一种基于晶体调控原理的天然气水合物储气量提高方法

文档序号:36701431发布日期:2024-01-16 11:36阅读:23来源:国知局
一种基于晶体调控原理的天然气水合物储气量提高方法

:本发明涉及天然气储运,具体涉及一种基于晶体调控原理的天然气水合物储气量提高方法。

背景技术

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背景技术:

1、基于水合物法的天然气固化储运工艺是近些年所开发的一项新的天然气存储和运输技术,其主要是通过将天然气大规模固定在固态水合物相中,并以固态天然气水合物的形式进行存储和运输的工艺。传统地,标准状况下1m3的水合物能够存储160-180m3的天然气。相较于传统的液化天然气(lng)和压缩天然气(cng)等已商业化的天然气存储和运输工艺,天然气水合物固化储运技术具有工艺流程短、成本低、安全无污染等优点,然而,制约该技术进一步走向工业化的核心问题主要包括以下二方面:第一,天然气水合物的生成条件过高;第二,天然气水合物的储气量较低。针对第一方面的问题,研究者主要通过引入热力学添加剂来降低天然气水合物的生成条件,值得注意的是当前的研究表明添加热力学添加剂可能是目前降低水合物生成条件的有效且唯一的途径。然而,由于热力学添加剂自身会占据部分水合物的笼空间,从而减少了提供给气体分子占据的水合物笼,近而减少了水合物的气体存储量。

2、一些研究者提出了采用动力学促进剂、分散剂以及搅拌、鼓泡和喷淋等方式来增强气液的传质过程以达到提高表观总气体存储量的目的,专利“水合物促进剂及其在制备高储气密度气体水合物中的应用”(公开(公告)号cn104974713a)提出了采用不同浓度的氨基酸的水溶液来促进气体水合物的生成,结果表明其能够在一定程度上增大储气量,提高储气密度,专利“一种低能耗水合空气分离的装置与方法”(公开(公告)号cn104841237b)提出了采用若干动力学促进剂和热力学促进剂中的一种或多种协同以促进气体水合物的生成。文章“天然气水合物强化生成技术与方法研究进展[j].油气储运,2012,31(10):725-732”综述了搅拌、鼓泡和喷淋等方式对气体水合物生成的促进作用和储气量的影响。尽管这些方法都能够在一定程度上提高气体水合物的储气量,但都是通过形成更多天然气水合物的方式来实现的。因此,亟需开发出一种方法,其能够在不生成更多天然气水合物的情况下通过调节天然气水合物晶体结构从根本上解决热力学添加剂体系中天然气水合物气体存储量不高的难题。

3、天然气水合物是一种笼形包合物,水分子作为主体,形成一种空间点阵结构,气体分子作为客体,充填于点阵间的空穴中,气体和水之间没有化学计量关系。形成点阵的水分子之间靠较强的氢键结合,而气体分子和水分子之间的作用力则为范德华力。目前已发现的水合物结构有4种即i型、ii型、h型、t型。i型水合物为立方晶体结构,由于其内空腔的体积较小,晶穴平均直径0.78nm,仅能容纳像甲烷、乙烷、氮气、二氧化碳、硫化氢等小分子。i型水合物在自然界分布最为广泛,纯甲烷、纯乙烷的水合物就是i型的。这种甲烷水合物的一般组成是ch4.5.75h2o。ii型水合物为菱形晶体结构,除可包容c1,c2小分子外,其较大的空穴倾向于容纳丙烷(c3)及异丁烷(i-c4)等烃类分子,h型水合物为六方晶体结构,它的空穴甚至可以容纳i-c5分子和其它直径在0.75-0.86nm之间的分子。分析天然气水合物的4种结构特征可以看出,i型、ii型,h型和t型的小晶穴与大晶穴的比率分别为1:3,2:1,5:1和1:4。如果让甲烷全部占据i型的512和51262,i型水合物的甲烷储量又是最大的。


技术实现思路

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技术实现要素:

1、本发明的目的是提供一种基于晶体调控原理的天然气水合物储气量提高方法,解决了热力学添加剂体系中天然气水合物气体存储量不高的问题。

2、本发明是通过以下技术方案予以实现的:

3、一种基于晶体调控原理的天然气水合物储气量提高方法,该方法包括以下步骤:引入微溶或不溶于水的热力学添加剂使得甲烷分子取代添加剂分子占据ii型水合物中的大笼子(51264)生成ii型的纯甲烷水合物(16(512)·8(51264)·136h2o);通过控制温度为274.15k-288.15k,压力为5-9mpa使得不稳定的ii型纯甲烷水合物(16(512)·8(51264)·136h2o)快速转化为i型纯甲烷水合物(2(512)·6(51262)·46h2o)。

4、本发明所述的微溶或不溶于水的热力学添加剂指的是通常与甲烷能形成ii型水合物的生成促进剂。例如传统的热力学添加剂中环戊烷、丙烷、三甲烯化硫等能满足此要求。

5、所述的微溶或不溶于水的热力学添加剂由于在水中的溶解度较小,因此,无论加入多大的量,其在水溶液中的溶解度变化都较小,从而,微溶或不溶于水的热力学添加剂对整个体系中水合物生成条件的降低效果受添加剂的加入量影响较小。因此,该调节方案能够满足大规模晶体调节和控制的要求,适用于大规模工业化应用的发展要求。

6、所述的水合物的晶体调节和控制原理如下:根据传统的van der waals和platteeuw理论,当气体分子在51264笼子中的空穴占有率(θl(gas))高于添加剂分子在51264笼子中的空穴占有率(θl(promoter))时,气体分子便能够取代添加剂分子占据ii型水合物的大笼子。空穴占有率(θl)通过公式θli=clipi/(1+cl1p1+cl2p2)进行计算,其中cli为兰格缪尔吸附系数,pi为客体分子(气体或者添加剂)的分压。为了满足θl(gas)>θl(promoter),需要升高系统的压力或者降低水合物生长点周围添加剂在水中的溶解度。因此,选择微溶或不溶型热力学添加剂是实现甲烷分子取代添加剂分子形成甲烷水合物的有效途径。此外,研究表明中低压条件下ii型的ch4水合物本身是不稳定的,其会自发地转变为稳定的i型水合物,而这一过程快慢受系统过冷度的影响。通过对过冷度的调节能够使得ii型甲烷水合物快速转化为i型甲烷水合物。

7、值得一提的是本发明热力学添加剂分子由于分子直径较大,没有办法占据i型水合物的笼子。

8、因此本发明选择微溶或或不溶于水的,且能够与甲烷形成ii型结构的热力学添加剂。

9、优选地,微溶或不溶于水的热力学添加剂与水的体积比为(15-24):(76-85)。

10、所述的水合物的晶体调节和控制过程具有普遍的适用性,不需要通过其它辅助设备来实现。

11、步骤二中的压力和温度条件控制过程由制冷和加热装置实现,其具体过程取决于所使用的热力学添加剂。

12、当微溶或不溶于水的热力学添加剂为常用的环戊烷时,压力为5-9mpa,反应温度为274.15k-288.15k。

13、当微溶或不溶于水的热力学添加剂为常用的丙烷时,压力为5-7mpa,反应温度为276.15k-283.15k。

14、本发明提供的提高天然气水合物储气量的方法主要是通过调节和控制体系中所生成的水合物晶体结构来实现。通过对水合物晶体结构的调节和控制,能够从根本上解决热力学添加剂体系中水合物气体存储量不高的难题。

15、因此本发明还保护所述的基于晶体调控原理的天然气水合物储气量提高方法在天然气储运的应用。

16、本发明的有益效果如下:

17、1)本发明在向水合物生成系统中添加微溶或不溶于水的热力学添加剂以降低水合物生成条件的基础上形成ii结构,然后通过控制温度和压力来调节和控制体系中所生成的水合物晶体结构为i型甲烷水合物,提供了一种天然气水合物储气量提高方法,创造性地从根本上解决热力学添加剂体系中气体存储量不高的难题。

18、2)本发明能够适用于大规模气体水合物的生成,能够满足基于水合物法天然气固化储运技术的工业化发展要求。

19、2)本发明不需要引入其他设备和辅助装置,不会降低添加剂对水合物生成条件降低的效果,也不会引起成本的显著增加,有着广泛的适用性。

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