Mems器件和制造mems器件的方法
【专利摘要】MEMS器件和制造MEMS器件的方法。公开了一种用于制造MEMS器件的方法。此外，公开了MEMS器件和包括该MEMS器件的模块。实施例包括一种用于制造MEMS器件的方法，包括在基板的第一主表面上形成MEMS堆叠、在基板的第二主表面上形成聚合物层并在聚合物层和基板中形成第一开口，使得第一开口邻接MEMS堆叠。
【专利说明】MEMS器件和制造MEMS器件的方法
【技术领域】
[0001]本发明总体上涉及用于制造微机电系统(MEMS)器件的系统和方法。
【背景技术】
[0002]在过去几年中，对较小电子外形因数和功率消耗以及增加的性能的期望已经推动了 MEMS器件的集成。特别地，MEMS扩音器可能变得越来越小，因为诸如蜂窝电话、膝上型电脑以及平板电脑的电子器件变得越来越小。
[0003]MEMS扩音器的性能方面的特征是MEMS器件本身的尺寸和在制造过程期间产生的MEMS扩音器中的应力。
【发明内容】
[0004]根据本发明的实施例,一种用于制造MEMS器件的方法包括在基板的第一主表面上形成MEMS堆叠、在基板的第二主表面上形成聚合物层并在聚合物层和基板中形成第一开口，使得第一开口邻接MEMS堆叠。
[0005]根据本发明的另一实施例，MEMS器件包括聚合物层、设置在聚合物层上的基板和设置在基板上的MEMS堆叠。MEMS器件还包括设置在聚合物层中的第一开口和设置在基板中的第二开口，使得第二开口邻接MEMS堆叠和第一开口。
[0006]根据本发明的另一实施例，一种模块包括MEMS器件载体、MEMS器件和将MEMS器件载体与MEMS器件相连的粘合剂。该MEMS器件包括光致抗蚀剂层、设置在该光致抗蚀剂层上的基板，该基板具有正面和背面、设置在基板的正面上的MEMS堆叠和从基板的背面连接MEMS堆叠的开口。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]为了更透彻地理解本发明及其优点，现在对结合附图进行的以下描述进行参考，在所述附图中:
图1a — Ii示出了用以制造MEMS器件的方法的实施例；
图2a— 2j示出了用以制造MEMS器件的方法的另一实施例；
图3a — 3h示出了用以制造MEMS器件的方法的另一实施例；
图4a — 4c示出了 MEMS器件的实施例；
图5a — 5c示出了 MEMS器件的另一实施例；以及 图6a — 6d示出了 MEMS器件的另一实施例。
【具体实施方式】
[0008]下面详细讨论目前优选实施例的形成和使用。然而，应当认识到，本发明提供了许多能够在多种特定背景下具体实施的可应用的发明构思。所讨论的特定实施例仅仅说明形成和使用本发明的特定方式，并且不限制本发明的范围。[0009]将相对于特定背景下、即硅扩音器制造过程的实施例来描述本发明。然而，本发明的实施例还可以应用于其他扩音器制造过程或其他MEMS制造过程。
[0010]硅扩音器晶片通常在正面被处理以形成膜片和背板，并且从背面被处理以形成背腔。背腔的形成要求在时间上缓慢、不精确且昂贵的干法蚀刻步骤。常规晶片包括400 Mffl至675 Mm的厚度。
[0011 ] 在一个实施例中，MEMS制造过程包括薄MEMS晶片或基板。在一个实施例中，聚合物层被设置在薄MEMS晶片或基板上。在一个实施例中，负或正光致抗蚀剂被设置在薄MEMS晶片或基板上。负或正光致抗蚀剂被结构化且在负或正光致抗蚀剂中和在薄MEMS晶片的基板中形成开口。在一个实施例中，MEMS器件包括聚合物层、负光致抗蚀剂或正光致抗蚀剂层。
[0012]优点是薄MEMS器件或MEMS晶片被聚合物、负光致抗蚀剂层或正光致抗蚀剂层稳定。另一优点是当被放置在器件载体上时，减小了薄MEMS器件中的机械应力。
[0013]图1a — Ii示出用以制造MEMS器件的方法的实施例。图1a示出了包括具有设置在其上面的MEMS堆叠120的基板110的MEMS晶片100。基板110包括第一主表面或正面111和第二主表面或背面112。MEMS堆叠120包括作为层堆叠的顶层的膜片121、背板123和膜片121与背板123之间的牺牲层122。替换地，MEMS堆叠120包括作为层堆叠的顶层的背板123和接近于基板110的膜片121。MEMS器件105可以是MEMS扩音器或硅扩音器。
[0014]在一个实施例中，MEMS器件105可以包括换能器。该换能器可以是诸如压力传感器、加速度计或RF MEMS的传感器。MEMS器件105可以是独立器件，或者替换地可以包括附加器件。例如，MEMS器件105可以包括集成电路(IC)或前置放大器和输入/输出端子。
[0015]基板110可以包括诸如硅或锗的半导电材料、诸如SiGe、GaAs、InP、GaN或SiC的化合物半导体。替换地，基板110可以包括诸如玻璃或陶瓷的有机材料。MEMS晶片100可以包括400 Mm至700 Mm的标准厚度。图1a可以示出正面处理已经结束之后的MEMS晶片100。
[0016]MEMS晶片100被放置或安装在支撑载体130上。MEMS晶片100可以被放置成其顶表面111在支撑载体130上。支撑载体130可以保护MEMS堆叠120。支撑载体130可以包括支撑基板134和粘附层132。粘附层132移动至MEMS堆叠120之间的间隙中并填充所述间隙。支撑载体134可以是玻璃或UV带且粘附层132可以是蜡或其他粘附材料。如图1b中所示，MEMS晶片100的基板110然后被薄化至约100 Mm至约200 Mm的厚度或约50Mm至约200 Mm的厚度。将基板110薄化可以是可选步骤。可以用研磨器件或研磨膜来执行将基板110薄化。
[0017]在下一步骤中，将MEMS晶片100翻转并将聚合物膜140设置在基板110的第二主表面112上。聚合物膜140可以是光可结构化聚合物膜。在一个实施例中，聚合物膜140可以是基于环氧树脂的负光致抗蚀剂。例如，聚合物膜140可以是SU-8抗蚀剂。SU-8抗蚀剂包括被化学放大的基于环氧树脂的负抗蚀剂，其对于近UV (365nm)辐射而言是光学透明的且是光可成像的。固化SU-8抗蚀剂膜或微结构对溶剂、酸和碱非常有抵抗力，并且具有优良的热和机械稳定性。替换地，聚合物膜140可以是正光致抗蚀剂。聚合物膜140可以被沉积或旋涂在基板110的背面112上。聚合物膜140可以包括约100 Mm至约200 Mm的厚度或约50 Mm至约300 Mm的厚度。[0018]聚合物膜140被结构化并形成开口 152、154。开口 152是用于以分开的单独块来切割基板110的图案，并且开口 154是用于MEMS堆叠105开口的图案。MEMS堆叠开口可以是背腔，或者替换地是MEMS器件105的声音端口。这在图1c中示出。
[0019]在图1d中所示的下一步骤中，聚合物膜140被掩蔽层160掩蔽。掩蔽层160可以光致抗蚀剂。该光致抗蚀剂可以是与聚合物膜140不同的光致抗蚀剂。掩蔽层160覆盖聚合物膜140的顶表面并填充开口 152。掩蔽层160并不填充开口 154。基板110然后被蚀亥IJ。可以应用定向或各向异性蚀刻来蚀刻基板110。可以用干法蚀刻或湿法蚀刻来蚀刻基板110。例如，可以用深RIE来蚀刻基板110。在基板110中形成开口 118。这在图1e中示出。
[0020]然后从聚合物膜140去除掩蔽层160。例如，用剥离溶剂来溶解掩蔽层160。替换地，用其他材料来去除掩蔽层160。此外，从基板110去除支撑载体130 (例如，基板134和粘附层132)。通过从基板110拉动或拆卸支撑载体130来去除支撑载体130。结果得到的结构在图1f中示出。
[0021]在图1g中所示的下一步骤中，去除牺牲层122并释放膜片121。用湿法蚀刻工艺来释放膜片121。例如，在牺牲层122是氧化物牺牲层的情况下，通过用基于HF的蚀刻的蒸汽或汽相蚀刻来释放膜片121。牺牲层122被去除，使得隔离物125仍在膜片121与背板123之间。隔离物123为膜片121和背板123提供支撑。
[0022]然后再次将晶片100翻转并置于或放置在切块支撑体170上，使得基板110的第二主表面112面对切块支撑体170。切块支撑体可以是切块箔。然后通过在基板110中形成切割线的切块狭槽152用切割器件180来切割基板110。在一个实施例中，切割器件180是激光器。该激光器可以在切穿基板时熔化基板110。激光器180可以弱化基板110的结构(但不将其分离)或者可以切割基板110并将其分离。替换地，切割器件180是晶片锯。晶片锯以几个块将晶片切割并分离。这在图1h中示出。
[0023]最后，如图1i中所示，可以使切块箔170在水平方向190上伸展，使得各个MEMS器件120能够被拾取。在一个实施例中，切块箔170的伸展190可以将各个MEMS器件120相互折断并分离。替换地，切块箔170的伸展190可以增加MEMS器件120之间的间距。
[0024]图2a — 2j示出用以制造MEMS器件的方法的另一实施例。图2a示出了包括具有设置在其上面的MEMS堆叠220的基板210的MEMS晶片200。基板210包括第一主表面或正面211和第二主表面或背面212。MEMS堆叠220包括作为MEMS器件层堆叠的顶层的膜片221、背板223和在膜片221与背板223之间的牺牲层222。替换地，MEMS堆叠220包括作为层堆叠的顶层的背板223和接近于基板210的膜片221。MEMS堆叠220和MEMS晶片的一部分形成MEMS器件205。MEMS器件205可以包括MEMS扩音器或硅扩音器。
[0025]在一个实施例中，MEMS器件205可以包括换能器。该换能器可以是诸如压力传感器、加速度计或RF MEMS的传感器。MEMS器件205可以是独立器件，或者替换地可以包括附加器件。例如，MEMS器件205可以包括集成电路(IC)或前置放大器和输入/输出端子。
[0026]基板210可以包括诸如硅或锗的半导电材料、诸如SiGe、GaAs、InP, GaN或SiC的化合物半导体。替换地，基板210可以包括诸如玻璃或陶瓷的有机材料。MEMS晶片200可以包括400 Mm至700 Mm的标准厚度。图2a可以示出正面处理已经结束之后的MEMS晶片200。[0027]MEMS晶片200被放置或安装在支撑载体230上。MEMS晶片200可以被放置成其顶表面211在支撑载体230上。支撑载体230可以保护MEMS堆叠220。支撑载体230可以包括支撑基板234和粘附层232。粘附层232移动至MEMS堆叠220之间的间隙中并填充所述间隙。支撑基板234可以是玻璃或UV带且粘附层232可以是蜡或其他粘附材料。如图2b中所示，MEMS晶片100的基板210然后被薄化至约100 Mm至约200 Mm的厚度或约50Mm至约200 Mm的厚度。将基板210薄化可以是可选步骤。可以用研磨器件或研磨膜来执行将基板210薄化。
[0028]在图2c中所示的下一步骤中，MEMS晶片200被翻转，并且蚀刻停止层240被设置在基板210的第二主表面212上。蚀刻停止层240可以是硬掩膜。蚀刻停止层240被图案化或选择性地沉积，使得蚀刻停止层240在膜片221或背板223的至少中心部分中不被设置在基板210上。蚀刻停止层240可以被设置在基板210的没有面对面的或者与膜片221或背板223相对的区域上。在一个实施例中，通过在等离子体增强CVD工艺中沉积诸如氧化硅的氧化物来形成硬掩膜。
[0029]在图2d的步骤中，聚合物层250被设置在MEMS晶片200的第二主表面212上。聚合物膜250可以是光可结构化聚合物膜。在一个实施例中，聚合物膜250可以是基于环氧树脂的负光致抗蚀剂。例如，聚合物膜250可以是SU-8抗蚀剂。SU-8抗蚀剂包括被化学放大的基于环氧树脂的负抗蚀剂，其对于近UV (365nm)辐射而言是光学透明的且是光可成像的。固化SU-8抗蚀剂膜或微结构对溶剂、酸和碱非常有抵抗力，并且具有优良的热和机械稳定性。替换地，聚合物膜250可以是基于环氧树脂的正光致抗蚀剂。聚合物膜250可以被沉积或旋涂在基板210的背面212上。聚合物膜250可以包括约100 Mm至约200 Mm的厚度或约50 Mm至约300 Mm的厚度。
[0030]聚合物膜250被结构化并形成开口 252、254。开口 252是用于以分开的单独块来切割基板210的图案，并且开口 254是用于MEMS堆叠220开口的图案。例如，MEMS堆叠开口可以是背腔，或者替换地是MEMS器件205的声音端口。这在图2e中示出。
[0031]在图2f中所示的下一步骤中，对基板210进行蚀刻。可以应用定向或各向异性蚀刻来蚀刻基板210。可以用干法蚀刻或湿法蚀刻来蚀刻基板210。例如，可以用深RIE来蚀刻基板210。在基板210中形成开口 218。蚀刻停止层240防止基板210在开口 252下面被蚀刻。开口 218是诸如背腔的MEMS堆叠开口。
[0032]支撑载体230 (例如，基板234和粘附层232)被从基板210去除。例如，通过从基板210拉动或拆卸支撑载体230来去除支撑载体230。结果得到的结构在图2g中示出。
[0033]在图2h中所示的下一步骤中，去除牺牲层222并释放膜片221。用湿法蚀刻工艺来释放膜片221。例如，在牺牲层222是氧化物牺牲层的情况下，通过用基于HF的蚀刻的蒸汽或汽相蚀刻来释放膜片221。牺牲层222被去除，使得隔离物225仍在膜片221与背板223之间。隔离物223为膜片221和背板223提供支撑。
[0034]然后再次将晶片200翻转并置于或放置在切块支撑体260上，使得第二主表面212面对切块支撑体260。切块支撑体260可以是切块箔。然后通过在基板210中形成切割线的切块狭槽252用切割器件270来切割基板210。在一个实施例中，切割器件270是激光器。激光270在其切穿基板210的地方可以熔化基板210。激光器270可以弱化基板210(但不将其分离)或者可以切割基板210并将其分离。替换地，切割器件270是晶片锯。晶片锯270以几个块将晶片210切割并分离。这在图2i中示出。
[0035]最后，如图2j中所示，可以使切块支撑体260在水平方向280上伸展，使得各个MEMS器件205能够被拾取。在一个实施例中，切块支撑体260的伸展280可以将各个MEMS器件205相互折断并分离。此外，切块支撑体260的伸展280可以增加MEMS器件205之间的间距。
[0036]图3a — 3h示出用以制造MEMS器件的方法的实施例。图3a示出了包括具有设置在其上面的MEMS器件305的基板310的MEMS晶片300。基板310包括第一主表面或正面311和第二主表面或背面312。MEMS层堆叠320包括作为MEMS层堆叠320的顶层的膜片321、背板323和在膜片321与背板323之间的牺牲层322。替换地，MEMS层堆叠320包括作为层堆叠的顶层的背板323和接近于基板310的膜片321。MEMS器件305可以是MEMS扩音器或娃扩音器。
[0037]牺牲层322可以覆盖整个基板310或在膜片321/背板323外面的相当大的部分。牺牲层322可以为约0.5 Mm至约2 Mm厚。替换地，牺牲层322可以为约0.5 Mm至约I Mm厚。
[0038]在一个实施例中，MEMS器件305可以包括换能器。该换能器可以是诸如压力传感器、加速度计或RF MEMS的传感器。MEMS器件305可以是独立器件，或者替换地可以包括附加器件。例如，MEMS器件305可以包括集成电路(IC)或前置放大器和输入/输出端子。
[0039]基板310可以包括诸如硅或锗的半导电材料、诸如SiGe、GaAs、InP, GaN或SiC的化合物半导体。替换地，基板310可以包括诸如玻璃或陶瓷的有机材料。MEMS晶片300可以包括400 Mm至500 Mm的标准厚度。图3a可以示出正面处理已经结束之后的MEMS晶片300。
[0040]MEMS晶片300被放置或安装在支撑载体330上。MEMS晶片300可以被放置成其顶表面311在支撑载体330上。支撑载体330可以保护MEMS层堆叠320。支撑载体330可以包括支撑基板334和粘附层332。粘附层332移动到膜片323之间的间隙中并填充所述间隙，如果存在间隙的话。支撑载体334可以是玻璃或UV带，并且粘附层332可以是蜡或其他粘附材料。如图3b中所示，MEMS晶片300的基板310然后被薄化至约100 Mm至约200Mm的厚度或约50 Mm至约200 Mm的厚度。将基板310薄化可以是可选步骤。可以从背面312用研磨器件或研磨膜来执行将基板310薄化。
[0041]在下一步骤中，将MEMS晶片300翻转并将聚合物膜340设置在基板310的第二主表面312上。聚合物膜340可以是光可结构化聚合物膜。在一个实施例中，聚合物膜340可以是基于环氧树脂的负光致抗蚀剂。例如，聚合物膜340可以是SU-8抗蚀剂。SU-8抗蚀剂包括被化学放大的基于环氧树脂的负抗蚀剂，其对于近UV (365nm)辐射而言是光学透明的且是光可成像的。固化SU-8抗蚀剂膜或微结构对溶剂、酸和碱非常有抵抗力，并且具有优良的热和机械稳定性。替换地，聚合物膜340可以是基于环氧树脂的正光致抗蚀剂。聚合物膜340可以被沉积或旋涂在基板310的背面312上。聚合物膜340可以包括约100 Mm至约200 Mm的厚度或约50 Mm至约300 Mm的厚度。这在图3c中示出。
[0042]如图3d中所示，聚合物膜340然后被结构化，并且形成开口 342、344。开口 342是用于在基板310中切割线的图案且开口 344是用于打开MEMS堆叠320开口的图案。MEMS堆叠开口可以是背腔，或者是MEMS器件305的声音端口。[0043]然后蚀刻基板310。可以应用定向或各向异性蚀刻来蚀刻基板310。可以用干法蚀刻或湿法蚀刻来蚀刻基板310。例如，可以用深RIE来蚀刻基板310。在基板310中形成开口 316和318。这在图3e中示出。
[0044]在图3f中所示的步骤中，然后再次将MEMS晶片300翻转并且置于或放置在切块箔350上，使得第二主表面312面对切块箔350。切块箔350可以是任何类型的支撑结构。例如，切块箔350可以是具有UV带的玻璃晶片。
[0045]支撑载体330(例如，基板334和粘附层332)被从基板310去除。通过从基板310拉动或拆卸支撑载体330来去除支撑载体330。结果得到的结构在图3g中示出。
[0046]在图3h中所示的下一步骤中，去除牺牲层322并释放膜片321。牺牲层322被去除，使得隔离物325仍在膜片321与背板323之间。隔离物325为膜片321和背板325提供支撑。在一个实施例中，通过蒸汽或汽相蚀刻来去除牺牲层。例如，将HF用于氧化硅蚀刻。
[0047]在一个实施例中，去除整个牺牲层322。膜片321在MEMS器件305被分离的同时被释放。各个MEMS器件305现在准备好用于拾取。
[0048]图4a — 4c示出了 MEMS器件400的实施例。图4a示出了 MEMS器件400的截面图，图4b示出了 MEMS器件400的顶视图，并且图4c示出了 MEMS器件400的底视图。MEMS器件400可以包括相对于前述实施例制造和描述的MEMS器件。
[0049]MEMS器件400示出了设置在硬掩膜层440上的基板410。硬掩膜层440被设置在聚合物层450上。MEMS堆叠420被设置在基板410上。MEMS堆叠420可以包括顶部背板421、隔离物425和底部膜片423。背板421包括穿孔428。掩膜层440、聚合物层450和基板410中的开口 460可以是声音端口。
[0050]在替换实施例中，MEMS堆叠420包括顶部膜片421、隔离物425和底部背板423。底部背板423包括通风孔。掩膜层440、聚合物层450和基板410中的开口 460可以是背面音量。
[0051]开口 460可以在基板410、掩膜层440和聚合物层450中包括相同的直径。开口460可以是圆或椭圆。替换地，开口 460可以包括诸如正方形或矩形的其他适当几何形状。
[0052]图5a — 5c示出了 MEMS器件500的实施例。图5a示出了 MEMS器件500的截面图，图5b示出了 MEMS器件500的顶视图，并且图5c示出了 MEMS器件500的底视图。MEMS器件500可以包括相对于前述实施例制造或描述的MEMS器件。
[0053]MEMS器件500示出了设置在硬掩膜层540上的基板510。硬掩膜层540被设置在聚合物层550上。MEMS堆叠520被设置在基板510上。MEMS堆叠520包括顶部背板521、隔离物525和底部膜片523。背板521包括穿孔528。聚合物层550中的开口 560大于基板510中的开口。开口 560/565可以是声音端口或背腔。
[0054]在替换实施例中，MEMS堆叠520包括顶部膜片521、隔离物525和底部背板523。底部背板523包括穿孔。掩膜层540、聚合物层550和基板510中的开口 560可以是背面音量。开口 560可以在基板510中包括与在聚合物层550中不同的直径。开口 560/565可以是圆或椭圆。替换地，开口 560/565可以包括诸如正方形或矩形的其他适当几何形状。
[0055]图6a — 6c示出了本发明的MEMS器件600实施例。图6a示出了 MEMS器件600的截面图，图6b示出了 MEMS器件600的顶视图，并且图6c示出了 MEMS器件600的底视图。MEMS器件600可以包括相对于前述实施例描述的MEMS器件。
[0056]MEMS器件600示出了设置在硬掩膜层640上的基板610。硬掩膜层640被设置在聚合物层650上。聚合物层650可以包括开口或沟槽653。MEMS堆叠620被设置在基板610上。MEMS堆叠620包括顶部背板621、隔离物625和底部膜片623。背板621包括穿孔628。掩膜层640、聚合物层650和基板610中的开口 660可以是声音端口。
[0057]在替换实施例中，MEMS堆叠620包括顶部膜片621、隔离物625和底部背板623。底部背板623包括穿孔。掩膜层640、聚合物层650和基板610中的开口 660可以是背面音量。开口 660可以在基板610、掩膜层640和聚合物层650中包括相同的直径。开口 660可以是圆或椭圆。替换地，开口 660可以包括诸如正方形或矩形的其他适当几何形状。聚合物层650可以包括圆环或椭圆形环653、655。替换地，聚合物层650可以包括诸如正方形环或矩形环的其他适当几何环653、655。
[0058]图5a — 5c的实施例能够与图6a — 6c的实施例组合。
[0059]图6d示出了 MEMS系统、MEMS模块或组装的MEMS系统690。MEMS模块690包括被附着于MEMS器件载体680的MEMS器件600。MEMS器件载体680可以是基板、层压件、陶瓷或印刷电路板(PCB)。MEMS器件600被诸如胶、粘附箔或其组合的粘合剂670附着于MEMS器件载体680。MEMS模块690的优点是应力被高度解耦。
[0060]虽然已经详细地描述了本发明及其优点，但应理解的是在不脱离由所附权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，可以在本文中进行各种修改、替换以及变更。
[0061]此外，本发明的范围并不意图局限于在本说明书中描述的工艺、机器、制品、物质组成、手段、方法和步骤的特定实施例。如本领域的技术人员根据本发明的公开将容易认识到的，根据本发明可以利用目前存在或稍后将开发的工艺、机器、制品、物质组成、手段、方法或步骤，其可以执行与本文所述的相应实施例基本上相同的功能或实现与其基本上相同的结果。因此，所附权利要求意图在其范围内包括此类工艺、机器、制品、物质组成、手段、方法或步骤。
【权利要求】
1.一种用于制造MEMS器件的方法，该方法包括: 在基板的第一主表面上形成MEMS堆叠； 在基板的第二主表面上形成聚合物层；以及 在聚合物层和基板上形成第一开口，使得第一开口邻接MEMS堆叠。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括切割基板，从而形成MEMS器件。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括: 在聚合物层中形成第一开口和第二开口； 用蚀刻停止层来填充第二开口 ；以及 在基板中形成第一开口。
4.根据权利要求1所述的方法，还包括: 在基板的第二主表面上形成蚀刻停止层，该蚀刻停止层并未覆盖与MEMS堆叠相对的部分；以及 在基板中蚀刻第一开口。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述MEMS堆叠包括牺牲层，并且其中，所述牺牲层被设置在整个基板上。
6.根据权利要求 1所述的方法，还包括在形成第一开口的同时在聚合物层和基板中形成第二开口。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述聚合物层是负光致抗蚀剂。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述聚合物层是正光致抗蚀剂。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述MEMS堆叠包括背板和膜片。
10.根据权利要求1所述的方法，还包括将基板薄化。
11.一种MEMS器件，包括: 聚合物层； 基板，其设置在聚合物层上； MEMS堆叠，其设置在基板上； 第一开口，其设置在聚合物层中；以及 第二开口，其设置在基板中，使得第二开口邻接MEMS堆叠和第一开口。
12.根据权利要求11所述的MEMS器件，其中，所述第二开口大于所述第一开口。
13.根据权利要求11所述的MEMS器件，其中，所述聚合物层还包括环，并且其中，所述第一开口被设置在该环内部。
14.根据权利要求11所述的MEMS器件，其中，所述MEMS器件还包括设置在基板与聚合物层之间的硬掩膜层。
15.根据权利要求11所述MEMS器件，其中，所述MEMS堆叠包括背板和膜片。
16.根据权利要求15所述的MEMS器件，其中，所述膜片比背板更接近于基板。
17.根据权利要求15所述的MEMS器件，其中，所述背板比膜片更接近于基板。
18.根据权利要求11所述MEMS器件，其中，所述基板包括前置放大器和输入/输出垫。
19.一种模块,包括: MEMS器件载体； MEMS器件，该MEMS器件包括:光致抗蚀剂层； 设置在光致抗蚀剂层上的基板，该基板具有正面和背面； MEMS堆叠，其设置在基板的正面上； 开口，其从基板的背面连接MEMS堆叠；以及 粘合剂，其将MEMS器件载体和MEMS器件相连。
20.根据权利要求19所述的模块，其中，所述基板包括100Mm至200 Mm的厚度。
21.根据权利要求20所述的模块，其中，所述光致抗蚀剂层包括100Mm至200 的厚度。
22.根据权利要求19所述的模块，还包括光致抗蚀剂层中的环形开口，所述开口具有比环形开口更小的直 径。
【文档编号】B81B7/02GK103818872SQ201310471850
【公开日】2014年5月28日 申请日期:2013年10月11日 优先权日:2012年10月12日
【发明者】C.阿伦斯, A.德赫, B.克诺特, S.平德尔 申请人:英飞凌科技股份有限公司