一种旋转晶振转盘侦测装置的制作方法

1.本实用新型属于oled显示技术领域，具体涉及一种旋转晶振转盘侦测装置。


背景技术：

2.在蒸镀设备中，镀膜过程中需要晶振片实时侦测材料的蒸发速率来控制膜厚的均匀性，对晶振片的消耗非常大。如果晶振片数量充足，可以实现坩埚内的材料加到最大容量的2/3，同时，坩埚内材料耗尽，也可继续给坩埚加料继续生产，无需对设备停机保养花费时间，大大提高生产效率。
3.在实际生产中，真空设备腔体内有多个坩埚，且一个坩埚对应一个晶振转盘装置，由于控制晶振转盘装置的空间不大，安装的晶振片数量有限，就会出现晶振片耗尽了，坩埚内材料还有剩余的现象，如果要加装晶振片，就需要对设备停机保养和光学材料验证，长此以往停机保养的次数就会增加，花费大量时间且影响生产效益。


技术实现要素：

4.针对现有技术中存在的不足，本实用新型的目的在于提供一种结构简单、使用方便的旋转晶振转盘侦测装置，通过改变晶振片的排布方式，提高单个坩埚对应的侦测晶振片的数量，解决现有技术中，由于单个坩埚对应侦测的晶振片数量少，影响坩埚内材料不能充分利用，增加了停机保养和加装晶振片次数的问题。
5.为实现上述目的，本实用新型的技术方案为：一种旋转晶振转盘侦测装置，包括真空腔体、晶振转盘、坩埚ⅰ和坩埚ⅱ，晶振转盘、坩埚ⅰ和坩埚ⅱ均位于真空腔体中，晶振转盘的侧面上设有侧面晶振片用于侦测坩埚ⅰ的蒸发速率，晶振转盘的底面上设有平面晶振片，用于侦察坩埚ⅱ的蒸发速率，侧面晶振片与平面晶振片垂直。
6.进一步的，所述侦测装置还包括设置在晶振转盘外侧的罩壳、准直管ⅰ和准直管ⅱ，罩壳的侧面上设有使侧面晶振片露出的开口ⅰ，罩壳的侧面上设有使平面晶振片露出的开口ⅱ，准直管ⅰ的一端与开口ⅰ连通，准直管ⅰ的另一端对准坩埚ⅰ，准直管ⅱ的一端与开口ⅱ连通，准直管ⅱ的另一端对准坩埚ⅱ。
7.进一步的，所述开口ⅰ的大小与一个侧面晶振片的大小一致，开口ⅱ的大小与一个平面晶振片的大小一致，晶振转盘通过电机驱动在罩壳中转动。
8.进一步的，所述晶振转盘设置在坩埚ⅰ和坩埚ⅱ的上方，且位于坩埚ⅰ与坩埚ⅱ之间，晶振转盘与坩埚ⅰ和坩埚ⅱ连线构成直角三角形结构，晶振转盘位于两直角边的交点，坩埚ⅰ和坩埚ⅱ分别位于斜边的两端点处。
9.进一步的，所述晶振转盘包括晶振片载盘、晶振片信号通道载盘、数据处理器和基座，数据处理器安装在基座上，晶振片信号通道载盘的一端与数据处理器连接，晶振片信号通道载盘的另一端与晶振片载盘连接，基座连接在电机的输出轴上，电机带动基座转动进而驱动晶振转盘转动并控制晶振转盘转动角度。
10.进一步的，所述晶振转盘还包括固定螺栓和细杆螺丝，晶振片载盘与晶振片信号
通道载盘通过细杆螺丝紧固连接在一起，晶振片信号通道载盘和数据处理器均设有与固定螺栓配合的安装孔，晶振片信号通道载盘和数据处理器通过固定螺栓与安装孔配合紧固连接在一起。
11.进一步的，所述晶振片载盘上远离晶振片信号通道载盘一端的端面上设有平面晶振片安装孔，晶振片载盘的侧面上设有侧面晶振片安装孔，平面晶振片插接在平面晶振片安装孔中，侧面晶振片插接在侧面晶振片安装孔中。
12.进一步的，所述晶振片信号通道载盘中设有导线ⅰ、导线ⅱ、侧面晶振侦测信号连接端子和平面晶振侦测信号连接端子，导线ⅰ的一端与侧面晶振片连接，导线ⅰ的另一端与侧面晶振侦测信号连接端子连接，导线ⅱ的一端与平面晶振片连接，导线ⅱ的一端与平面晶振侦测信号连接端子连接，侧面晶振侦测信号连接端子和平面晶振侦测信号连接端子与数据处理器连接。
13.进一步的，所述真空腔体中设置多个晶振转盘，相邻两个晶振转盘分别为晶振转盘ⅰ和晶振转盘ⅱ，坩埚ⅰ通过准直管ⅱ与晶振转盘ⅰ上的平面晶振片对应，通过准直管ⅰ与晶振转盘ⅱ上的侧面晶振片对应；坩埚ⅱ通过准直管ⅰ与晶振转盘ⅰ上的侧面晶振片对应，通过准直管ⅱ与晶振转盘ⅱ上的平面晶振片对应。
14.进一步的，所述晶振转盘ⅰ与坩埚ⅰ和坩埚ⅱ连线构成的三角形为直角三角形结构，晶振转盘ⅱ与坩埚ⅰ和坩埚ⅱ连线构成的三角形也为直角三角形结构。
15.采用本实用新型技术方案的优点为：
16.1、本实用新型在晶振转盘上设置侧面晶振片与平面晶振片，当真空腔体内设置多个晶振转盘时，单个坩埚可对应两个晶振转盘，使单个坩埚对应的侦测晶振片的数量增多。通过改变晶振片的排布方式，提高单个坩埚对应的侦测晶振片的数量，解决现有技术中，由于单个坩埚对应侦测的晶振片数量少，影响坩埚内材料不能充分利用，增加了停机保养和加装晶振片次数的问题。
17.2、本实用新型通过改变晶振转盘排布方式及晶振信号侦测通道的方法，解决了相同空间内，不增加晶振转盘的空间体积及尺寸，比同等尺寸的传统晶振转盘可多安装原晶振片数量的0.1～1.5倍，提高坩埚内材料可填充量利用率，从而减少开腔填料时间，大大提高生产效益。
附图说明
18.下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明：
19.图1为本实用新型旋转晶振转盘侦测装置示意图；
20.图2为本实用新型晶振转盘结构示意图；
21.图3为图2中a-a晶振片通信通道载盘截面示意图；
22.图4为本实用新型晶振片载盘结构示意图；
23.图5为本实用新型晶振片信号通道载盘结构示意图；
24.图6为旋转晶振转盘侦测装置实际工作时实例图。
25.上述图中的标记分别为：1、晶振片载盘；2、晶振片信号通道载盘；3、固定螺栓；4、平面晶振片安装孔；5、细杆螺丝；6、侧面晶振片安装孔；7、侧面晶振侦测信号连接端子；8、平面晶振侦测信号连接端子；9、数据处理器；12、坩埚ⅰ；13、坩埚ⅱ；141、准直管ⅰ；142、准直
管ⅱ；15、侧面晶振片；16、平面晶振片；17、晶振转盘；171、晶振转盘ⅰ；172、晶振转盘ⅱ；18、真空腔体；21、基座；22、导线ⅰ；23、导线ⅱ。
具体实施方式
26.在本实用新型中，需要理解的是，术语“长度”；“宽度”；“上”；“下”；“前”；“后”；“左”；“右”；“竖直”；“水平”；“顶”；“底”“内”；“外”；“顺时针”；“逆时针”；“轴向”；“平面方向”；“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位；以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
27.如图1至图6所示，一种旋转晶振转盘侦测装置，包括真空腔体18、晶振转盘17、坩埚ⅰ12和坩埚ⅱ13，晶振转盘17、坩埚ⅰ12和坩埚ⅱ13均位于真空腔体18中，晶振转盘17的侧面上设有侧面晶振片15用于侦测坩埚ⅰ12的蒸发速率，晶振转盘17的底面上设有平面晶振片16，用于侦察坩埚ⅱ13的蒸发速率，侧面晶振片15与平面晶振片16垂直，当真空腔体18内设置多个晶振转盘17时，单个坩埚可对应两个晶振转盘，使单个坩埚对应的侦测晶振片的数量增多。通过改变晶振片的排布方式，提高单个坩埚对应的侦测晶振片的数量，解决现有技术中，由于单个坩埚对应侦测的晶振片数量少，影响坩埚内材料不能充分利用，增加了停机保养和加装晶振片次数的问题。
28.侦测装置还包括设置在晶振转盘17外侧的罩壳、准直管ⅰ141和准直管ⅱ142，罩壳的侧面上设有使侧面晶振片15露出的开口ⅰ，罩壳的侧面上设有使平面晶振片16露出的开口ⅱ，准直管ⅰ141的一端与开口ⅰ连通，准直管ⅰ141的另一端对准坩埚ⅰ12，准直管ⅱ142的一端与开口ⅱ连通，准直管ⅱ142的另一端对准坩埚ⅱ13。开口ⅰ的大小与一个侧面晶振片15的大小一致，开口ⅱ的大小与一个平面晶振片16的大小一致，晶振转盘17通过电机驱动在罩壳中转动。
29.晶振转盘17设置在坩埚ⅰ12和坩埚ⅱ13的上方，且位于坩埚ⅰ12与坩埚ⅱ13之间，晶振转盘17与坩埚ⅰ12和坩埚ⅱ13连线构成直角三角形结构，晶振转盘17位于两直角边的交点，坩埚ⅰ12和坩埚ⅱ13分别位于斜边的两端点处。
30.当真空腔体18中设置多个晶振转盘17，如图6所示，相邻两个晶振转盘17分别为晶振转盘ⅰ171和晶振转盘ⅱ172，坩埚ⅰ12通过准直管ⅱ142与晶振转盘ⅰ171上的平面晶振片16对应，通过准直管ⅰ141与晶振转盘ⅱ172上的侧面晶振片15对应；坩埚ⅱ13通过准直管ⅰ141与晶振转盘ⅰ171上的侧面晶振片15对应，通过准直管ⅱ142与晶振转盘ⅱ172上的平面晶振片16对应；一个晶振转盘17对应两个坩埚，每个坩埚对应两个晶振转盘17，从而提高了单个坩埚对应侦测的晶振片数量，可将原有的晶振片数量提高0.1～1.5倍。
31.晶振转盘ⅰ171与坩埚ⅰ12和坩埚ⅱ13连线构成的三角形为直角三角形结构，晶振转盘ⅱ172与坩埚ⅰ12和坩埚ⅱ13连线构成的三角形也为直角三角形结构。
32.晶振转盘17包括晶振片载盘1、晶振片信号通道载盘2、数据处理器9和基座21，数据处理器9安装在基座21上，晶振片信号通道载盘2的一端与数据处理器9连接，晶振片信号通道载盘2的另一端与晶振片载盘1连接，基座21连接在电机的输出轴上，电机带动基座21转动进而驱动晶振转盘17转动并控制晶振转盘17转动角度。保证电机控制晶振转盘17转动时，晶振转盘17上的晶振片恰好与罩壳上的开口对应，即电机控制晶振转盘17每转动一个
角度晶振转盘17平面上的一个平面晶振片16恰好与罩壳上的开口ⅱ对应，其它的平面晶振片16会被罩壳遮挡住，当露出的平面晶振片16用完时，电机可控制晶振转盘17转动，使下一个平面晶振片16与罩壳上的开口ⅱ对应，这样依次循环；晶振转盘17平面上的侧面晶振片15的使用远离与此相同。
33.需要说明的是，在实际生产中，真空腔体18中设置多个晶振转盘17，如图6所示，相邻两个晶振转盘17分别为晶振转盘ⅰ171和晶振转盘ⅱ172，对于坩埚ⅰ12先打开准直管ⅱ142，坩埚ⅰ12与晶振转盘ⅰ171上的平面晶振片16对应，电机控制晶振转盘ⅰ171每转动一个角度晶振转盘ⅰ171平面上的一个平面晶振片16恰好与罩壳上的开口ⅱ对应进而与打开的准直管ⅱ142对应，其它的平面晶振片16会被罩壳遮挡住，当露出的平面晶振片16用完时，电机可控制晶振转盘ⅰ171转动，使下一个平面晶振片16与罩壳上的开口ⅱ对应，这样依次循环，直到晶振转盘ⅰ171平面上的平面晶振片16全都使用完时，与晶振转盘ⅱ172对应的准直管ⅰ141打开，晶振转盘ⅱ172上的侧面晶振片15通过准直管ⅰ141与坩埚ⅰ12对应，电机控制晶振转盘ⅱ172转动，电机控制晶振转盘ⅱ172每转动一个角度晶振转盘ⅱ172侧面上的一个侧面晶振片15恰好与罩壳上的开口ⅰ对应进而与打开的准直管ⅰ141对应，其它的侧面晶振片15会被罩壳遮挡住，当露出的侧面晶振片15用完时，电机可控制晶振转盘ⅱ172转动，使下一个侧面晶振片15与罩壳上的开口ⅱ对应，这样依次循环。同理，坩埚ⅱ13对应晶振转盘ⅰ171上的侧面晶振片15和晶振转盘ⅱ172上的平面晶振片16。
34.晶振转盘17还包括固定螺栓3和细杆螺丝5，晶振片载盘1与晶振片信号通道载盘2通过细杆螺丝5紧固连接在一起，晶振片信号通道载盘2和数据处理器9均设有与固定螺栓3配合的安装孔，晶振片信号通道载盘2和数据处理器9通过固定螺栓3与安装孔配合紧固连接在一起。晶振片载盘1上远离晶振片信号通道载盘2一端的端面上设有平面晶振片安装孔4，晶振片载盘1的侧面上设有侧面晶振片安装孔6，平面晶振片16插接在平面晶振片安装孔4中，侧面晶振片15插接在侧面晶振片安装孔6中。
35.晶振片信号通道载盘2中设有导线ⅰ22、导线ⅱ23、侧面晶振侦测信号连接端子7和平面晶振侦测信号连接端子8，导线ⅰ22的一端与侧面晶振片15连接，导线ⅰ22的另一端与侧面晶振侦测信号连接端子7连接，导线ⅱ23的一端与平面晶振片16连接，导线ⅱ23的一端与平面晶振侦测信号连接端子8连接，侧面晶振侦测信号连接端子7和平面晶振侦测信号连接端子8与数据处理器9连接。数据处理器9为接收晶振通道信号装置，该装置可以根据传递来的信号计算坩埚的蒸发速率，该装置为英福康晶振片信号传感器，其型号为inficon781-600-g1。
36.晶振转盘侦测装置在真空腔体18内，对坩埚ⅰ12和坩埚ⅱ13升温至材料持续蒸发，用晶振转盘17上的侧面晶振片15和平面晶振片16分别侦测坩埚ⅰ12和坩埚ⅱ13的蒸发速率，晶振片通过累计蒸发材料的重量反馈出坩埚内材料的蒸发速率。
37.侧面晶振片15和平面晶振片16在两个垂直的空间平面上，在真空腔体18内，材料蒸发后运行路径是直线，所以坩埚ⅰ12和坩埚ⅱ13的材料不会被同一个晶振转盘17上的侧面晶振片15和平面晶振片16交叉侦测，准直管是将坩埚ⅰ12和坩埚ⅱ13的材料分别精准的引到对应晶振片上，防止同一方向位置的其他坩埚材料的累计，保证了一种晶振只侦测一种材料的蒸发速率。
38.如图6所示，由晶振转盘ⅰ171、晶振转盘ⅱ172、准直管ⅰ141、准直管ⅱ142、坩埚ⅰ12
和坩埚ⅱ13组成。坩埚ⅰ12的蒸发速率由晶振转盘171上对应的准直管ⅱ142和晶振转盘ⅱ172上对应的准直管ⅰ141分别导流侦测。坩埚ⅱ13的蒸发速率由晶振转盘ⅱ172上对应的准直管ⅱ142和晶振转盘171上对应的准直管ⅰ141分别导流侦测。
39.这样，可以实现同尺寸下的2个晶振转盘装置可同时侦测2个坩埚的蒸发速率，对于单个坩埚而言，两个晶振转盘分别侦测单个坩埚的蒸发速率可将晶振片数亮提高了原数量的0.1～1.5倍。
40.本实用新型通过改变晶振转盘排布方式及晶振信号侦测通道的方法，解决了相同空间内，不增加晶振转盘的空间体积及尺寸，比同等尺寸的传统晶振转盘可多安装原晶振片数量的0.1～1.5倍，提高坩埚内材料可填充量利用率，从而减少开腔填料时间，大大提高生产效益。
41.以上结合附图对本实用新型进行了示例性描述，显然本实用新型具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本实用新型技术方案进行的各种非实质性的改进，或未经改进将本实用新型的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本实用新型的保护范围之内。