一种具有KF接头的喷淋盘的制作方法

本技术涉及半导体生产设备领域，具体为一种具有kf接头的喷淋盘。

背景技术：

1、在半导体设备的制造过程中，例如蚀刻、沉积、氧化、溅射等处理过程中，通常会利用等离子体对基片(半导体晶片、玻璃基片等)进行处理。对于一些尺寸较小的基片，直接采用常规的喷淋设备及喷淋盘，存在严重的资源浪费，且喷淋设备成本较高；此外，目前使用的气体喷淋头，其流量较为不均匀，导致喷淋出的气体较为不均匀，影响基片的处理效果。

技术实现思路

1、本实用新型所解决的技术问题在于提供一种具有kf接头的喷淋盘，以解决上述背景技术中提出问题。

2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

3、一种具有kf接头的喷淋盘，包括：

4、底座，其包括圆形的底板、均布设置于所述底板上的若干喷淋孔、沿周向设置于所述底板外围的环形挡边以及设置于所述环形挡边内侧的安装台阶；

5、盖板，设置于所述底座远离所述底板的一面，位于所述安装台阶上，所述盖板和所述底座之间形成喷气腔，所述盖板与所述环形挡边之间形成收容槽；

6、kf接头，其中部设置有连通所述喷气腔的进气通道，所述kf接头设置于所述盖板的中心位置，所述kf接头的外端伸出所述环形挡边的外端；

7、挡片，设置于所述kf接头的输出端，所述挡片通过多个连接柱与所述底板相连，所述挡片和所述盖板之间设置有间隙。

8、进一步的是，所述kf接头的底部设置有台阶状的安装部，所述盖板的中部设置有与所述安装部配合的台阶孔，所述kf接头位于所述台阶孔中。

9、进一步的是，所述kf接头靠近所述底板的一面与所述盖板的内侧面平齐。

10、进一步的是，所述底板靠近所述盖板的一面沿中心线方向均布设置于多个加强筋。

11、进一步的是，所述kf接头和所述盖板之间焊接连接。

12、进一步的是，所述盖板和所述环形挡边之间焊接连接。

13、进一步的是，所述盖板远离所述底板的一面与所述环形挡边远离所述底板一面的距离与所述盖板的厚度相同。

14、进一步的是，所述挡片呈圆形状，所述挡片和所述盖板之间的距离为所述挡片和所述底板之间距离的1/5至1/4。

15、本实用新型的有益效果是：等离子气体自所述kf接头进入，经过所述挡片阻挡，所述挡片对气体起到缓冲及均流的作用，然后气体进入所述喷气腔，从若干所述喷淋孔喷出，喷出的气体，均匀性好；该具有kf接头的喷淋盘结构简单，可靠性高，通过所述kf接头即可直接与半导体生产设备相连，操作简单，体积小，所需要的安装空间也很小，用于对小尺寸基片喷淋，不会造成资源浪费，且整体成本较低。

技术特征：

1.一种具有kf接头的喷淋盘，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的具有kf接头的喷淋盘，其特征在于：所述kf接头的底部设置有台阶状的安装部，所述盖板的中部设置有与所述安装部配合的台阶孔，所述kf接头位于所述台阶孔中。

3.根据权利要求2所述的具有kf接头的喷淋盘，其特征在于：所述kf接头靠近所述底板的一面与所述盖板的内侧面平齐。

4.根据权利要求1所述的具有kf接头的喷淋盘，其特征在于：所述底板靠近所述盖板的一面沿中心线方向均布设置于多个加强筋。

5.根据权利要求1所述的具有kf接头的喷淋盘，其特征在于：所述kf接头和所述盖板之间焊接连接。

6.根据权利要求1所述的具有kf接头的喷淋盘，其特征在于：所述盖板和所述环形挡边之间焊接连接。

7.根据权利要求1所述的具有kf接头的喷淋盘，其特征在于：所述盖板远离所述底板的一面与所述环形挡边远离所述底板一面的距离与所述盖板的厚度相同。

8.根据权利要求1所述的具有kf接头的喷淋盘，其特征在于：所述挡片呈圆形状，所述挡片和所述盖板之间的距离为所述挡片和所述底板之间距离的1/5至1/4。

技术总结
一种具有KF接头的喷淋盘，包括底座，其包括圆形的底板、设置于底板上的若干喷淋孔、沿周向设置于底板外围的环形挡边以及设置于环形挡边内侧的安装台阶；盖板，设置于底座远离所述底板的一面，位于安装台阶上，盖板和底座之间形成喷气腔，盖板与环形挡边之间形成收容槽；KF接头，中部设置有连通喷气腔的进气通道，KF接头设置于盖板的中心位置，KF接头的外端伸出环形挡边的外端；挡片，设置于KF接头的输出端，挡片和盖板之间设置有间隙。该具有KF接头的喷淋盘结构简单，可靠性高，通过KF接头即可直接与半导体生产设备相连，操作简单，体积小，需要的安装空间也很小，用于对小尺寸基片喷淋，不会造成资源浪费，且整体成本较低。

技术研发人员：武斌,方童,尚成迎
受保护的技术使用者：亚赛（无锡）半导体科技有限公司
技术研发日：20221220
技术公布日：2024/1/15