专利名称：基于柔性衬底mems技术的脑电图干电极阵列及其制备方法
技术领域：
本发明涉及的是一种微机电系统技术领域的电极及其制备方法，具体是一种基于 柔性衬底MEMS技术的脑电图干电极阵列及其制备方法。
背景技术：
干电极主要用于脑电图的测量，可替代现有的基于湿电极的有线脑电采集设备。 干电极可直接穿过皮肤角质层，克服角质层带来的高阻抗；受环境制约小，可进行快速、无 痛的脑电信号采集。脑电图干电极制备技术的发展，将大大促进脑电技术面向大众的应用， 从而改善和提高人们的生活水平。干电极要求具有一定的机械强度、生物相容性好、阻抗 小、电极可根据需要进行排布、容易固定、对外界屏蔽佳等特点。聚酰亚胺以其绝缘性能佳、 生物相容性好、富有柔性等特点被广泛的应用于生物微电极的封装材料。经过对现有技术的检索发现，隋晓红等人在《传感技术学报》，2006，19 (5) 1419 中介绍了一种二维可植入式硅微电极的制备方法，采用化学气相沉积在(100)硅衬底上生 长SiO2作为针主体，用钛/金作探针、金属连线及焊点，最后用邻苯二酚-乙二胺-水(EPW) 湿法刻蚀硅以释放器件。腐蚀液EPW有毒，不利于器件的生物相容性；以SiO2作为针主体 的电极较脆，容易折断，且表面不光滑，只适宜短期植入的急性实验。Choi JW 等在 SICE-ICASE International Joint Conference 2006，Oct. 18-21， 2006 in Bexco, Busan, Korea 3678中报道了一种立体微针的制备方法，采用数字微镜 (DMD, digitalMicromirror Device)进行基于像素的不等时曝光，从而达到立体光刻的效 果，制备了尖锐程度不同的微针阵列。该工艺的效率较低，无法实现量产。Lin CT 等人在 Proceedings of the IEEE, 2008,96 (7) :1167 中采用硬掩膜对硅 进行各向同性刻蚀来制作电极针尖，再用各向异性刻蚀制作电极的支柱部分，除去掩膜后 在电极表面沉积金属。以这种方法制备的立体电极的针底部尺寸较小，且硅作为主体的电 极较易折断；另外，直接制备的立体干电极没有相应的接插器，而使用传统焊接的方法容易 产生虚焊，且焊点处牢度有限，使电极无法很好地与后续的相应设备进行连接。
发明内容
本发明针对现有技术存在的上述不足，提供一种基于柔性衬底MEMS技术的脑电 图干电极阵列及其制备方法，制备所得电极具有器件能够自释放、工艺简单、成品率高、生 物相容性好、屏蔽佳等优点。本发明是通过以下技术方案实现的本发明涉及一种基于柔性衬底MEMS技术的脑电图干电极阵列的制备方法，包括 以下步骤第一步、在经过处理的基片表面涂覆黏附层，再在黏附层上溅射第一金属种子层。所述的基片是指玻璃或者硅基片。
所述的黏附层是指厚度为50-200 μ m的聚二甲基硅氧烷。所述的第一金属种子层是指厚度为50-200nm的铬/铜金属。第二步、在第一金属种子层上涂覆正胶，再依次以光刻法和电铸法制得金属牺牲 层后，依次去除光刻胶和第一金属种子层至露出黏附层。所述的金属牺牲层的厚度为20-50 μ m。第三步、在金属牺牲层和露出的黏附层上涂覆聚酰亚胺酸，经热固化处理制成柔 性衬底第一聚酰亚胺层，再通过抛光机打磨第一聚酰亚胺层至露出金属牺牲层。所述的第一聚酰亚胺层比金属牺牲层高1-5 μ m。第四步、在第一聚酰亚胺层上溅射第二金属种子层，然后在其上涂覆正胶，通过光 刻法和电铸法制备得到金属电极微针及电路层后，依次去除光刻胶和第二金属种子层，露 出第一聚酰亚胺层和金属牺牲层。所述的第二金属种子层是指厚度为50-200nm的铬/铜金属。所述的金属电极微针及电路层的厚度为28-70 μ m，线宽为50-200 μ m,微针长度 为200-500 μ m，针尖比例为1 1至1 2。第五步、在金属电极微针及电路层、露出的第一聚酰亚胺层和金属牺牲层上涂覆 聚酰亚胺酸，经前烘处理后，涂覆正胶，通过光刻法与显影液刻蚀聚酰亚胺酸对其进行图形 化，去除全部光刻胶，热固化处理制成第二聚酰亚胺层。所述的第二聚酰亚胺层的厚度为5-20 μ m，该第二聚酰亚胺层的形状与第一聚酰 亚胺层相同。所述的热固化处理是指采用80°c、ll(rc、15(rc、27(rc的阶梯升温法进行加热 固化。第六步、去除金属牺牲层以及金属牺牲层下的第一金属种子层，实现第一聚酰亚 胺层的图形化以及电极微针悬臂梁结构的释放。第七步、通过电镀法将电极微针表面镀上惰性金属保护层，将片子置于无水乙醇 中使聚二甲基硅氧烷黏附层溶胀，表面失去活性，将器件从基片上剥离，制得基于柔性衬底 MEMS技术的脑电图干电极。所述的惰性金属保护层厚度为0. 5-1. 5 μ m。第八步、将释放后的脑电图干电极经过多层组装至夹具后两端采用螺丝固定，制 得基于柔性衬底MEMS技术的脑电图干电极阵列。所述的多层是指4-10层。所述的夹具为组合式结构或整体式结构，该夹具与电极的贴合面形状与第一聚酰 亚胺层相同。所述的螺丝是指直径为1. 5-2. 5mm的尼龙螺丝。本发明涉及上述方法制备得到的脑电图干电极阵列，包括固定夹具以及固定于 内的若干层脑电图干电极，该脑电图干电极包括金属电极微针及电路层以及位于其两侧 的第二金属种子层和第二聚酰亚胺层，金属电极微针表面包覆惰性金属层，第一聚酰亚胺 层是脑电图干电极的柔性衬底。本发明与现有技术相比的优点在于(1)利用了抛光机打磨、光刻、电铸的方法进 行柔性衬底图形化，工艺简单，成品率高；(2)电极的位置可根据应用要求改变其排列；(3)采用金属作为电极主体，机械强度高、阻抗小；(4)采用金属牺牲层工艺实现柔性衬底图形 化，柔性衬底图形化质量高；(5)采用聚酰亚胺和金等生物相容性材料，生物相容性好；(6) 采用电极的多层组装并使用夹具固定，制成电极的立体阵列，容易固定且屏蔽佳。
图1为本发明工艺流程图；其中1基片、2黏附层、3第一金属种子层、4金属牺牲层、5第一聚酰亚胺层、6第 二金属种子层、7金属电极微针及电路层、8第二聚酰亚胺层、9惰性金属层、10夹具、11固定 螺丝。图2为实施例电极截面图；其中5第一聚酰亚胺层、6第二金属种子层、7金属电极微针及电路层、8第二聚酰 亚胺层、9惰性金属层、10夹具、11固定螺丝。
具体实施例方式下面对本发明的实施例作详细说明，本实施例在以本发明技术方案为前提下进行 实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本发明的保护范围不限于下述的实施 例。实施例1脑电图干电极阵列结构参数玻璃基片，聚二甲基硅氧烷黏附层厚度50 μ m，生物 微电极总厚度55 μ m,镍电极微针和电路层厚度28 μ m，线宽50 μ m，微针长度200 μ m,针尖 比例1 1，金保护层厚度0.5μπι，采用10层组装，夹具为组合式，尼龙螺丝直径为1.5mm。如图1所示，本实施例制备过程如下(1)基片处理及聚二甲基硅氧烷黏附层的制备采用厚度为2mm的玻璃片为基片1，首先进行基片处理用碳酸钙粉末、丙酮、酒精 和去离子水超声清洗干净，在180°C烘箱中烘干3小时。然后在基片上涂覆厚度为50 μ m厚 的聚二甲基硅氧烷黏附层2，转速为2000rpm，在260°C真空炉下进行2小时固化。随后在聚 二甲基硅氧烷黏附层2上溅射50nm的第一铬/铜金属种子层3。(2)金属牺牲层的制备在第一铬/铜金属种子层3上涂覆厚度为20 μ m的正胶AZ4903，采用德国Karl Suss公司MA6光刻机曝光，曝光时间为180秒，显影时间为170秒，电铸厚度20 μ m的铜金 属牺牲层4，用丙酮去除光刻胶，先后采用氨水、双氧水混合溶液和高锰酸钾、氢氧化钠混合 溶液去除第一铬/铜金属种子层3。(3)第一聚酰亚胺层的制备在铜金属牺牲层4和露出的聚二甲基硅氧烷黏附层2上涂覆厚度为25 μ m的聚酰 亚胺酸，转速为1500rpm，采用阶梯升温法(80°C -110°C -150°C -270°C )热固化处理制 成柔性衬底第一聚酰亚胺层5。用抛光机打磨第一聚酰亚胺层5至露出铜金属牺牲层4。(4)金属电极微针及电路层的制备在第一聚酰亚胺层5上溅射50nm的第二铬/铜金属种子层6，然后在其上涂覆 30口111厚的正胶424903，采用德国Karl Suss公司MA6光刻机曝光，曝光时间为230秒，显影时间为240秒，电铸厚度28 μ m、线宽50 μ m的镍金属电极微针及电路层7，微针长度 200μπι，针尖比例1 1。用丙酮去除光刻胶，先后采用氨水、双氧水混合溶液和高锰酸钾、 氢氧化钠混合溶液去除第二铬/铜金属种子层6，露出第一聚酰亚胺层5和铜金属牺牲层 4。(5)第二聚酰亚胺层的制备在镍金属电极微针及电路层7、露出的第一聚酰亚胺层5和铜金属牺牲层4上涂覆 厚度为5 μ m的聚酰亚胺酸，转速为3000rpm，在135°C烘箱中前烘30分钟。涂覆5 μ m厚的 正胶AZ4620，采用德国Karl Suss公司MA6光刻机曝光，曝光时间为90秒，显影时间为240 秒(因样品底部不平，需增加曝光时间，采用显影液刻蚀聚酰亚胺酸，需增加显影时间)。用 丙酮去除光刻胶，采用阶梯升温法(80°C -IlO0C -150°C -270°C )热固化处理制成第二 聚酰亚胺层8。(6)金属牺牲层的去除用氨水、双氧水混合溶液去除铜金属牺牲层4，高锰酸钾、氢氧化钠混合溶液去除 铜金属牺牲层4下方的第一铬/铜金属种子层3中的铬，实现第一聚酰亚胺层的图形化以 及电极微针悬臂梁结构的释放。(7)惰性金属保护层的制备及器件剥离使用脉冲电流电镀厚度0. 5 μ m的金保护层9，将片子置于无水乙醇中使聚二甲基 硅氧烷黏附层2溶胀，表面失去活性，然后将器件从基片上剥离，制得基于柔性衬底MEMS技 术的脑电图干电极。(8)器件的多层组装将10片释放后的器件叠加，组装于组合式夹具10内，用直径1. 5mm的尼龙螺丝11 固定，制得基于柔性衬底MEMS技术的脑电图干电极阵列。实施例2生物微电极阵列结构参数玻璃基片，聚二甲基硅氧烷黏附层厚度200 μ m，生物 微电极总厚度100 μ m,镍电极微针和电路层厚度48 μ m，线宽100 μ m,微针长度300 μ m，针 尖比例1 1.5，金保护层厚度1 μ m，采用8层组装，夹具为整体式，尼龙螺丝直径为2mm。如图1所示，本实施例制备过程如下(1)基片处理及聚二甲基硅氧烷黏附层的制备采用厚度为2mm的玻璃片为基片1，首先进行基片处理用碳酸钙粉末、丙酮、酒精 和去离子水超声清洗干净，在180°C烘箱中烘干3小时。然后在基片上涂覆厚度为200 μ m 厚的聚二甲基硅氧烷黏附层2，转速为600rpm，在260°C真空炉下进行2小时固化。随后在 聚二甲基硅氧烷黏附层2上溅射IOOnm的第一铬/铜金属种子层3。(2)第一金属牺牲层的制备在第一铬/铜金属种子层3上涂覆厚度为40 μ m的正胶AZ50XT，采用德国Karl Suss公司MA6光刻机曝光，曝光时间为350秒，显影时间为750秒，电铸厚度40 μ m的铜金 属牺牲层4，用丙酮去除光刻胶，先后采用氨水、双氧水混合溶液和高锰酸钾、氢氧化钠混合 溶液去除第一铬/铜金属种子层3。(3)第一聚酰亚胺层的制备在铜金属牺牲层4和露出的聚二甲基硅氧烷黏附层2上涂覆厚度为45 μ m的聚酰亚胺酸，转速为900rpm，采用阶梯升温法(80°C -110°C -150°C -270°C )热固化处理制成 柔性衬底第一聚酰亚胺层5。用抛光机打磨第一聚酰亚胺层5至露出铜金属牺牲层4。(4)金属电极微针及电路层的制备在第一聚酰亚胺层5上溅射IOOnm的第二铬/铜金属种子层6，然后在其上涂覆 50 μ m厚的正胶AZ50XT，采用德国Karl Suss公司MA6光刻机曝光，曝光时间为450秒，显 影时间为800秒，电铸厚度48 μ m、线宽100 μ m的镍金属电极微针及电路层7，微针长度 300μπι，针尖比例1 1.5。用丙酮去除光刻胶，先后采用氨水、双氧水混合溶液和高锰酸 钾、氢氧化钠混合溶液去除第二铬/铜金属种子层6，露出第一聚酰亚胺层5和铜金属牺牲 层4。(5)第二聚酰亚胺层的制备在镍金属电极微针及电路层7、露出的第一聚酰亚胺层5和铜金属牺牲层4上涂 覆厚度为IOym的聚酰亚胺酸，转速为2500rpm，在135°C烘箱中前烘30分钟。涂覆10 μ m 厚的正胶AZ4903，采用德国Karl Suss公司MA6光刻机曝光，曝光时间为160秒，显影时间 为300秒(因样品底部不平，需增加曝光时间，采用显影液刻蚀聚酰亚胺酸，需增加显影时 间)。用丙酮去除光刻胶，采用阶梯升温法(80°C -IlO0C -150°C -270°C )热固化形处理 制成成第二聚酰亚胺层8。(6)金属牺牲层的去除用氨水、双氧水混合溶液去除铜金属牺牲层4，高锰酸钾、氢氧化钠混合溶液去除 铜金属牺牲层4下方的第一铬/铜金属种子层3中的铬，实现第一聚酰亚胺层的图形化以 及电极微针悬臂梁结构的释放。(7)惰性金属保护层的制备及器件剥离使用脉冲电流电镀厚度1 μ m的金保护层9，将片子置于无水乙醇中使聚二甲基硅 氧烷黏附层2溶胀，表面失去活性，然后将器件从基片上剥离，制得基于柔性衬底MEMS技术 的脑电图干电极。(8)器件的多层组装将8片释放后的器件叠加，组装于整体式夹具10内，用直径2mm的尼龙螺丝11固 定，制得基于柔性衬底MEMS技术的脑电图干电极阵列。实施例3生物微电极阵列结构参数硅基片，聚二甲基硅氧烷黏附层厚度ΙΟΟμπι，生物微 电极总厚度120 μ m，镍电极微针和电路层厚度68 μ m，线宽200 μ m,微针长度500 μ m,针尖 比例1 2，金保护层1.5 μ m，采用4层组装，夹具为组合式，尼龙螺丝直径为2. 5mm。如图1所示，本实施例制备过程如下(1)基片处理及聚二甲基硅氧烷黏附层的制备采用厚度为0. 5mm的硅片为基片1，首先进行基片处理用去离子水超声清洗干 净，在180°C烘箱中烘干3小时。然后在基片上涂覆厚度为IOOym厚的聚二甲基硅氧烷黏 附层2，转速为IOOOrpm，在260°C真空炉下进行2小时固化。随后在聚二甲基硅氧烷黏附层 2上溅射200nm的第一铬/铜金属种子层3。(2)第一金属牺牲层的制备在第一铬/铜金属种子层3上涂覆厚度为50 μ m的正胶AZ50XT，采用德国KarlSuss公司MA6光刻机曝光，曝光时间为450秒，显影时间为800秒，电铸厚度50 μ m的铜金 属牺牲层4，用丙酮去除光刻胶，先后采用氨水、双氧水混合溶液和高锰酸钾、氢氧化钠混合 溶液去除第一铬/铜金属种子层3。(3)第一聚酰亚胺层的制备在铜金属牺牲层4和露出的聚二甲基硅氧烷黏附层2上涂覆厚度为55 μ m的聚酰 亚胺酸，转速为700rpm，采用阶梯升温法(80°C -110°C -150°C -270°C )热固化处理制成 柔性衬底第一聚酰亚胺层5。用抛光机打磨第一聚酰亚胺层5至露出铜金属牺牲层4。(4)金属电极微针及电路层的制备在第一聚酰亚胺层5上溅射200nm的第二铬/铜金属种子层6，然后在其上涂覆 70 μ m厚的正胶AZ50XT，采用德国Karl Suss公司MA6光刻机曝光，曝光时间为500秒，显 影时间为900秒，电铸厚度68 μ m、线宽200 μ m的镍金属电极微针及电路层7，微针长度 500μπι，针尖比例1 2。用丙酮去除光刻胶，先后采用氨水、双氧水混合溶液和高锰酸钾、 氢氧化钠混合溶液去除第二铬/铜金属种子层6，露出第一聚酰亚胺层5和铜金属牺牲层 4。(5)第二聚酰亚胺层的制备在镍金属电极微针及电路层7、露出的第一聚酰亚胺层5和铜金属牺牲层4上涂 覆厚度为20 μ m的聚酰亚胺酸，转速为2000rpm，在135°C烘箱中前烘30分钟。涂覆15 μ m 厚的正胶AZ4903，采用德国Karl Suss公司MA6光刻机曝光，曝光时间为230秒，显影时间 为480秒(因样品底部不平，需增加曝光时间，采用显影液刻蚀聚酰亚胺酸，需增加显影时 间)。用丙酮去除光刻胶，采用阶梯升温法(80°C -IlO0C -150°C -270°C )热固化处理制 成第二聚酰亚胺层8。(6)金属牺牲层的去除用氨水、双氧水混合溶液去除铜金属牺牲层4，高锰酸钾、氢氧化钠混合溶液去除 铜金属牺牲层4下方的第一铬/铜金属种子层3中的铬，实现第一聚酰亚胺层的图形化以 及电极微针悬臂梁结构的释放。(7)惰性金属保护层的制备及器件剥离使用脉冲电流电镀厚度1. 5μπι的金保护层9，将片子置于无水乙醇中使聚二甲基 硅氧烷黏附层2溶胀，表面失去活性，然后将器件从基片上剥离，制得基于柔性衬底MEMS技 术的脑电图干电极。(8)器件的多层组装将4片释放后的器件叠加，组装于组合式夹具10内，用直径2. 5mm的尼龙螺丝11 固定，制得基于柔性衬底MEMS技术的脑电图干电极阵列。
权利要求
一种基于柔性衬底MEMS技术的脑电图干电极阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤第一步、在经过处理的基片表面涂覆黏附层，再在黏附层上溅射第一金属种子层；第二步、在第一金属种子层上涂覆正胶，再依次以光刻法和电铸法制得金属牺牲层后，依次去除光刻胶和第一金属种子层至露出黏附层；第三步、在金属牺牲层和露出的黏附层上涂覆聚酰亚胺酸，经热固化处理制成衬底第一聚酰亚胺层，再通过抛光机打磨第一聚酰亚胺层至露出金属牺牲层；第四步、在第一聚酰亚胺层上溅射第二金属种子层，然后在第二金属种子层上涂覆正胶，通过光刻法和电铸法制备得到金属电极微针及电路层后，依次去除光刻胶和第二金属种子层至露出第一聚酰亚胺层和金属牺牲层；第五步、在金属电极微针及电路层、露出的第一聚酰亚胺层和金属牺牲层上涂覆聚酰亚胺酸，经前烘处理后，涂覆正胶，通过光刻法与显影液刻蚀聚酰亚胺酸对其进行图形化，去除全部光刻胶，热固化处理制成第二聚酰亚胺层；第六步、去除金属牺牲层，以及金属牺牲层下的第一金属种子层，实现第一聚酰亚胺层的图形化以及电极微针悬臂梁结构的释放；第七步、通过电镀法将电极微针表面镀上惰性金属保护层，然后将片子置于无水乙醇中使聚二甲基硅氧烷黏附层溶胀，表面失去活性，将器件从基片上剥离，制得基于柔性衬底MEMS技术的脑电图干电极；第八步、将释放后的脑电图干电极经过多层组装至夹具后两端采用螺丝固定，制得基于柔性衬底MEMS技术的脑电图干电极阵列。
2.根据权利要求1所述的基于柔性衬底MEMS技术的脑电波干电极阵列的制备方法，其 特征是，所述的基片是指玻璃或者硅基片。
3.根据权利要求1所述的基于柔性衬底MEMS技术的脑电图干电极阵列的制备方法，其 特征是，所述的黏附层是指厚度为50-200 μ m的聚二甲基硅氧烷。
4.根据权利要求1所述的基于柔性衬底MEMS技术的脑电波干电极阵列的制备方法，其 特征是，所述的第一金属种子层是指厚度为50-200nm的铬/铜金属。
5.根据权利要求1所述的基于柔性衬底MEMS技术的脑电图干电极阵列的制备方法，其 特征是，所述的金属牺牲层的厚度为20-50 μ m。
6.根据权利要求1所述的基于柔性衬底MEMS技术的脑电图干电极阵列的制备方法，其 特征是，所述的第一聚酰亚胺层比金属牺牲层高1-5 μ m。
7.根据权利要求1所述的基于柔性衬底MEMS技术的脑电波干电极阵列的制备方法，其 特征是，所述的第二金属种子层是指厚度为50-200nm的铬/铜金属。
8.根据权利要求1所述的基于柔性衬底MEMS技术的脑电图干电极阵列的制备方法，其 特征是，所述的金属电极微针及电路层的厚度为28-70μπι，线宽为50-200 μ m，微针长度为 200-500 μ m，针尖比例为1 1至1 2。
9.根据权利要求1所述的基于柔性衬底MEMS技术的脑电图干电极阵列的制备方法，其 特征是，所述的第二聚酰亚胺层的厚度为5-20 μ m，该第二聚酰亚胺层的形状与第一聚酰亚 胺层相同。
10.根据权利要求1所述的基于柔性衬底MEMS技术的脑电图干电极阵列的制备方法，其特征是，所述的热固化处理是指采用80°C、110°C、15(TC、27(rC的阶梯升温法进行加热 固化。
11.根据权利要求1所述的基于柔性衬底MEMS技术的脑电图干电极阵列的制备方法， 其特征是，所述的惰性金属保护层厚度为0. 5-1. 5 μ m。
12.根据权利要求1所述的基于柔性衬底MEMS技术的脑电图干电极阵列的制备方法， 其特征是，所述的多层是指4-10层。
13.根据权利要求1所述的基于柔性衬底MEMS技术的脑电图干电极阵列的制备方法， 其特征是，所述的夹具为组合式结构或整体式结构，该夹具与电极的贴合面形状与第一聚 酰亚胺层相同。
14.根据权利要求1所述的基于柔性衬底MEMS技术的脑电图干电极阵列的制备方法， 其特征是，所述的螺丝是指直径为1. 5-2. 5mm的尼龙螺丝。
15.一种根据上述任一权利要求所述方法制备得到的基于柔性衬底MEMS技术的脑电 图干电极阵列，其特征在于，包括固定夹具以及固定于内的若干层脑电图干电极，该脑电 图干电极包括金属电极微针及电路层以及位于其两侧的第二金属种子层和第二聚酰亚胺 层，金属电极微针表面包覆惰性金属层，第一聚酰亚胺层是脑电图干电极的柔性衬底。
全文摘要
一种微机电技术领域的一种基于柔性衬底MEMS技术的脑电图干电极阵列及其制备方法，其电极阵列包括固定夹具以及固定于内的若干层脑电图干电极，该脑电图干电极包括金属电极微针及电路层以及位于其两侧的第二金属种子层和第二聚酰亚胺层，金属电极微针表面包覆惰性金属层，第一聚酰亚胺层是脑电图干电极的柔性衬底。本发明工艺简单，成品率高；电极的位置可根据应用要求改变其排列；采用金属作为电极主体，机械强度高、阻抗小，柔性衬底图形化质量高，生物相容性好；采用电极的多层组装并使用夹具固定，制成电极的立体阵列，容易固定且屏蔽佳。
文档编号B81C1/00GK101973508SQ20101028460
公开日2011年2月16日 申请日期2010年9月17日 优先权日2010年9月17日
发明者吴澄, 胡锐军, 陈景东, 陈翔, 陈迪 申请人:上海交通大学