一种具有散热功能的液体稀释装置的制作方法

本技术涉及半导体，特别涉及一种具有散热功能的液体稀释装置。

背景技术：

1、半导体器件在制作过程中，生产机台端排出的废旧浓硫酸，经过加水稀释，进行回收再利用，例如稀释成低浓度的稀硫酸用于碱排气洗涤塔。目前制备稀硫酸的方法是将浓硫酸和水直接混配稀释至低浓度，以得到符合要求的稀硫酸。然而，目前由于浓硫酸稀释过程中释放大量热量，没办法很好的降低浓硫酸稀释过程中的温度。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种具有散热功能的液体稀释装置，有效提高具有散热功能的液体稀释装置的降温效率，缩短稀释时间，延长设备使用寿命。

2、本实用新型提供一种具有散热功能的液体稀释装置，至少包括，

3、罐体，所述罐体上设置多个注入口；

4、散热管路，设置在所述罐体外，连通所述罐体的两端；

5、吹扫结构，设置在所述罐体外，贯穿所述罐体的一端延伸至所述罐体内；

6、温度感应单元，设置在所述罐体上；

7、控制单元，设置在所述吹扫结构上，与所述温度感应单元电连接；

8、调压阀，设置在所述吹扫结构上；以及

9、排气管，设置在所述罐体的一端，且与所述罐体连通。

10、在本实用新型的一实施例中，所述吹扫结构包括吹扫管，所述吹扫管延伸至所述罐体内的长度小于或等于所述罐体的高度的三分之二。

11、在本实用新型的一实施例中，所述吹扫结构包括气体单元，所述气体单元设置在所述吹扫管远离所述罐体的一端。

12、在本实用新型的一实施例中，所述吹扫管上设置有分流孔，所述分流孔设置在所述吹扫管延伸至罐体内的部分上。

13、在本实用新型的一实施例中，所述分流孔的数量至少为1个，且所述分流孔靠近所述注入口的一端设置。

14、在本实用新型的一实施例中，所述调压阀设置在所述吹扫管上，且所述调压阀位于所述罐体外部的所述吹扫管上。

15、在本实用新型的一实施例中，所述控制单元设置在所述吹扫管上，且所述控制单元设置在所述罐体和所述调压阀之间。

16、在本实用新型的一实施例中，所述散热管路上设置有浓度感应单元。

17、在本实用新型的一实施例中，所述注入口的数量至少为2个。

18、在本实用新型的一实施例中，所述排气管设置在所述罐体设置所述注入口的一端，且所述排气管的内部设置有防腐蚀涂层。

19、本实用新型提供的一种具有散热功能的液体稀释装置，可以根据具有散热功能的液体稀释装置内具体温度情况，调节散热降温的进程，避免增加多余的降温时间，减少能源浪费。同时，分流降温，提高了降温效率，缩短了稀释时间，降温效果好。在稀释浓硫酸等液体时，能够及时排出腐蚀性气体，避免设备损毁，提高设备使用寿命，从而减少出现二次危害的风险。

技术特征：

1.一种具有散热功能的液体稀释装置，其特征在于，至少包括，

2.根据权利要求1所述的一种具有散热功能的液体稀释装置，其特征在于，所述吹扫结构包括吹扫管，所述吹扫管延伸至所述罐体内的长度小于或等于所述罐体的高度的三分之二。

3.根据权利要求2所述的一种具有散热功能的液体稀释装置，其特征在于，所述吹扫结构包括气体单元，所述气体单元设置在所述吹扫管远离所述罐体的一端。

4.根据权利要求2所述的一种具有散热功能的液体稀释装置，其特征在于，所述吹扫管上设置有分流孔，所述分流孔设置在所述吹扫管延伸至罐体内的部分上。

5.根据权利要求4所述的一种具有散热功能的液体稀释装置，其特征在于，所述分流孔的数量至少为1个，且所述分流孔靠近所述注入口的一端设置。

6.根据权利要求2所述的一种具有散热功能的液体稀释装置，其特征在于，所述调压阀设置在所述吹扫管上，且所述调压阀位于所述罐体外部的所述吹扫管上。

7.根据权利要求2所述的一种具有散热功能的液体稀释装置，其特征在于，所述控制单元设置在所述吹扫管上，且所述控制单元设置在所述罐体和所述调压阀之间。

8.根据权利要求1所述的一种具有散热功能的液体稀释装置，其特征在于，所述散热管路上设置有浓度感应单元。

9.根据权利要求1所述的一种具有散热功能的液体稀释装置，其特征在于，所述注入口的数量至少为2个。

10.根据权利要求1所述的一种具有散热功能的液体稀释装置，其特征在于，所述排气管设置在所述罐体设置所述注入口的一端，且所述排气管的内部设置有防腐蚀涂层。

技术总结
本技术公开了一种具有散热功能的液体稀释装置，涉及半导体技术领域。所述装置至少包括，罐体，所述罐体上设置多个注入口；散热管路，设置在所述罐体外，连通所述罐体的两端；吹扫结构，设置在所述罐体外，贯穿所述罐体的一端延伸至所述罐体内；温度感应单元，设置在所述罐体上；控制单元，设置在所述吹扫结构上，与所述温度感应单元电连接；调压阀，设置在所述吹扫结构上；以及排气管，设置在所述罐体的一端，且与所述罐体连通。本技术提供的一种具有散热功能的液体稀释装置，能够提高液体稀释效率。

技术研发人员：蒋栋梁,彭昱治,钟尚仁
受保护的技术使用者：合肥晶合集成电路股份有限公司
技术研发日：20230424
技术公布日：2024/1/14