悬浮膜的制备方法及悬浮膜与流程

本发明涉及半导体加工，具体地，涉及一种悬浮膜的制备方法及悬浮膜。

背景技术：

1、随着半导体工艺技术的发展，特别是微机电系统(mems)的快速发展，对悬浮结构的需求越来越多，尤其是近年来三维超结构的发展，悬浮膜的需求越来越迫切。

2、悬浮膜的制备方法主要基于半导体工艺技术，通过图形设计以及光刻、干法和湿法刻蚀并结合其他辅助工艺完成。这种方法工艺流程长、过程复杂，因此相对来说时间长、成本高、成品率较低。此外，近年来，一种相对简单的金悬浮膜制备方法是采用将一定厚度和尺寸的金薄膜分散在水等溶剂中，然后利用透射电镜测试用铜网在溶液中捞取分散的金薄膜，获得悬浮膜，然后再进行加工。这种方法虽然成本相对较低，但随机性强、适用的薄膜有限、与其他工艺技术兼容性差、且操作不便不易进行推广。

技术实现思路

1、针对现有技术中的缺陷，本发明的目的是提供一种悬浮膜的制备方法及悬浮膜。

2、根据本发明提供的一种悬浮膜的制备方法，包括如下步骤：

3、光刻胶旋涂步骤：在干净平整的基底上旋涂光刻胶；

4、铜网放置步骤：将透射电镜用铜网放置在光刻胶表面，静置一段时间；

5、固化步骤：将铜网、光刻胶、基底放在热板上在一定温度下固化；

6、薄膜溅射步骤：将固化后的铜网、光刻胶、基底表面溅射一定厚度的薄膜；

7、悬浮膜获取步骤：将得到的薄膜、铜网、光刻胶、基底放在光刻胶去胶液中，溶解光刻胶，获得悬浮膜。

8、优选地，所述的基底为硅基底或者玻璃基底。

9、优选地，所述的光刻胶为正性光刻胶。

10、优选地，所述的静置时间为0.5-30分钟。

11、优选地，所述的固化温度为50-150℃。

12、优选地，所述的薄膜为金属薄膜、金属氧化物薄膜、半导体薄膜或者介质薄膜。

13、优选地，溅射的薄膜厚度50nm-300nm。

14、优选地，所述光刻胶去胶液为丙酮或者异丙醇。

15、优选地，还包括清洗步骤：对基底进行清洗，得到干净平整的基底。

16、根据本发明提供的一种悬浮膜，采用上述的悬浮膜的制备方法。

17、与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：

18、1、本发明提供了一种简单可控的悬浮膜的制备方法，解决现有方法工艺复杂、随机性强等问题，获得厚度可控的悬浮膜。

19、2、本发明采用将铜网作为支撑结构结合光刻胶的去除，解决了现有技术中悬浮膜随机捞取的问题；

20、3、对比传统方法，本方法流程简单，不需要进行干法及湿法刻蚀，适用于多种材料批量化悬浮膜的制备。

技术特征：

1.一种悬浮膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的悬浮膜的制备方法，其特征在于，所述的基底为硅基底或者玻璃基底。

3.根据权利要求1所述的悬浮膜的制备方法，其特征在于，所述的光刻胶为正性光刻胶。

4.根据权利要求1所述的悬浮膜的制备方法，其特征在于，所述的静置时间为0.5-30分钟。

5.根据权利要求1所述的悬浮膜的制备方法，其特征在于，所述的固化温度为50-150℃。

6.根据权利要求1所述的悬浮膜的制备方法，其特征在于，所述的薄膜为金属薄膜、金属氧化物薄膜、半导体薄膜或者介质薄膜。

7.根据权利要求1所述的悬浮膜的制备方法，其特征在于，溅射的薄膜厚度50nm-300nm。

8.根据权利要求1所述的悬浮膜的制备方法，其特征在于，所述光刻胶去胶液为丙酮或者异丙醇。

9.根据权利要求1所述的悬浮膜的制备方法，其特征在于，还包括清洗步骤：对基底进行清洗，得到干净平整的基底。

10.一种悬浮膜，其特征在于，采用权利要求1-9任一项所述的悬浮膜的制备方法。

技术总结
本发明提供了一种悬浮膜的制备方法及悬浮膜，所述方法包括光刻胶旋涂步骤：在干净平整的基底上旋涂光刻胶；铜网放置步骤：将透射电镜用铜网放置在光刻胶表面，静置一段时间；固化步骤：将铜网、光刻胶、基底放在热板上在一定温度下固化；薄膜溅射步骤：将固化后的铜网、光刻胶、基底表面溅射一定厚度的薄膜；悬浮膜获取步骤：将得到的薄膜、铜网、光刻胶、基底放在光刻胶去胶液中，溶解光刻胶，获得悬浮膜。本发明解决现有方法工艺复杂、随机性强等问题，获得厚度可控的悬浮膜。采用将铜网作为支撑结构结合光刻胶的去除，解决了现有技术中悬浮膜随机捞取的问题；本方法流程简单，不需要进行干法及湿法刻蚀，适用于多种材料批量化悬浮膜的制备。

技术研发人员：王英,付学成,张笛,沈贇靓,盛嘉平
受保护的技术使用者：上海交大平湖智能光电研究院
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13