本技术涉及半导体生产用排气设备,具体地涉及一种半导体生产用排气装置。
背景技术:
1、半导体制作工艺完成后会产生工艺废气,该工艺废气为混合气体包括例如四氢化硅气体、氟化氢气体等有害气体,因此需要在排放前进行无害化处理。
2、现有技术大多通过废气处理液对半导体生产废气进行处理,但由于废气与处理液的反应时间短,接触面积小,导致废气处理的效果较差,因此,有必要研发一种处理效果好的半导体生产用排气装置。
技术实现思路
1、本实用新型的目的在于提供一种半导体生产用排气装置,解决了传统的半导体生产用排气装置废气处理效果差的问题。
2、本实用新型解决其技术问题所采取的技术方案是:
3、本实用新型提供了一种半导体生产用排气装置,包括净化罐,所述净化罐的下部设有进气口,所述净化罐的内部设有与进气口连接的气泡石,所述气泡石的上方设有若干层拦网,若干层拦网的下部均设有震动器,净化罐的侧面设有进液口。
4、进一步,所述净化罐的上部连通设置有吸附罐,所述吸附罐的内部设有活性炭,吸附罐的上部开设有出气口。
5、进一步,所述进气口与气泡石之间通过输气管连接。
6、进一步,所述净化罐的底部设有排液口。
7、进一步,所述净化罐的下部设有支腿。
8、本实用新型的技术效果:
9、与现有技术相比,本实用新型涉及的半导体生产用排气装置,通过设置气泡石,增大了废气与废气处理液的接触面积,通过设置拦网,有效的延缓了废气泡在废气处理液中的上升时间,两者结合,有效的提高了废气的净化效果;通过吸附罐配合净化罐,进一步提高了废气的净化效果。
1.一种半导体生产用排气装置,包括净化罐,所述净化罐的下部设有进气口,其特征在于:所述净化罐的内部设有与进气口连接的气泡石,所述气泡石的上方设有若干层拦网,若干层拦网的下部均设有震动器,净化罐的侧面设有进液口。
2.根据权利要求1所述的一种半导体生产用排气装置,其特征在于:所述净化罐的上部连通设置有吸附罐,所述吸附罐的内部设有活性炭,吸附罐的上部开设有出气口。
3.根据权利要求2所述的一种半导体生产用排气装置,其特征在于:所述进气口与气泡石之间通过输气管连接。
4.根据权利要求1-3任一项所述的一种半导体生产用排气装置,其特征在于:所述净化罐的底部设有排液口。
5.根据权利要求4所述的一种半导体生产用排气装置,其特征在于:所述净化罐的下部设有支腿。