用于沉积处理的基于模型的参数调整的制作方法

本公开内容总体涉及调整由半导体处理站运行的配方中的参数。更具体地，本公开内容描述了使用和训练模型来生成站点的操作参数的调整。

背景技术：

1、电镀使用电沉积来在物体上涂覆金属层。通常，阳极和阴极放置在电解质化学浴中并暴露于电流。电力致使带负电荷的阴离子移动到阳极并使带正电荷的阳离子转移到阴极。这个处理用来自阳极材料的均匀金属涂层覆盖或镀覆阴极的期望部分。虽然电镀在许多不同行业中有所应用，但是这种技术广泛用于半导体制造处理，以在半导体晶片上沉积金属层。电化学沉积腔室可将半导体晶片浸没在电解质液的化学浴中。阳极可分布在整个化学浴中，以通过电解质向晶片提供电流，该晶片在反应中充当阴极。可基于处理的电流水平和运行时间来严格地控制金属膜的厚度。

技术实现思路

1、在一些实施方式中，一种系统可包括：第一半导体处理站，该第一半导体处理站被配置为在第一半导体晶片上沉积材料；以及化学品罐，该化学品罐被配置为向该第一半导体处理站提供液体，以在该在第一半导体晶片上沉积该材料。该化学品罐可包括一个或多个传感器，该一个或多个传感器测量该液体的特性。该系统还可包括控制器，该控制器被配置为执行操作，该操作包括：从该化学品罐的该一个或多个传感器接收该测量；以及向经训练的模型提供基于来自该化学品罐的该一个或多个传感器的该测量的输入。该经训练的模型可被配置为生成调整该第一半导体处理站的操作参数的输出，使得该材料的厚度均匀性更接近目标厚度均匀性。该操作还可使该第一半导体处理站使用由该输出所调整的该操作参数在第二半导体晶片上沉积该材料。

2、在一些实施方式中，一种非暂时性计算机可读介质可包括指令，该指令当由一个或多个处理器执行时使该一个或多个处理器执行操作，该操作包括从化学品罐的一个或多个传感器接收测量。第一半导体处理站可被配置为在第一半导体晶片上沉积材料。该化学品罐可被配置为向该第一半导体处理站提供液体，以在该第一半导体晶片上沉积该材料，其中该一个或多个传感器可测量该液体的特性。该操作还可包括向经训练的模型提供基于来自该化学品罐的该一个或多个传感器的该测量的输入。该经训练的模型可被配置为生成调整该第一半导体处理站的操作参数的输出，使得该材料的厚度均匀性更接近目标厚度均匀性。该操作还可使该第一半导体处理站使用由该输出调整的该操作参数在第二半导体晶片上沉积该材料。

3、在一些实施方式中，一种调整用于半导体处理的配方参数的方法可包括从化学品罐的一个或多个传感器接收测量。第一半导体处理站可被配置为在第一半导体晶片上沉积材料。该化学品罐可被配置为向该第一半导体处理站提供液体，以在该第一半导体晶片上沉积该材料，其中该一个或多个传感器可测量该液体的特性。该方法还可包括向经训练的模型提供基于来自该化学品罐的该一个或多个传感器的该测量的输入。该经训练的模型可被配置为生成调整该第一半导体处理站的操作参数的输出，使得该材料的厚度均匀性更接近目标厚度均匀性。该方法还可使该第一半导体处理站使用由该输出调整的该操作参数在第二半导体晶片上沉积该材料。

4、在任何实施方式中，以下特征的任何和所有特征可以以任何组合且不受限制地实施。该第一半导体处理站可包括电化学沉积站。该系统还可包括第二半导体处理站，该第二半导体处理站包括计量站，该计量站在该第一半导体晶片上执行参数测量。该系统还可第三半导体处理站，该第三半导体处理站被配置为从该第一半导体晶片去除光刻胶层，其中该第三半导体处理站可在该第一半导体晶片被该第一半导体处理站处理之后且在该第一半导体晶片被该第二半导体处理站处理之前接收该第一半导体晶片。该系统还可包括第三半导体处理站，该第三半导体处理站被配置为在该第一半导体晶片上执行冲洗和干燥处理，其中该第三半导体处理站可在该第一半导体晶片被该第一半导体处理站处理之后且在该第一半导体晶片被该第二半导体处理站处理之前接收该第一半导体晶片。来自该化学品罐的该一个或多个传感器的该测量可指示该材料的厚度。来自该化学品罐的该一个或多个传感器的该测量可包括该材料的电导率或电阻率测量。该控制器可包括中央计算机系统，该中央计算机系统与该第一半导体处理站和第二半导体处理站通信。该控制器可包括用于该第一半导体处理站的第一集成控制器，该第一集成控制器与用于第二半导体处理站的第二集成控制器通信。调整该第一半导体处理站的该操作参数的该输出可包括要施加到该第一半导体处理站的阳极的电流。调整该第一半导体站的该操作参数的该输出可包括由该第一半导体站执行的配方中的步骤的处理时间。该经训练的模型可包括神经网络。基于该测量的该输入可包括误差计算，该误差计算是使用来自该第一半导体晶片的测量值和用于该第一半导体晶片的目标值来生成的。该方法/操作还可包括向优化器提供该误差计算，该优化器被配置为使用一个或多个灵敏度曲线，该一个或多个灵敏度曲线将该误差计算与该第一半导体处理站的该操作参数的变化相关联。该方法/操作还可包括向该经训练的模型提供该变化和该误差计算，以生成调整该第一半导体处理站的该操作参数的该输出。该方法/操作还可包括：确定该误差计算是否违反阈值；以及使用基于该测量的该输入作为不要求由该经训练的模型进行的调整的标记数据来训练该模型。该方法/操作还可包括：从第二半导体处理站接收测量，该第二半导体处理站被配置为在该材料已经沉积在该第一半导体晶片上之后执行指示该材料的厚度均匀性的测量；以及向该经训练的模型提供来自该第二半导体处理站的该测量。来自该化学品罐的该一个或多个传感器的该测量可包括该液体的电导率或电阻率测量，该电导率或电阻率测量用于外推或计算该材料的该厚度均匀性。

技术特征：

1.一种系统，所述系统包括：

2.如权利要求1所述的系统，其中所述第一半导体处理站包括电化学沉积站。

3.如权利要求1所述的系统，进一步包括第二半导体处理站，所述第二半导体处理站包括计量站，所述计量站在所述第一半导体晶片上执行参数测量。

4.如权利要求3所述的系统，进一步包括第三半导体处理站，所述第三半导体处理站被配置为从所述第一半导体晶片去除光刻胶层，其中所述第三半导体处理站在所述第一半导体晶片被所述第一半导体处理站处理之后且在所述第一半导体晶片被所述第二半导体处理站处理之前接收所述第一半导体晶片。

5.如权利要求3所述的系统，进一步包括第三半导体处理站，所述第三半导体处理站被配置为在所述第一半导体晶片上执行冲洗和干燥处理，其中所述第三半导体处理站在所述第一半导体晶片被所述第一半导体处理站处理之后且在所述第一半导体晶片被所述第二半导体处理站处理之前接收所述第一半导体晶片。

6.如权利要求1所述的系统，其中来自所述化学品罐的所述一个或多个传感器的所述测量指示所述材料的所述厚度均匀性。

7.如权利要求1所述的系统，其中来自所述化学品罐的所述一个或多个传感器的所述测量包括所述材料的电导率或电阻率测量。

8.如权利要求1所述的系统，其中所述控制器包括中央计算机系统，所述中央计算机系统与所述第一半导体处理站和第二半导体处理站通信。

9.如权利要求1所述的系统，其中所述控制器包括用于所述第一半导体处理站的第一集成控制器，所述第一集成控制器与用于第二半导体处理站的第二集成控制器通信。

10.一种非暂时性计算机可读介质，所述非暂时性计算机可读介质包括指令，所述指令当由一个或多个处理器执行时使所述一个或多个处理器执行操作，所述操作包括：

11.如权利要求10所述的非暂时性计算机可读介质，其中调整所述第一半导体处理站的所述操作参数的所述输出包括要施加到所述第一半导体处理站的阳极的电流。

12.如权利要求10所述的非暂时性计算机可读介质，其中调整所述第一半导体站的所述操作参数的所述输出包括由所述第一半导体站执行的配方中的步骤的处理时间。

13.如权利要求10所述的非暂时性计算机可读介质，其中所述经训练的模型包括神经网络。

14.一种调整用于半导体处理的配方参数的方法，所述方法包括：

15.如权利要求14所述的方法，其中基于所述测量的所述输入包括误差计算，所述误差计算是使用来自所述第一半导体晶片的测量值和用于所述第一半导体晶片的目标值来生成的。

16.如权利要求15所述的方法，进一步包括：向优化器提供所述误差计算，所述优化器被配置为使用一个或多个灵敏度曲线，所述一个或多个灵敏度曲线将所述误差计算与所述第一半导体处理站的所述操作参数的变化相关联。

17.如权利要求16所述的方法，进一步包括：向所述经训练的模型提供所述变化和所述误差计算，以生成调整所述第一半导体处理站的所述操作参数的所述输出。

18.如权利要求15所述的方法，进一步包括：

19.如权利要求14所述的方法，进一步包括：

20.如权利要求14所述的方法，其中来自所述化学品罐的所述一个或多个传感器的所述测量包括所述液体的电导率或电阻率测量，所述电导率或电阻率测量用于外推或计算所述材料的所述厚度均匀性。

技术总结
一种系统可包括：第一半导体处理站，所述第一半导体处理站被配置为在第一半导体晶片上沉积材料；以及化学品罐，所述化学品罐在沉积工艺期间向所述处理站提供液体。所述化学品罐可向控制器提供所述液体的特性的测量。所述控制器可被配置为：从所述化学品罐接收所述测量；向经训练的模型提供基于所述测量的输入，所述经训练的模型被配置为生成调整所述第一站的操作参数的输出，使得所述材料的厚度均匀性更接近目标厚度均匀性；以及使所述第一站使用由所述输出所调整的所述操作参数在第二晶片上沉积所述材料。

技术研发人员：山姆·K·李,保罗·R·麦克休
受保护的技术使用者：应用材料公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/16