一种镂空型首饰加工辅助模型的制作方法

文档序号:36894215发布日期:2024-02-02 21:26阅读:15来源:国知局
一种镂空型首饰加工辅助模型的制作方法

本技术涉及珠宝加工辅助模型,尤其是一种镂空型首饰加工辅助模型。


背景技术:

1、传统的镂空型首饰加工往往需要提供一个导电模型作为首饰电镀成型的辅助结构(模具)。这样在后续电镀加工时,在整个导电模型的外表面均形成电镀层。当需要将电镀层包覆的导电模型去除时,则需要在电镀层中开孔以通过该孔将电镀层围成的内腔与外界连通,即通过该孔实现导电模型与外界相通。这样在后续酸洗溶解所述导电模型时,溶液将沿着孔进入内腔,进而实现溶液将导电模型完全溶解。

2、然而,在实际中,由于需要开孔,其破坏了首饰的完整性,同时由于孔的数量不能开太多,尺寸也不能太大,因此溶液流进和流出的速度较慢,导致整个溶解过程效率较慢。再者,由于溶解后的液体需要通过孔流出来以将导电模型洗出来,但是孔的尺寸较小,容易导致杂质留在内腔内,这样将会导致整个首饰的镀金成色不足(即含有杂质较多)。

3、因此,上述技术问题需要解决。


技术实现思路

1、为了克服现有技术的不足,本实用新型提出一种镂空型首饰加工辅助模型,目的在于解决现有镂空型首饰加工后容易留下杂质的问题。

2、为了解决上述的技术问题,本实用新型提出的基本技术方案为:

3、一种镂空型首饰加工辅助模型,包括:

4、绝缘支撑内衬,

5、导电过渡模型,该导电过渡模型设于所述绝缘支撑内衬的外表面处;

6、其中,该导电过渡模型具有至少一镂空部,该至少一个镂空部能够使得所述绝缘支撑内衬的部分外表面外露。

7、进一步的,所述导电过渡模型与所述绝缘支撑内衬的结合面处是密封的。

8、进一步的,所述导电过渡模型的熔点温度低于所述绝缘支撑内衬的软化温度。

9、进一步的,所述导电过渡模型的熔点温度与所述绝缘支撑内衬的软化温度差介于10℃-50℃之间。

10、进一步的,所述绝缘支撑内衬为球体状。

11、进一步的,所述绝缘支撑内衬为实心结构。

12、进一步的,所述绝缘支撑内衬为硬质的空心结构。

13、进一步的,所述绝缘支撑内衬的表面光滑。

14、进一步的,所述导电过渡模型的所有内表面与所述绝缘支撑内衬的外表面接触。

15、进一步的,所述导电过渡模型的部分内表面与所述绝缘支撑内衬之间是悬空设置的。

16、本实用新型的有益效果是:

17、本实用新型的技术方案提出一种镂空型首饰加工辅助模型,包括绝缘支撑内衬和导电过渡模型,该导电过渡模型设于所述绝缘支撑内衬的外表面处;其中该导电过渡模型具有至少一镂空部,该至少一个镂空部能够使得所述绝缘支撑内衬的部分外表面外露。本技术通过绝缘支撑内衬将导电过渡模型支撑起来,一方面该绝缘支撑内衬被溶解后形成的空间即为内部镂空部分,另外一方面由于导电过渡模型是贴附在所述绝缘支撑内衬的外表面处,因此在结合部处不会形成电镀层,即导电过渡模型和绝缘支撑内衬不会存在被电镀层全包覆的部分,这样在后续酸洗溶解时对应的溶液可以直接通过镂空部进入与绝缘支撑内衬和导电过渡模型接触实现溶解,且溶解后的液体可以通过镂空部向外流出;这样所述至少一个镂空部即充当了传统孔的功能,且镂空部数量通常较多容易实现液体的流进和流出,能够加速溶解过程,同时由于所述绝缘支撑内衬和导电过渡模型不会被后续的电镀层全包覆,故此在后续酸洗时不易残留杂质。



技术特征:

1.一种镂空型首饰加工辅助模型,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的一种镂空型首饰加工辅助模型,其特征在于:

3.如权利要求1所述的一种镂空型首饰加工辅助模型,其特征在于:

4.如权利要求3所述的一种镂空型首饰加工辅助模型,其特征在于:

5.如权利要求1所述的一种镂空型首饰加工辅助模型,其特征在于:

6.如权利要求1所述的一种镂空型首饰加工辅助模型,其特征在于:

7.如权利要求1所述的一种镂空型首饰加工辅助模型,其特征在于:

8.如权利要求1所述的一种镂空型首饰加工辅助模型,其特征在于:

9.如权利要求1所述的一种镂空型首饰加工辅助模型,其特征在于:

10.如权利要求1所述的一种镂空型首饰加工辅助模型,其特征在于:


技术总结
本技术公开了一种镂空型首饰加工辅助模型,包括绝缘支撑内衬和导电过渡模型,该导电过渡模型设于所述绝缘支撑内衬的外表面处;其中该导电过渡模型具有至少一镂空部,该至少一个镂空部能够使得所述绝缘支撑内衬的部分外表面外露。本技术一方面导电过渡模型和绝缘支撑内衬不会存在被电镀层全包覆的部分,这样在后续酸洗溶解时对应的溶液可以直接通过镂空部进入与绝缘支撑内衬和导电过渡模型接触实现溶解;镂空部即充当了传统孔的功能,实现液体的流进和流出,能够加速溶解过程,同时由于所述绝缘支撑内衬和导电过渡模型不会被后续的电镀层全包覆,故此在后续酸洗时不易残留杂质。

技术研发人员:赵祥祥
受保护的技术使用者:深圳市薇恩珠宝有限公司
技术研发日:20230727
技术公布日:2024/2/1
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