技术特征：
1.一种超薄二维cu-tcpp膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将多孔基底进行预处理；(2)配置浓度为0.1-10mg
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的cu-tcpp纳米片醇溶液，进行超声分散；(3)将多孔基底置于步骤(1)所述的cu-tcpp纳米片醇溶液中进行电泳沉积，得到覆盖cu-tcpp膜的多孔基底；(4)对步骤(3)所述覆盖cu-tcpp膜的多孔基底进行干燥处理，即可得到超薄二维cu-tcpp膜。2.根据权利要求1所述超薄二维cu-tcpp膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的多孔基底是指多孔阳极氧化铝。3.根据权利要求1所述超薄二维cu-tcpp膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的预处理方法包括乙醇冲洗和干燥。4.根据权利要求1所述超薄二维cu-tcpp膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述超声分散频率为20～100khz，超声时间为20～70min。5.根据权利要求1所述超薄二维cu-tcpp膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述cu-tcpp纳米片醇溶液的制备方法为：(a)将三水合硝酸铜、三氟乙酸、聚乙烯吡咯烷酮溶于n,n-二甲基甲酰胺和乙醇混合溶剂中；(b)将中-四(4-羧基苯基)卟吩溶于n,n-二甲基甲酰胺和乙醇混合溶剂中；(c)将步骤(b)中制备的混合溶液边搅拌边滴入步骤(a)制备的混合溶液中，超声10-30min，70-90℃反应2-6h后，于8000-12000rpm条件下离心5-20min；(d)将步骤(c)离心得到的纳米片用乙醇洗涤两次，洗涤条件为8000-10000rpm条件下离心5-20min；(e)将步骤(d)得到的纳米片重新用乙醇分散保存。6.根据权利要求5所述的cu-tcpp纳米片醇溶液的制备方法，其特征在于，所述步骤(a)中的n,n-二甲基甲酰胺和乙醇的混合物中n,n-二甲基甲酰胺和乙醇的体积比为3:1。7.根据权利要求5所述的cu-tcpp纳米片醇溶液的制备方法，其特征在于，所述步骤(a)中的三水合硝酸铜和步骤(b)中所述的中-四(4-羧基苯基)卟吩的摩尔比为3:1。8.根据权利要求1所述超薄二维cu-tcpp膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述的电泳沉积是将多孔基底和正负电极插入cu-tcpp纳米片溶液中，多孔基底处于正负电极中间位置，所述电泳沉积的电压为10v～36v的直流电压，所述电泳沉积的时间为2～60min。9.一种超薄二维cu-tcpp膜，其特征在于，由权利要求1至8任一项所述的制备方法制备得到。10.根据权利要求9所述的超薄二维cu-tcpp膜，其特征在于，所述超薄二维cu-tcpp膜的厚度为50～500nm。
技术总结
本发明公开了一种超薄二维Cu-TCPP膜的制备方法，包括以下步骤：(1)将多孔基底进行预处理；(2)配置浓度为0.1～10mg
技术研发人员：魏嫣莹 蔡佳浩 樊江 汪唯
受保护的技术使用者：华南理工大学
技术研发日：2022.01.19
技术公布日：2022/5/25