本发明涉及陶瓷,尤其涉及一种制备陶瓷粉末的装置。
背景技术:
1、氮化铝(aln)陶瓷具有导热性好、带隙宽、击穿电场强度高、载流子饱和迁移率高等优异特性,因此被广泛应用于高温、高频、大功率电子器件和集成电路的制作领域作为散热基片或者衬底。高纯氮化铝纳米颗粒,是制备氮化铝陶瓷、氮化铝单晶的源材料。氮化铝纳米颗粒的纯度,颗粒直径,粒度均匀性对材料的性能影响很大。
2、制备氮化铝纳米颗粒的方法有氧化铝碳热还原法、铝粉直接氮化法、溶胶法、等离子合成法、含氮化铝键聚合物分解法、水引发固相反应法、溶胶-凝胶法、化学气相沉积法等等。目前工业上运用最为广泛的是氧化铝碳热还原法,业界对其研究也最为深入,这种方法制备的氮化铝纳米颗粒可以规模化生产,纯度也较高,但纳米颗粒粒度较大,且其中的含氧量过高,不能直接用于作为大尺寸氮化铝单晶制备的原料。
3、其他制备氮化铝纳米颗粒的方法也都存在纳米颗粒粒度较大、纯度不够高的问题,不能满足高要求的氮化铝单晶制备。
4、因此,需要持续改善氮化铝纳米颗粒粒度较大、纯度不够高的问题。
技术实现思路
1、本发明解决的技术问题是提供一种制备陶瓷粉末的装置,以改善氮化铝纳米颗粒粒度较大、纯度不够高的问题。
2、为解决上述技术问题,本发明技术方案提供一种制备陶瓷粉末的装置,包括:反应腔;位于反应腔顶部的等离子体发生腔,所述等离子体发生腔与反应腔相连通;位于反应腔内底部的坩埚,所述坩埚用于承载反应物料;高频电源,所述高频电源与等离子体发生腔电连接,所述高频电源用于在等离子体发生腔内生成等离子体;与反应腔相连通的沉降室;位于沉降室底部的收集罐,所述收集罐与沉降室相连通;与沉降室相连通的真空泵,所述真空泵用于使反应腔保持真空状态。
3、可选的,还包括:位于坩埚底部的升降架,所述升降架可对所述坩埚的高度进行调节。
4、可选的,所述反应腔包括第一部分和第二部分,所述第一部分与所述等离子体发生腔相连通,所述第二部分用于放置所述坩埚和反应物料,所述第一部分和第二部分可拆卸连接。
5、可选的,所述第一部分和第二部分通过紧固螺栓可拆卸连接。
6、可选的,还包括:位于第二部分侧壁的固定块,所述固定块与反应腔第二部分侧壁固定连接;与固定块相配合的丝杆,所述丝杆的转动带动所述固定块沿丝杆的延伸方向定向运动,所述丝杆与地平面垂直;与丝杆电连接的步进电机,所述步进电机控制所述丝杆转动使所述第二部分上升或下降。
7、可选的,还包括:位于第二部分侧壁的滑块,所述滑块与反应腔第二部分侧壁固定连接,所述滑块与所述固定块分别位于反应腔第二部分相对的侧壁上;与滑块相配合的导轨,所述滑块可在导轨内滑动,所述导轨与丝杆平行。
8、可选的,所述高频电源包括等离子射频电源。
9、可选的,所述等离子体的温度范围为大于3000摄氏度。
10、可选的,还包括:与等离子体发生腔相连通第一进气管和第二进气管,所述第一进气管用于向等离子体发生腔内通入反应气体,所述第二进气管用于向等离子体发生腔内通入保护气体。
11、可选的,所述反应气体包括氮气和氩气;所述保护气体包括氩气。
12、可选的,所述第一进气管上设置有第一流量计,所述第二进气管上设置有第二流量计。
13、可选的,所述坩埚的材料包括铝,所述反应物料的材料包括铝锭。
14、可选的,所述陶瓷材料为氮化铝。
15、可选的,还包括:位于等离子体发生腔外壁的第一循环冷却系统,所述第一循环冷却系统的冷却方式包括水冷。
16、可选的,还包括:与真空泵相连通的气水分离器,用于将真空泵抽取的气体和水汽的混合进行气体和水汽的分离。
17、可选的,所述沉降室与反应腔通过第一管路相连通,所述真空泵与沉降室通过第二管路相连通,所述气水分离器与真空泵通过第三管路相连通。
18、可选的,所述真空泵的种类包括水环真空泵。
19、可选的,还包括:位于坩埚外壁的第二循环冷却系统,所述第二循环冷却系统的冷却方式包括水冷。
20、与现有技术相比,本发明的技术方案具有以下有益效果:
21、本发明的技术方案,通过提供一种制备陶瓷粉末的装置,所述装置制备的氮化铝纳米颗粒粒度小、纯度高,能够满足高要求器件的原材料需要。
1.一种制备陶瓷粉末的装置,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的制备陶瓷粉末的装置,其特征在于,还包括:位于坩埚底部的升降架,所述升降架可对所述坩埚的高度进行调节。
3.如权利要求1所述的制备陶瓷粉末的装置,其特征在于,所述反应腔包括第一部分和第二部分,所述第一部分与所述等离子体发生腔相连通,所述第二部分用于放置所述坩埚和反应物料,所述第一部分和第二部分可拆卸连接。
4.如权利要求3所述的制备陶瓷粉末的装置,其特征在于,所述第一部分和第二部分通过紧固螺栓可拆卸连接。
5.如权利要求3所述的制备陶瓷粉末的装置,其特征在于,还包括:位于第二部分侧壁的固定块,所述固定块与反应腔第二部分侧壁固定连接;与固定块相配合的丝杆,所述丝杆的转动带动所述固定块沿丝杆的延伸方向定向运动,所述丝杆与地平面垂直;与丝杆电连接的步进电机,所述步进电机控制所述丝杆转动使所述第二部分上升或下降。
6.如权利要求5所述的制备陶瓷粉末的装置,其特征在于,还包括:位于第二部分侧壁的滑块,所述滑块与反应腔第二部分侧壁固定连接,所述滑块与所述固定块分别位于反应腔第二部分相对的侧壁上;与滑块相配合的导轨,所述滑块可在导轨内滑动,所述导轨与丝杆平行。
7.如权利要求1所述的制备陶瓷粉末的装置,其特征在于,所述高频电源包括等离子射频电源。
8.如权利要求1所述的制备陶瓷粉末的装置,其特征在于,所述等离子体的温度范围为大于3000摄氏度。
9.如权利要求1所述的制备陶瓷粉末的装置,其特征在于,还包括:与等离子体发生腔相连通第一进气管和第二进气管,所述第一进气管用于向等离子体发生腔内通入反应气体,所述第二进气管用于向等离子体发生腔内通入保护气体。
10.如权利要求9所述的制备陶瓷粉末的装置,其特征在于,所述反应气体包括氮气和氩气;所述保护气体包括氩气。
11.如权利要求9所述的制备陶瓷粉末的装置,其特征在于,所述第一进气管上设置有第一流量计,所述第二进气管上设置有第二流量计。
12.如权利要求10所述的制备陶瓷粉末的装置,其特征在于,所述坩埚的材料包括铝,所述反应物料的材料包括铝锭。
13.如权利要求12所述的制备陶瓷粉末的装置,其特征在于,所述陶瓷材料为氮化铝。
14.如权利要求1所述的制备陶瓷粉末的装置,其特征在于,还包括:位于等离子体发生腔外壁的第一循环冷却系统,所述第一循环冷却系统的冷却方式包括水冷。
15.如权利要求1所述的制备陶瓷粉末的装置,其特征在于,还包括:与真空泵相连通的气水分离器,用于将真空泵抽取的气体和水汽的混合进行气体和水汽的分离。
16.如权利要求15所述的制备陶瓷粉末的装置,其特征在于,所述沉降室与反应腔通过第一管路相连通,所述真空泵与沉降室通过第二管路相连通,所述气水分离器与真空泵通过第三管路相连通。
17.如权利要求1所述的制备陶瓷粉末的装置,其特征在于,所述真空泵的种类包括水环真空泵。
18.如权利要求1所述的制备陶瓷粉末的装置,其特征在于,还包括:位于坩埚外壁的第二循环冷却系统,所述第二循环冷却系统的冷却方式包括水冷。