一种改善QFN框架银胶扩散的喷涂装置的制作方法

文档序号:36573672发布日期:2023-12-30 10:14阅读:45来源:国知局
一种改善的制作方法

本技术涉及半导体封测,具体为一种改善qfn框架银胶扩散的喷涂装置。


背景技术:

1、传统防银胶扩散的方法是在框架制作的过程将整个框架浸泡一层ebo(防银胶扩散涂层),此种做法有两个缺点:

2、1,涂层面积太大(框架的正反两面都有涂层)无形中增加材料的制作成本。

3、2,涂层过大或涂层不均匀会导致后道塑封时易产生框架与塑封体之间的分层。


技术实现思路

1、针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种改善qfn框架银胶扩散的喷涂装置,解决了上述提出的问题。

2、为实现以上目的,本实用新型通过以下技术方案予以实现:一种改善qfn框架银胶扩散的喷涂装置,包括用于对框架进行输送的输送组件,输送组件的内腔滑动连接有通过气缸驱动上下升降的升降板,升降板的内腔固定连接有位于输送组件内输送框架正上方的涂胶钢网,涂胶钢网的表面开设有与芯片大小适配的网孔,升降板位于涂胶钢网左侧的表面开设有与胶源连通的出料口,升降板的内腔通过滑动块滑动连接有在升降板的表面左右滑动的刮板,在使用时,通过输送组件对框架进行输送,框架沿着输送组件进行输送,输送到升降板的涂胶钢网下方,此时气缸驱动升降板向下运动,带动涂胶钢网贴付到框架的上方,此时出料口输入涂料,此时拉动刮板将涂料通过涂胶钢网上的网孔涂覆在框架的表面,多余的涂料落入回收槽内,进行回收处理,可以快速的往复对大批量框架进行涂胶,并且可以有效防止涂料溢出导致浪费,并且采用钢网涂胶的方式根据芯片大小位置切割合适大小的网孔,可根据芯片的大小,控制ebo涂层的大小,降低涂层面积,节省成本。

3、作为本实用新型进一步的方案:升降板位于涂胶钢网右侧的表面开设有回收槽,刮板在将防银胶扩散涂层刮涂在框架上方之后,多余的涂层被刮涂到回收槽内,进行收集。

4、作为本实用新型进一步的方案:输送组件的一侧固定连接有通过泵送与出料口连通的回收箱,回收箱的内腔通过回收管道与回收槽的内腔连通。

5、作为本实用新型进一步的方案:输送组件的表面固定连接有升降板的内腔滑动连接的导向杆,通过多个导向杆的设置,使得升降板在升降时更加的水平。

6、作为本实用新型进一步的方案:升降板下降到极限时,涂胶钢网贴附在框架的上方。

7、本实用新型与现有技术相比具备以下有益效果:

8、1、本实用新型,快速的往复对大批量框架进行涂胶,并且可以有效防止涂料溢出导致浪费,并且采用钢网涂胶的方式根据芯片大小位置切割合适大小的网孔,可根据芯片的大小,控制ebo涂层的大小,降低涂层面积,节省成本。

9、2、本实用新型,通过拉动刮板将涂料通过涂胶钢网上的网孔涂覆在框架的表面,多余的涂料落入回收槽内,进行回收处理。



技术特征:

1.一种改善qfn框架银胶扩散的喷涂装置,包括用于对框架进行输送的输送组件(1),其特征在于:所述输送组件(1)的内腔滑动连接有通过气缸驱动上下升降的升降板(2),所述升降板(2)的内腔固定连接有位于输送组件(1)内输送框架正上方的涂胶钢网(3),所述涂胶钢网(3)的表面开设有与芯片大小适配的网孔(4),所述升降板(2)位于涂胶钢网(3)左侧的表面开设有与胶源连通的出料口(5),所述升降板(2)的内腔通过滑动块(7)滑动连接有在升降板(2)的表面左右滑动的刮板(6)。

2.根据权利要求1所述的一种改善qfn框架银胶扩散的喷涂装置,其特征在于:所述升降板(2)位于涂胶钢网(3)右侧的表面开设有回收槽(8)。

3.根据权利要求1所述的一种改善qfn框架银胶扩散的喷涂装置,其特征在于:所述输送组件(1)的一侧固定连接有通过泵送与出料口(5)连通的回收箱(11),所述回收箱(11)的内腔通过回收管道(9)与回收槽(8)的内腔连通。

4.根据权利要求1所述的一种改善qfn框架银胶扩散的喷涂装置,其特征在于:所述输送组件(1)的表面固定连接有升降板(2)的内腔滑动连接的导向杆(10)。

5.根据权利要求1所述的一种改善qfn框架银胶扩散的喷涂装置,其特征在于:所述升降板(2)下降到极限时,所述涂胶钢网(3)贴附在框架的上方。


技术总结
本技术涉及一种改善QFN框架银胶扩散的喷涂装置,包括用于对框架进行输送的输送组件,输送组件的内腔滑动连接有通过气缸驱动上下升降的升降板,升降板的内腔固定连接有位于输送组件内输送框架正上方的涂胶钢网,涂胶钢网的表面开设有与芯片大小适配的网孔,本技术涉及半导体封测技术领域。该一种改善QFN框架银胶扩散的喷涂装置,快速的往复对大批量框架进行涂胶,并且可以有效防止涂料溢出导致浪费,并且采用钢网涂胶的方式根据芯片大小位置切割合适大小的网孔,可根据芯片的大小,控制EBO涂层的大小,降低涂层面积,节省成本。

技术研发人员:陈跃跃
受保护的技术使用者:安徽丰芯半导体有限公司
技术研发日:20230821
技术公布日:2024/1/15
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