本发明涉及微纳器件制备领域，具体涉及一种微结构的制备方法。
背景技术：
现有技术中制备微结构过程，脱模过程中很难使微结构简单完整的进行，并且对于聚二甲基硅氧烷还要进行表面改性提高表面质量变得困难。
技术实现要素：
基于解决上述问题，本发明提供了一种微结构的制备方法，所述方法包括：步骤1)选择衬底，所述衬底为玻璃、硅片、soi、蓝宝石；步骤2)在所述衬底上沉积一层富氢材料；步骤3)在所述富氢材料上沉积一层光刻胶层；步骤4)形成光刻胶图形化掩膜；步骤5)刻蚀所述富氢材料，形成图形；步骤6)在所述图形上形成聚二甲基硅氧烷；步骤7)对聚二甲基硅氧烷进行固化，形成器件结构；步骤8)对所述富氢材料进行加热，使富氢材料释放出气体，使所述由聚二甲基硅氧烷形成的器件结构从所述富氢材料上分离，形成器件的上层微结构；步骤9)对释放后器件的上层微结构进行粗糙化处理，形成具有一定粗糙度的表面的微结构；步骤10)对具有一定粗糙度的表面的微结构表面进行疏水化处理；步骤11)对安装衬底即将与微结构进行键合的键合面进行表面疏水化处理；步骤12)将所述具有一定粗糙度的表面的微结构与安装衬底进行键合，形成微器件。
本发明还提供了一种由本发明提出的微结构的制备方法制备出的微结构。
根据本发明的实施例，所述富氢材料为氢化碳化硅、氢化氧化硅或氢化氮化硅。
根据本发明的实施例，所述富氢材料的加热方法为微波加热或激光加热。
根据本发明的实施例，所述对释放后器件的上层微结构进行粗糙化处理的方法为等离子体粗化。
根据本发明的实施例，所述疏水化处理为在被处理表面形成一层疏水性能的表面改性层。
根据本发明的实施例，所述表面改性层为碳氟化合物，所述表面改性层的碳氟化合物通过可流动性化学气相沉积形成。
本发明的优点如下：
(1)能够通过对富氢材料的刻蚀容易形成微结构的倒模；
(2)制备的微结构能够容易从富氢材料上分离；
(3)对微结构表面的改性能提高器件的性能。
附图说明
图1为微结构的制备方法工艺流程图。
具体实施方式
第一实施例
参见图1，本发明的微结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：步骤1)选择衬底1，所述衬底1为玻璃、硅片、soi、蓝宝石；步骤2)在所述衬底1上沉积一层富氢材料2，所述富氢材料为氢化碳化硅、氢化氧化硅或氢化氮化硅，并且氢的化学计量比大于10％，小于30％；步骤3)在所述富氢材料上沉积一层光刻胶层(未示出)；步骤4)形成光刻胶图形化掩膜；步骤5)刻蚀所述富氢材料，形成图形3，所述刻蚀方法为干法刻蚀；步骤6)在所述图形3上形成聚二甲基硅氧烷4；步骤7)对聚二甲基硅氧烷进行固化，形成器件结构，所述固化为光固化，热固化或光热固化，并且为提高固化效果，在所述聚二甲基硅氧烷中添加交连剂；步骤8)对所述富氢材料进行加热，使富氢材料释放出气体，富氢材料的加热方法为微波加热或激光加热，使所述由聚二甲基硅氧烷形成的器件结构从所述富氢材料上分离，形成器件的上层微结构；步骤9)对释放后器件的上层微结构4进行粗糙化处理，对释放后器件的上层微结构进行粗糙化处理的方法为等离子体粗化，形成具有一定粗糙度的表面的微结构；步骤10)对具有一定粗糙度的表面的微结构表面改性，进行疏水化处理，疏水化处理为在被处理表面形成一层疏水性能的表面改性层；步骤11)对安装衬底即将与微结构进行键合的键合面进行表面疏水化处理，疏水化处理为在被处理表面形成一层疏水性能的表面改性层；步骤12)将所述具有一定粗糙度的表面的微结构4’与安装衬底5进行键合，形成微器件。其中，所述表面改性层为碳氟化合物，并通过可流动性化学气相沉积形成。
第二实施例
根据第一实施例的微结构的制备方法而制备出的微结构器件，用作微体芯片的部件。
最后应说明的是：显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。