电容式MEMS装置的制作方法

文档序号:35581315发布日期:2023-09-27 10:16阅读:102来源:国知局
电容式MEMS装置的制作方法

【】本技术涉及mems(micro-electro-mechanical system,微机电系统)器件领域,尤其涉及一种电容式mems装置。

背景技术

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背景技术:

1、为了保证mems装置的正常系统,所述mems装置通常都包括有自检系统。现有技术中,mems装置的自检都是通过使用一对额外的自检电极,并在此对自检电极上施加电压来产生静电力完成的。额外设置的自检电极带来了电路面积的增加,提高了生产成本。此外,现有的mems装置还需要设置单独的自检电路,这同样提高了成本。

2、因此,亟需提出一种新的技术方案来解决上述问题。


技术实现思路

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技术实现要素:

1、本实用新型的目的之一在于提供一种复用电极的电容式mems装置,其不需要增加任何额外电极就可以完成mems装置的自检,避免了增加额外电极带来的电路面积增加。

2、为解决上述问题,根据本实用新型的一个方面,本实用新型提出一种电容式mems装置,其包括:mems器件,其包括检测电容,所述检测电容包括第一电极、第二电极和质量块;检测电路,其包括第一输入端、第二输入端和输出端;与第一电极耦接的第一开关电路,其选择性的将第一电极耦接至所述检测电路的第一输入端或第一电源端;与第二电极耦接的第二开关电路,其选择性的将第二电极耦接至所述检测电路的第二输入端或第二电源端;在自检的第一阶段时,控制第一开关电路将第一电极耦接至第一电源端,控制第二开关电路将第二电极耦接至第二电源端;在自检的第二阶段时,控制第一开关电路将第一电极耦接至所述检测电路的第一输入端,控制第二开关电路将第二电极耦接至所述检测电路的第二输入端,所述检测电路对第一电极和第二电极的信号进行检测并输出自检响应信号,基于所述自检响应信号确定所述mems器件是否功能正常。

3、本实用新型与现有技术相比,本实用新型通过复用检测电容的电极,通过所述检测电容的电极进行自检,这样就不需要增加任何额外电极就可以完成mems装置的自检,避免了增加额外电极带来的电路面积增加。此外,还可以提高了mems器件的灵敏度。



技术特征:

1.一种电容式mems装置,其特征在于,其包括:

2.根据权利要求1所述的电容式mems装置,其特征在于,

3.根据权利要求1所述的电容式mems装置,其特征在于,如果所述自检响应信号满足预定条件,则认为所述mems器件功能正常,自检通过,

4.根据权利要求1所述的电容式mems装置,其特征在于,

5.根据权利要求4所述的电容式mems装置,其特征在于,其还包括与第三电极耦接的第三开关电路,

6.根据权利要求4所述的电容式mems装置,其特征在于,所述检测电路包括模数转换器和滤波器,


技术总结
本技术提供一种电容式MEMS装置,其包括:MEMS器件,其包括检测电容,所述检测电容包括第一电极、第二电极和质量块;检测电路;与第一电极耦接的第一开关电路;与第二电极耦接的第二开关电路。在自检的第一阶段时,第一开关电路将第一电极耦接至第一电源端,第二开关电路将第二电极耦接至第二电源端;在自检的第二阶段时,第一开关电路将第一电极耦接至所述检测电路的第一输入端,第二开关电路将第二电极耦接至所述检测电路的第二输入端,所述检测电路对第一电极和第二电极的信号进行检测并输出自检响应信号,基于所述自检响应信号确定所述MEMS器件是否功能正常。这样,不需要增加额外的自检电极就可以完成自检。

技术研发人员:威特·弗雷克,威廉姆斯·凯特,黄莉
受保护的技术使用者:美新半导体(天津)有限公司
技术研发日:20230214
技术公布日:2024/1/14
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