防止微型装置侧壁上的电极中断的制作方法

1.本发明涉及在处理微型装置时蚀刻和处理侧壁的过程。


技术实现要素：

2.本发明涉及一种使微型装置的侧壁平坦化的方法，该方法包括：用聚合物涂覆微型装置；以及通过干蚀刻工艺去除聚合物并将聚合物留在侧壁凹部中，以使侧壁平坦化。
附图说明
3.通过阅读以下详细描述并参考附图，本公开的前述和其它优点将变得显而易见。
4.图1示出了装置100的示例，其中壁具有凹部。
5.图2a示出了涂覆装置的壁的聚合物。
6.图2b示出了通过干蚀刻回蚀的聚合物。
7.图2c示出了在干蚀刻之后壁上的导电层。
8.图3a示出了涂覆以覆盖装置的壁的聚合物材料，其中在聚合物的至少一部分与壁之间存在(多个)膜。
9.图3b示出了蚀刻工艺之后的聚合物。
10.图3c示出了在蚀刻之后在壁上形成导电层。
11.图4示出了壁在装置层中形成via的位置。
12.虽然本公开易于进行各种修改和替代形式，但具体实施例或实施方式已经通过举例的方式在附图中示出并且将在本文中详细描述。然而，应该理解，本公开不旨在限于所公开的特定形式。相反，本公开内容将涵盖落入由所附权利要求限定的本发明的精神和范围内的所有修改、等同形式和替代形式。
具体实施方式
13.在本说明书中，术语“装置”和“微型装置”可互换使用。然而，本领域技术人员清楚，这里描述的实施方案与装置尺寸无关。
14.在处理微型装置期间，侧壁(或via的内壁)可以具有一些凹部。这可作为蚀刻或处理侧壁的一部分发生。
15.如果导电层需要静置(覆盖)于壁上，则凹部可能引起中断，且因此导电层可能断开。
16.图1示出了装置100的示例，其中壁具有凹部102。导电层104和106由于此凹部102而断开。
17.取决于凹部的深度，可能难以用薄膜沉积工艺填充该凹部。
18.本发明将用聚合物填充装置壁凹部。聚合物层覆盖壁。聚合物层也可以被旋涂或印刷(或其它方法)。
19.在聚合物覆盖壁之后，壁上存在过量的材料。通过干蚀刻的过程去除此过量的材
料，以将聚合物留在凹部中。在干蚀刻之后，聚合物薄层可能仍留在壁上。此薄层降低了凹部边缘的锐度，且因此使得对将沉积(或形成)于壁上的后续膜的更好覆盖。膜可以是导电的、电介质的或其组合。
20.在另一种情况下，诸如电介质、导电材料等其它材料可用于填充凹部。
21.图2(包括图2a、2b及2c)突出显示填充凹部的方法。在图2a中，聚合物材料208经涂覆(或由其它方式形成)以覆盖装置200的壁。聚合物可在涂覆之后固化。固化(基于热或基于光)可以具有回流周期，其中聚合物可以在硬固化之前填充空间。回流周期是在光温下固化的一种形式，其中材料足够软以使得其可以移动到小空间。通过干蚀刻工艺回蚀聚合物(图2b)。干蚀刻工艺可以是反应离子蚀刻(rie)、离子铣削或电感耦合等离子体(icp)rie。此过程是相当定向的，且因此，材料将保持在凹部区域202内部。在蚀刻工艺之后，导电层204可形成在壁上，如图2c所示。
22.图3(包括图3a、3b及3c)突出显示在凹部平坦化之前另一膜310(或膜的组合)形成在壁上的情况。
23.在图3a中，聚合物材料308经涂覆(或由其它方式形成)以覆盖装置300的壁，其中在聚合物308的至少一部分与壁之间存在膜310(或组合膜)。聚合物(或其它材料)可在涂覆之后固化。固化可以具有回流周期，其中聚合物可以在硬固化之前填充空间。
24.在图3b中，通过干蚀刻工艺对覆盖其中存在膜310的装置300的壁的聚合物进行回蚀。干蚀刻工艺可以是rie、离子铣削或icp。此过程是相当定向的，且因此，材料将保持在凹部区域302内部。
25.在蚀刻工艺之后，导电层304可形成在壁上，如图3c所示。膜310可以是电介质的或导电的或其组合。在一种情况下，膜310中的至少一个膜可以是蚀刻聚合物的掩模。此层将在聚合物308的回蚀期间保护装置300。膜310可以覆盖装置的壁或表面。也可以去除膜310。
26.图4示出了壁在装置400层中形成via的示例。在此，根据上文所描述的方法用聚合物(或其它膜)填充凹部402。在填充凹部402之前，可以存在膜410(或膜的组合)。在填充凹部402之后，沉积另一膜404。在此，膜404可以是导电的，以将信号从通孔的顶部带到底部。via可以位于底部并且耦合到另一膜。
27.方法方面
28.本发明公开了一种使微型装置的侧壁平坦化的方法。该方法包括：用聚合物涂覆微型装置；以及通过干蚀刻工艺去除聚合物，从而使聚合物留在侧壁凹部中以使侧壁平坦化。在此，聚合物被固化。而且，导电层可以覆盖平坦化的侧壁的一部分，并且导电层与平坦化的侧壁之间可以存在另一电介质，其中该电介质在平坦化之前或之后放置。此外，固化可以是基于热或基于光的，并且固化可以具有回流周期。在一种情况下，干蚀刻工艺可以是rie、离子铣削或icp。另外，可以在聚合物的一部分与侧壁之间存在膜。在一个实例中，组合膜可以存在于聚合物的一部分与侧壁之间，其中附加膜充当干蚀刻工艺的掩模。在此，组合膜可以充当干蚀刻工艺的掩模，并且膜包括电介质和导电层。此外，附加膜可以是导电层或电介质。在另一方面，侧壁是via的壁，其中导电层将信号从via的顶部带到底部。
29.本发明的一个或多个实施方式的前述描述是出于说明和描述的目的而呈现的。并不意在穷举或将本发明限制为所公开的精确形式。根据上述教示，许多修改和变化是可能的。本发明的范围旨在不受此详细描述的限制，而是由所附的权利要求限制。


技术特征：
1.一种使微型装置的侧壁平坦化的方法，所述方法包括：用聚合物涂覆微型装置；以及通过干蚀刻工艺去除所述聚合物并将所述聚合物留在侧壁凹部中，以使所述侧壁平坦化。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述聚合物被固化。3.根据权利要求1所述的方法，其中导电层覆盖平坦化的侧壁的一部分。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电层与所述平坦化的侧壁之间存在另一电介质。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述电介质在所述平坦化之前或之后放置。6.根据权利要求2所述的方法，其中所述固化是基于热或基于光的。7.根据权利要求2所述的方法，其中所述固化具有回流周期。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述干蚀刻工艺可以是rie、离子铣削或icp。9.根据权利要求1所述的方法，其中在所述聚合物的一部分与所述侧壁之间存在附加膜。10.根据权利要求1所述的方法，其中在所述聚合物的所述部分与所述侧壁之间存在组合膜。11.根据权利要求9所述的方法，其中所述附加膜充当所述干蚀刻工艺的掩模。12.根据权利要求10所述的方法，其中组合膜充当所述干蚀刻工艺的掩模。13.根据权利要求9所述的方法，其中所述附加膜是导电层或电介质。14.根据权利要求10所述的方法，其中所述组合膜包括电介质和导电层。15.根据权利要求1所述的方法，其中所述侧壁是via的壁。16.根据权利要求15所述的方法，其中所述导电层将信号从所述via的顶部带到底部。

技术总结
本公开涉及在处理微型装置时蚀刻和处理侧壁的过程。一个方面是用聚合物填充装置壁凹部。本公开涉及一种方法和装置，其结构用于蚀刻和处理侧壁的该过程。使用蚀刻、涂覆和固化的该方法。的该方法。的该方法。


技术研发人员：格拉姆雷扎
受保护的技术使用者：维耶尔公司
技术研发日：2021.03.23
技术公布日：2022/11/1