一种半导体废气处理设备进气口的新型自吸气防堵装置的制作方法

1.本实用新型涉及半导体废气处理设备技术领域，具体为一种半导体废气处理设备进气口的新型自吸气防堵装置。


背景技术：

2.半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用半导体制作的器件，无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关联，常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，硅是各种半导体材料应用中最具有影响力的一种，部分半导体在生产的过程中会产生废气需要对废气进行处理。
3.然而，现有的半导体废气处理设备在运作的过程中存在以下的问题：(1)在半导体废气处理设备中，在机台的废气进气口容易堵塞，导致半导体生产停滞延误；(2)现有的对于半导体废气处理设备的进气口清洁的方式，多需要人为进行定期清洁和维修，操作繁琐。为此，需要设计相应的技术方案解决存在的技术问题。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的在于提供一种半导体废气处理设备进气口的新型自吸气防堵装置，解决了在半导体废气处理设备中，在机台的废气进气口容易堵塞，导致半导体生产停滞延误，现有的对于半导体废气处理设备的进气口清洁的方式，多需要人为进行定期清洁和维修，操作繁琐，这一技术问题。
5.为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种半导体废气处理设备进气口的新型自吸气防堵装置，包括自吸气式进气管，所述自吸气式进气管包括位于上方的上管体和位于下方的下管体，所述上管体与下管体之间通过螺栓固定且两者的连接处形成有缓冲腔道，所述上管体的两侧对称开设有导入口一、导入口二，所述导入口一内置有气压传感器，所述下管体的一侧开设有导入口三，所述缓冲腔道的内部活动设置有旋转内环，所述旋转内环的正上方设置有上环，所述上环活动安装于上管体的顶部且与旋转内环之间垂直安装有四组清洁机构，所述清洁机构包括垂直设置的连接杆和固定于连接杆上的剥离片，所述剥离片的内侧与上管体内壁、下管体内壁相接触，所述导入口二的内部通入有惰性n2，所述导入口三的内部通入有高压n2。
6.作为本实用新型的一种优选实施方式，所述旋转内环为双层结构且包括外环和内环，所述外环的表面均匀开设有若干组气动槽口，所述气动槽口的两侧对称开设有两组气体导入口，所述气体导入口的内端延伸至内环的内部。
7.作为本实用新型的一种优选实施方式，所述气动槽口的左侧呈倾斜状结构且右侧呈弧面结构，所述气动槽口的外端口径大于内端口径。
8.作为本实用新型的一种优选实施方式，所述气体导入口的外端与缓冲腔道相连
通，所述气体导入口的外端规格大于内端规格，所述气体导入口的底部呈坡面结构。
9.作为本实用新型的一种优选实施方式，所述上环的表面内嵌有若干组转子，若干组所述转子与上管体的内壁转动连接。
10.作为本实用新型的一种优选实施方式，所述缓冲腔道呈下端呈弧面结构且末端形成有出气口，所述出气口正对气动槽口。
11.作为本实用新型的一种优选实施方式，所述剥离片为两段式结构且包括固定于连接杆上的主板和固定于主板外侧的清洁刷，所述清洁刷采用橡胶材料且外端与自吸气式进气管的内壁相接触。
12.与现有技术相比，本实用新型的有益效果如下：
13.1.本实用新型所设计的废气处理设备进气口结构分为上下两部分中间用螺丝连接，上部分有两个开孔，一个检测进气口压力，一个向管道内输送惰性气体n2,用来降温、稀释废气使废气更不容易堵塞，下半部分接口用来输送高压n2，n2首先进入上半部和下半部分组成的缓冲区域，在沿着管道的内壁向下喷出，在管壁内侧形成无死角的高速气流，高速向下的气流在进气口处会形成向下的吸力，从而保证了进气口的堵塞问题。
14.2.本方案在下半部接口位置的内侧设置有旋转内环，并在旋转内环的上方设置有配合使用的上环，上环与旋转内环之间安装有清洁机构，通过高压n2的导入推动旋转内环转动，从而带动旋转内环以及清洁机构进行转动，利用清洁机构对进气口内壁进行刮取处理，避免附着物长时间附着而导致进气口的气体流通效率降低。
附图说明
15.图1为本实用新型的整体结构图；
16.图2为本实用新型的整体俯视结构图；
17.图3为本实用新型的整体剖面图；
18.图4为本实用新型所述旋转内环结构图；
19.图5为本实用新型所述上环与清洁机构连接结构图；
20.图6为本实用新型所述气体导入口结构图。
21.图中:1、上管体；2、下管体；3、缓冲腔道；4、导入口一；5、导入口二；6、气压传感器；7、导入口三；8、旋转内环；9、上环；10、连接杆；11、剥离片；12、外环；13、内环；14、气动槽口；15、气体导入口；16、转子；17、出气口；18、主板；19、清洁刷。
具体实施方式
22.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
23.请参阅图1-6，本实用新型提供一种技术方案：一种半导体废气处理设备进气口的新型自吸气防堵装置，包括自吸气式进气管，自吸气式进气管包括位于上方的上管体1和位于下方的下管体2，上管体1与下管体2之间通过螺栓固定且两者的连接处形成有缓冲腔道3，上管体1的两侧对称开设有导入口一4、导入口二5，导入口一4内置有气压传感器6，下管
体2的一侧开设有导入口三7，缓冲腔道3的内部活动设置有旋转内环8，旋转内环8的正上方设置有上环9，上环9活动安装于上管体1的顶部且与旋转内环8之间垂直安装有四组清洁机构，清洁机构包括垂直设置的连接杆10和固定于连接杆10上的剥离片11，剥离片11的内侧与上管体1内壁、下管体2内壁相接触，导入口二5的内部通入有惰性n2，导入口三7的内部通入有高压n2。
24.进一步改进地，如图4所示：旋转内环8为双层结构且包括外环12和内环13，外环12的表面均匀开设有若干组气动槽口14，气动槽口14的两侧对称开设有两组气体导入口15，气体导入口15的内端延伸至内环13的内部。
25.进一步改进地，如图4所示：气动槽口14的左侧呈倾斜状结构且右侧呈弧面结构，气动槽口14的外端口径大于内端口径，这样的设计方式便于配合出气口17的高压气流进行吹动。
26.进一步改进地，如图6所示：气体导入口15的外端与缓冲腔道3相连通，气体导入口15的外端规格大于内端规格，气体导入口15的底部呈坡面结构。
27.进一步改进地，如图1所示：上环9的表面内嵌有若干组转子16，若干组转子16与上管体1的内壁转动连接，便于上环9进行活动。
28.进一步改进地，如图3所示：缓冲腔道3呈下端呈弧面结构且末端形成有出气口17，出气口17正对气动槽口14，通过在缓冲腔道3内的高压n2达到对旋转内环8吹动的目的，并利用清洁刷19对自吸气式进气管的内部进行清扫处理。
29.具体地，剥离片11为两段式结构且包括固定于连接杆10上的主板18和固定于主板18外侧的清洁刷19，清洁刷19采用橡胶材料且外端与自吸气式进气管的内壁相接触，这样的设计方式便于通过清洁刷19对自吸气式进气管的内部进行清扫处理。
30.在使用时：本实用新型所设计的废气处理设备进气口结构分为上下两部分中间用螺丝连接，上部分有两个导入口，一个检测进气口压力，一个向管道内输送惰性气体n2,用来降温、稀释废气使废气更不容易堵塞，下半部分的导入口用来输送高压n2，n2首先进入上半部和下半部分组成的缓冲区域，在沿着管道的内壁向下喷出，在管壁内侧形成无死角的高速气流，高速向下的气流在进气口处会形成向下的吸力，从而保证了进气口的堵塞问题，此外通过在缓冲腔道3内的高压n2达到对旋转内环8吹动的目的，并利用清洁刷19对自吸气式进气管的内部进行清扫处理。
31.最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。