实施例1至实施例4得到的气体吸附剂材料(见图1a和图1b所示，为气体吸附剂材料的结构示意图，其中pvapolymer指的是聚乙烯醇；h-bnsheet为六方氮化硼片层)进行二氧化碳气体吸附效果的检测，获得如图2所示的吸附效果图。

本申请得到的气体吸附剂材料可以吸收相当于自重340％的二氧化碳(如图2所示)。并且，本申请的气体吸附剂材料可以根据需要释放二氧化碳气体，这样，可以对材料进行回收循环使用。在1bar～56bar的压强条件下可以吸附二氧化碳气体。加热温度至120～150摄氏度可释放二氧化碳气体。

此外，对实施例1至实施例4中得到的气体吸附剂材料进行压缩试验，在2000次循环后变得更硬，但吸附效果没有实质性的减弱。

可见，本申请采用六方氮化硼(h-bn)和聚乙烯醇(pvapolymer)制得的气体吸附剂材料(-bn/pvacomposite)，可以有效的捕获二氧化碳气体。

实施例6

本实施例中提供一种窄边框显示面板。如图3所示，所述窄边框显示面板100包括：阵列基板(tft)110、与所述阵列基板110相对设置的彩膜基板120；设于所述彩膜基板(cf)120与所述阵列基板110之间的框胶130，且框胶130位于显示面板的非显示区；金属走线层140，设置于所述阵列基板110朝向所述彩膜基板的一面，且从显示面板的显示区延伸至非显示区；银浆层150，设置于所述彩膜基板120与所述阵列基板110的边侧面，位于非显示区，且其一端电连接所述金属走线层140；气体吸附层170，设置于所述银浆层150的边侧面远离所述彩膜基板120与所述阵列基板110；覆晶薄膜(chiponflex，or，chiponfilm，cof)160，设于所述气体吸附层170的边侧表面远离所述银浆层150。

本实施例中，所述气体吸附层170采用本申请的气体吸附剂材料制成，例如，采用本申请实施例1至实施例4得到的气体吸附剂材料制成。

所述窄边框显示面板中的制备方法，包括如下步骤：

首先提供一发光器件，对其边侧面进行侧磨，后对该表面进行洁净处理；利用多孔硅基材料，将银浆按照图案化间隔涂布于洁净后的侧面上，固化，镭射清洁，对固化后的银浆进行边界清洁平整，得到银浆层150(参见图4所示)，用于连接内外线路。

然后，将本申请上述得到的气体吸附剂材料作为溶质，与1～2wt％的聚乙烯醇溶液(溶剂：乙醇溶液)混合，得到混合材料溶液，利用多孔硅基材料将混合材料溶液涂布在所述银浆层150上(参见图5)，后固化冻干(10℃至-40℃)处理，即在窄边框显示面板中设置了气体吸附层170。所述气体吸附层170设置于间隔分布的银浆层150之间，且所述气体吸附层170与所述银浆层150部分接触。例如，本实施例中，所述混合材料溶液(溶剂为乙醇)中的总的质量百分数为2～20％，可以根据实际需求来选择。

然后，可以进行后续工艺，例如覆晶薄膜160邦定(cofbonding)、密封(sidesealing)及pcb邦定(pcbbonding)。窄边框显示面板中的阵列基板、彩膜基板、框胶、金属走线、银浆层及覆晶薄膜等均以本领域常规材料通过本领域常规工艺形成。

窄边框显示面板中，在银浆层上采用本申请的气体吸附剂材料制成的气体吸附层，由于所述气体吸附剂材料可以捕获金属线路附近的二氧化碳气体，因而可以显著降低金属(如cu)线路附近气体氛围中二氧化碳的含量，从而在一定程度上抑制显示面板中腐蚀金属线路的电化学反应，进而实现超窄边框机种金属线腐蚀的改善。

本申请中，在h-bn结构中，b－n键总是部分电离，其中的b原子成为缺电子中心，n原子成为电子富集中心，故b原子可以吸引亲核基团，而n原子可以吸引亲电基团。o原子与缺电的b结合。聚乙烯醇与氧化六方氮化硼通过氢键结合。

本申请的气体吸附材料在制备过程中形成的高比表面积的泡沫多孔对二氧化碳进行吸附；其次，二氧化碳显对聚乙烯醇和氧化h-bn片材(表面含大量羟基)都具有良好的亲和力；其中，与氧化h-bn片材相比，co2与pva聚合物中的羟基和ch3基团的相互作用要更强，并且co2-羟基基团具有最高的亲和力，以上均为物理吸附作用力。

以上对本申请实施例所提供的一种气体吸附剂材料及其制备方法和窄边框显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。