复合铜箔、制备方法及锂离子电池与流程

文档序号:36925625发布日期:2024-02-02 21:51阅读:17来源:国知局

本发明涉及锂离子电池,具体涉及一种复合铜箔、制备方法及锂离子电池。


背景技术:

1、复合铜箔是以高分子材料作为基膜,将金属铜层沉积在基膜的上下两面,形成“铜-高分子-铜”复合的三明治结构,复合铜箔具有密度小、厚度薄、良好的导电性等特点,因此具有替代传统锂电解铜箔的潜力。目前复合铜箔的制作过程以两步法为主,复合铜箔两步法的工序流程为磁控溅射加水电镀。磁控溅射工艺通过溅射铜原子穿透嵌入基膜内,可以提高基膜与金属铜的结合力,但是容易造成基膜表面上沉积的铜膜不均匀,导致磁控溅射工艺的设备操作难度较大。


技术实现思路

1、为了解决相关技术中的问题,本公开实施例提供一种复合铜箔、制备方法及锂离子电池。

2、第一方面,本公开实施例提供了一种复合铜箔的制备方法,包括如下步骤:

3、对基膜的表面进行激光微加工处理形成微孔结构;

4、将金属浆料涂覆于所述基膜的表面形成导电种子层;

5、在所述导电种子层上形成铜金属层。

6、根据本公开的实施例,所述微孔结构为u形微孔结构或者倒锥形微孔结构。

7、根据本公开的实施例,所述将金属浆料涂覆于所述基膜的表面形成导电种子层,包括:

8、将金属浆料涂覆于所述基膜的表面,涂覆后在20-30℃下放置预设时间,然后在60-80℃下干燥,形成导电种子层。

9、根据本公开的实施例,所述金属浆料包括金属粉末和导电胶,其中,所述金属粉末与导电胶的质量比为85-95:5-15。

10、根据本公开的实施例,所述对基膜的表面进行激光微加工处理形成微孔结构之前,所述制备方法还包括:

11、对基膜的表面进行粗造化处理。

12、根据本公开的实施例,所述粗造化处理为电晕处理、等离子处理中的一种。

13、根据本公开的实施例,所述基膜为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚丙烯、聚酰亚胺中的一种。

14、根据本公开的实施例,所述在所述导电种子层上形成铜金属层,包括:在所述导电种子层上采用电镀工艺形成铜金属层。

15、根据本公开的实施例,所述复合铜箔的厚度在6-8μm。

16、第二方面,本公开实施例中提供了一种复合铜箔,采用如第一方面任一项所述的复合铜箔的制造方法得到。

17、第三方面,本公开实施例提供了一种锂离子电池,包括如第二方面任一项所述的复合铜箔。

18、根据本公开实施例提供的复合铜箔的制备方法,包括如下步骤:对基膜的表面进行激光微加工处理形成微孔结构;将金属浆料涂覆于所述基膜的表面形成导电种子层;在所述导电种子层上形成铜金属层。上述技术方案采用激光微加工处理以及涂布工艺替代磁控溅射工艺在基膜的表面形成导电种子层,然后在导电种子层上形成铜金属层制备复合铜箔。通过磁控溅射工艺的替代工艺克服了基膜表面镀膜不均匀的缺陷,而且采用的激光微加工处理以及涂布工艺在操作上更加简单,减低了操作复杂度,提高了效率。

19、应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本公开。



技术特征:

1.一种复合铜箔的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.根据权利要求1所述的复合铜箔的制备方法,其特征在于,所述微孔结构为u形微孔结构或者倒锥形微孔结构。

3.根据权利要求1所述的复合铜箔的制备方法,其特征在于,所述金属浆料包括金属粉末和导电胶,其中,所述金属粉末与导电胶的质量比为85-95:5-15。

4.根据权利要求1所述的复合铜箔的制备方法,其特征在于,所述对基膜的表面进行激光微加工处理形成微孔结构之前,所述制备方法还包括:

5.根据权利要求4所述的复合铜箔的制备方法,其特征在于,所述粗造化处理为电晕处理、等离子处理中的一种。

6.根据权利要求1所述的复合铜箔的制备方法,其特征在于,所述基膜为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚丙烯、聚酰亚胺中的一种。

7.根据权利要求1所述的复合铜箔的制备方法,其特征在于,所述在所述导电种子层上形成铜金属层,包括:在所述导电种子层上采用电镀工艺形成铜金属层。

8.根据权利要求1所述的复合铜箔的制备方法,其特征在于,所述复合铜箔的厚度在6-8μm。

9.一种复合铜箔,其特征在于,采用如权利要求1-8任一项所述的复合铜箔的制备方法制作得到。

10.一种锂离子电池,其特征在于,包括如权利要求9所述的复合铜箔。


技术总结
本发明涉及锂离子电池技术领域,具体涉及一种复合铜箔、制备方法及锂离子电池,所述复合铜箔的制备方法,包括如下步骤:对基膜的表面进行激光微加工处理形成微孔结构;将金属浆料涂覆于所述基膜的表面形成导电种子层;在所述导电种子层上形成铜金属层。采用本发明公开的制备方法制得的复合铜箔,实现了磁控溅射工艺的替代,而且还有效改善了复合铜箔表面的剥离强度,同时拉伸强度也得到了提升,从而能够更好地满足工业需求。

技术研发人员:宋文兰
受保护的技术使用者:河北海伟电子新材料科技股份有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/2/1
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